公开(公告)号：DE102018208451A1

公开(公告)日：2019-08-01

申请号：DE102018208451

申请日：2018-05-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GAO JINSHENG ,  JAEGER DANIEL ,  CHANG CHIH-CHIANG ,  AQUILINO MICHAEL ,  CARPENTER PATRICK ,  HONG JUNSIC ,  RUTKOWSKI MITCHELL ,  HUANG HAIGOU ,  CAO HUY

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere eine Deckstruktur und Verfahren zur Herstellung. Die Struktur umfasst: eine Gate-Struktur, die aus leitendem Gate-Material aufgebaut ist; Seitenwandabstandshalter auf der Gate-Struktur, die sich über das leitende Gate-Material erstrecken; und ein Deckmaterial auf dem leitenden Gate-Material, das sich über die Seitenwandabstandshalter auf der Gate-Struktur erstreckt.

公开(公告)号：DE102019201288A1

公开(公告)日：2019-09-12

申请号：DE102019201288

申请日：2019-02-01

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GU MAN ,  HAN TAO ,  HONG JUNSIC ,  SHU JIEHUI ,  SIRMAN ASLI ,  ADAMS CHARLOTTE ,  LIU JINPING ,  TABAKMAN KEITH

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78

Abstract: Es werden ein Verfahren zum Bilden eines stabilen Low-k-Seitenwandabstandshalters, wobei ein oberer Abschnitt des Abstandshalters einer thermischen Behandlung und Plasma-Behandlung vor nachfolgenden Prozessen unterzogen wird und die sich ergebende Vorrichtung bereitgestellt. Ausführungsformen umfassen ein Bereitstellen eines Paares von Gates, die durch einen tiefen Graben über einem Substrat getrennt sind, eine EPI-Schicht am Boden des tiefen Grabens und eines Low-k-Seitenwandabstandshalters auf jeder gegenüberliegenden Seitenwand des Paares; ein Bilden einer Maskenschicht am Boden des tiefen Grabens, wobei ein oberer Abschnitt der Low-k-Seitenwandabstandshalter freiliegt; und ein Behandeln des oberen Abschnitts der Low-k-Seitenwandabstandshalter mit einer thermischen Behandlung und Plasma-Behandlung.