公开(公告)号：DE102018203377A1

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：DE102018203377

申请日：2018-03-07

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHANG XUNYUAN ,  XIE RUILONG ,  QI YI

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L29/06

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere Schnittrandstrukturen und Herstellungsverfahren. Das Verfahren umfasst: ein Bilden einer Mehrzahl von strukturierten Hartmaskenstapeln mit wenigstens einem Halbleitermaterial und einer Deckschicht, ein Entfernen eines Abschnitts eines ersten strukturierten Hartmaskenstapels und eines Rands eines benachbarten Hartmaskenstapels der Mehrzahl von strukturierten Hartmaskenstapeln; und ein selektives Wachsen eines Materials auf dem Rand des benachbarten Hartmaskenstapels.

公开(公告)号：DE102018203377B4

公开(公告)日：2019-11-21

申请号：DE102018203377

申请日：2018-03-07

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHANG XUNYUAN ,  XIE RUILONG ,  QI YI

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/06

Abstract: Verfahren, umfassend:ein Bilden einer Mehrzahl von strukturierten Hartmaskenstapeln (22a, 22b, 22c, 22d) mit wenigstens einer Halbleiterschicht (18) und einer Deckschicht (20);ein Entfernen eines Abschnitts eines ersten strukturierten Hartmaskenstapels (22c) und eines Rands eines benachbarten Hartmaskenstapels (22b) der Mehrzahl von strukturierten Hartmaskenstapeln (22a, 22b, 22c, 22d); undein selektives Wachsen eines Materials (32) auf dem Rand des benachbarten Hartmaskenstapels (22b).

公开(公告)号：DE102018214400A1

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE102018214400

申请日：2018-08-27

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： XIE RUILONG ,  CHENG KANGGUO ,  LOUBET NICOLAS ,  MIAO XIN ,  MONTANINI PIETRO ,  ZHANG JOHN ,  HUANG HAIGOU ,  PENG JIANWEI ,  GU SIPENG ,  ZHANG HUI ,  QI YI ,  WU XUSHENG

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/20 ,  H01L29/161 ,  H01L29/778

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden von Nanosheet- und Nanodraht-Transistoren umfasst die Bildung von alternierenden epitaktischen Schichten aus Silizium-Germanium (SiGe) und Silizium (Si), wobei der Germaniumgehalt innerhalb entsprechender Schichten aus Silizium-Germanium systematisch variiert wird, um das selektive Ätzen dieser Schichten herbeizuführen. Der Germaniumgehalt kann gesteuert werden, so dass ausgesparte Bereiche, die durch ein teilweises Entfernen der Silizium-Germanium-Schichten erzeugt werden, gleichförmige seitliche Dimensionen aufweisen, und das Hinterfüllen von jedem dieser ausgesparten Bereiche mit einem selektiv ätzbaren Material in der Bildung einer robusten Ätzbarriere resultiert.