公开(公告)号：DE102020201481A8

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：DE102020201481

申请日：2020-02-06

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MULFINGER GEORGE R ,  YU HONG ,  GU MAN ,  PENG JIANWEI ,  AQUILINO MICHAEL

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49

公开(公告)号：DE102019201288A1

公开(公告)日：2019-09-12

申请号：DE102019201288

申请日：2019-02-01

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GU MAN ,  HAN TAO ,  HONG JUNSIC ,  SHU JIEHUI ,  SIRMAN ASLI ,  ADAMS CHARLOTTE ,  LIU JINPING ,  TABAKMAN KEITH

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78

Abstract: Es werden ein Verfahren zum Bilden eines stabilen Low-k-Seitenwandabstandshalters, wobei ein oberer Abschnitt des Abstandshalters einer thermischen Behandlung und Plasma-Behandlung vor nachfolgenden Prozessen unterzogen wird und die sich ergebende Vorrichtung bereitgestellt. Ausführungsformen umfassen ein Bereitstellen eines Paares von Gates, die durch einen tiefen Graben über einem Substrat getrennt sind, eine EPI-Schicht am Boden des tiefen Grabens und eines Low-k-Seitenwandabstandshalters auf jeder gegenüberliegenden Seitenwand des Paares; ein Bilden einer Maskenschicht am Boden des tiefen Grabens, wobei ein oberer Abschnitt der Low-k-Seitenwandabstandshalter freiliegt; und ein Behandeln des oberen Abschnitts der Low-k-Seitenwandabstandshalter mit einer thermischen Behandlung und Plasma-Behandlung.

公开(公告)号：DE102020201481A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102020201481

申请日：2020-02-06

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MULFINGER GEORGE R ,  YU HONG ,  GU MAN ,  PENG JIANWEI ,  AQUILINO MICHAEL

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49

Abstract: Strukturen für einen Feldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors. Eine Gate-Struktur des Feldeffekttransistors wird über einem aktiven Bereich angeordnet, der aus einem Halbleitermaterial gebildet ist. Neben der Gate-Struktur ist ein erster Seitenwandabstandshalter angeordnet. Ein zweiter Seitenwandabstandshalter umfasst einen Abschnitt, der zwischen dem ersten Seitenwandabstandshalter und dem aktiven Gebiet angeordnet ist. Der erste Seitenwandabstandshalter ist aus einem dielektrischen Low-k-Material gebildet.