公开(公告)号：DE102018214400A1

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE102018214400

申请日：2018-08-27

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： XIE RUILONG ,  CHENG KANGGUO ,  LOUBET NICOLAS ,  MIAO XIN ,  MONTANINI PIETRO ,  ZHANG JOHN ,  HUANG HAIGOU ,  PENG JIANWEI ,  GU SIPENG ,  ZHANG HUI ,  QI YI ,  WU XUSHENG

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/20 ,  H01L29/161 ,  H01L29/778

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden von Nanosheet- und Nanodraht-Transistoren umfasst die Bildung von alternierenden epitaktischen Schichten aus Silizium-Germanium (SiGe) und Silizium (Si), wobei der Germaniumgehalt innerhalb entsprechender Schichten aus Silizium-Germanium systematisch variiert wird, um das selektive Ätzen dieser Schichten herbeizuführen. Der Germaniumgehalt kann gesteuert werden, so dass ausgesparte Bereiche, die durch ein teilweises Entfernen der Silizium-Germanium-Schichten erzeugt werden, gleichförmige seitliche Dimensionen aufweisen, und das Hinterfüllen von jedem dieser ausgesparten Bereiche mit einem selektiv ätzbaren Material in der Bildung einer robusten Ätzbarriere resultiert.