公开(公告)号：DE102019201288A1

公开(公告)日：2019-09-12

申请号：DE102019201288

申请日：2019-02-01

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GU MAN ,  HAN TAO ,  HONG JUNSIC ,  SHU JIEHUI ,  SIRMAN ASLI ,  ADAMS CHARLOTTE ,  LIU JINPING ,  TABAKMAN KEITH

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78

Abstract: Es werden ein Verfahren zum Bilden eines stabilen Low-k-Seitenwandabstandshalters, wobei ein oberer Abschnitt des Abstandshalters einer thermischen Behandlung und Plasma-Behandlung vor nachfolgenden Prozessen unterzogen wird und die sich ergebende Vorrichtung bereitgestellt. Ausführungsformen umfassen ein Bereitstellen eines Paares von Gates, die durch einen tiefen Graben über einem Substrat getrennt sind, eine EPI-Schicht am Boden des tiefen Grabens und eines Low-k-Seitenwandabstandshalters auf jeder gegenüberliegenden Seitenwand des Paares; ein Bilden einer Maskenschicht am Boden des tiefen Grabens, wobei ein oberer Abschnitt der Low-k-Seitenwandabstandshalter freiliegt; und ein Behandeln des oberen Abschnitts der Low-k-Seitenwandabstandshalter mit einer thermischen Behandlung und Plasma-Behandlung.

公开(公告)号：DE102019204737A1

公开(公告)日：2019-11-07

申请号：DE102019204737

申请日：2019-04-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHU JIEHUI ,  ECONOMIKOS LAERTIS ,  WU XUSHENG ,  ZHANG JOHN ,  HUANG HAIGOU ,  ZHAN HUI ,  HAN TAO ,  WANG HAITING ,  LIU JINPING ,  ZANG HUI

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: In Verbindung mit einem Austausch-Metall-Gate (RMG) -Prozess zur Bildung eines Finnen-Feldeffekttransistors (FinFET) nutzen Gate-Isolationsverfahren und zugehörige Strukturen die Bildung von unterschiedlichen schmalen und breiten Gateschnittbereichen in einem Opfergate. Die Bildung eines schmalen Gateschnitts zwischen eng beabstandeten Finnen kann das Ausmaß des Ätzschadens an dielektrischen Zwischenschichtschichten benachbart zu dem schmalen Gateschnitt verringern, indem die Abscheidung solcher dielektrischen Schichten bis nach der Bildung der schmalen Gateschnittöffnung verzögert wird. Die Verfahren und resultierenden Strukturen verringern auch die Neigung zu Kurzschlüssen zwischen später gebildeten benachbarten Gates.

公开(公告)号：DE102018218457A1

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：DE102018218457

申请日：2018-10-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHU JIEHUI ,  PARK CHANG SEO ,  YAMAGUCHI SHIMPEI ,  HAN TAO ,  YANG YONG MO ,  LIU JINPING ,  YANG HYUCK SOO

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: Ein hierin beschriebenes anschauliches Verfahren umfasst unter anderem ein Bilden einer Opfergatestruktur über einem Halbleitersubstrat, wobei die Opfergatestruktur eine Opfergateisolationsschicht und ein Opfergateelektrodenmaterial umfasst, ein Durchführen eines ersten Gate-Schnitt-Ätzprozesses, um dadurch eine Öffnung in dem Opfergateelektrodenmaterial zu bilden und einen internen Seitenwandabstandshalter in der Öffnung zu bilden. In diesem Beispiel umfasst das Verfahren auch nach dem Bilden des internen Seitenwandabstandshalters ein Durchführen eines zweiten Gate-Schnitt-Ätzprozesses durch die Öffnung, wobei der zweite Gate-Schnitt-Ätzprozess angepasst ist, um das Opfergateelektrodenmaterial zu bilden, wobei ein oxidierender Ausheizprozess durchgeführt wird und ein isolierendes Material wenigstens in der Öffnung gebildet wird.