公开(公告)号：DE102012215529B4

公开(公告)日：2018-07-12

申请号：DE102012215529

申请日：2012-08-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： TARRABBIA MARC ,  GULLETTE JAMES B ,  RASHED MAHBUB ,  DOMAN DAVID S ,  LIN IRENE Y ,  LORENZ INGOLF ,  HO LARRY ,  NGUYEN CHINH ,  KIM JEFF ,  KYE JONGWOOK ,  MA YUANGSHENG ,  DENG YUNFEI ,  AGUR ROD ,  RHEE SEUNG-HYUN ,  STEPHENS JASON E ,  JOHNSON SCOTT ,  KENGRI SUBRAMANI ,  VENKATESAN SURESH

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535

Abstract: Halbleitervorrichtung umfassend:ein Halbleitersubstrat (12) mit einem Diffusionsgebiet (14a, 14b);einen Transistor (16), der innerhalb des Diffusionsgebiets (14a, 14b) vorgesehen ist und ein Sourcegebiet (18), ein Draingebiet (20) und ein Gate (22) aufweist;eine Stromschiene (26a, 26b), die außerhalb des Diffusionsgebiets (14a, 14b) in einer Metallschicht (25) angeordnet ist;eine Metallkontaktstiftschicht (38), die in der Metallschicht (25) angeordnet ist, sich von dem Diffusionsgebiet (14a, 14b) zu einem Gebiet außerhalb des Diffusionsgebiets (14a, 14b) erstreckt und mit dem Transistor (16) elektrisch verbunden ist;eine Kontaktschicht (28a, 28b), die über dem Substrat (12) und unter der Metallschicht (25) angeordnet ist; undeine Durchkontaktierung (36), die zwischen der Kontaktschicht (28a, 28b) und der Stromschiene (26a, 26b) angeordnet ist, um die Kontaktschicht (28a, 28b) mit der Stromschiene (26a, 26b) elektrisch zu verbinden; undwobei die Kontaktschicht (28a, 28b) einen ersten Bereich (30a, 30b) mit einer ersten Länge, der außerhalb des Diffusionsgebiets (14a, 14b) und unter der Stromschiene (26a, 26b) angeordnet ist, und einen zweiten Bereich (32a, 32b) mit einer zweiten Länge, der sich von dem ersten Bereich (30a, 30b) in das Diffusionsgebiet (14a, 14b) erstreckt und mit dem Transistor (16) elektrisch verbunden ist, aufweist.

公开(公告)号：DE102012215529A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：DE102012215529

申请日：2012-08-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： TARRABBIA MARC ,  GULLETTE JAMES B ,  RASHED MAHBUB ,  DOMAN DAVID S ,  LIN IRENE Y ,  LORENZ INGOLF ,  HO LARRY ,  NGUYEN CHINH ,  KIM JEFF ,  KYE JONGWOOK ,  MA YUANGSHENG ,  DENG YUNFEI ,  AGUR ROD ,  RHEE SEUNG-HYUN ,  STEPHENS JASON E ,  JOHNSON SCOTT ,  KENGRI SUBRAMANI ,  VENKATESAN SURESH

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat mit einem Diffusionsgebiet. Ein Transistor ist innerhalb des Diffusionsgebiets gebildet. Eine Stromschiene ist außerhalb des Diffusionsgebiets angeordnet. Eine Kontaktschicht ist über dem Substrat und unter der Stromschiene angeordnet. Eine Durchkontaktierung ist zwischen der Kontaktschicht und der Stromschiene angeordnet, um die Kontaktschicht mit der Stromschiene elektrisch zu verbinden. Die Kontaktschicht weist eine erste Länge, die außerhalb des Diffusionsgebiets angeordnet ist, und eine zweite Länge, die sich von der ersten Länge in das Diffusionsgebiet erstreckt und mit dem Transistor elektrisch verbunden ist, auf.