公开(公告)号：DE102019205650A1

公开(公告)日：2019-12-05

申请号：DE102019205650

申请日：2019-04-18

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FROUGIER JULIEN ,  XIE RUILONG ,  LOUBET NICOLAS ,  CHENG KANGGUO ,  LI JUNTAO

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16

Abstract: Strukturen für einen Feldeffekttransistor und Verfahren zum Bilden von Strukturen für einen Feldeffekttransistor. In einem Schichtstapel ist eine Mehrzahl von Kanalschichten angeordnet und ein Source/Drain-Bereich ist mit der Vielzahl von Kanalschichten verbunden. Eine Gatestruktur umfasst eine Mehrzahl von Abschnitten, die jeweils die Mehrzahl von Kanalschichten umgeben. Die Mehrzahl von Kanalschichten umfasst ein zweidimensionales halbleitendes Material.

公开(公告)号：DE102018214400A1

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE102018214400

申请日：2018-08-27

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： XIE RUILONG ,  CHENG KANGGUO ,  LOUBET NICOLAS ,  MIAO XIN ,  MONTANINI PIETRO ,  ZHANG JOHN ,  HUANG HAIGOU ,  PENG JIANWEI ,  GU SIPENG ,  ZHANG HUI ,  QI YI ,  WU XUSHENG

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/20 ,  H01L29/161 ,  H01L29/778

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden von Nanosheet- und Nanodraht-Transistoren umfasst die Bildung von alternierenden epitaktischen Schichten aus Silizium-Germanium (SiGe) und Silizium (Si), wobei der Germaniumgehalt innerhalb entsprechender Schichten aus Silizium-Germanium systematisch variiert wird, um das selektive Ätzen dieser Schichten herbeizuführen. Der Germaniumgehalt kann gesteuert werden, so dass ausgesparte Bereiche, die durch ein teilweises Entfernen der Silizium-Germanium-Schichten erzeugt werden, gleichförmige seitliche Dimensionen aufweisen, und das Hinterfüllen von jedem dieser ausgesparten Bereiche mit einem selektiv ätzbaren Material in der Bildung einer robusten Ätzbarriere resultiert.