公开(公告)号：DE112012003959B4

公开(公告)日：2020-12-24

申请号：DE112012003959

申请日：2012-09-11

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： COONEY EDWARD C ,  GAMBINO JEFFREY P ,  HE ZHONG-XIANG ,  LIU XIAO-HU ,  MCDEVITT THOMAS L ,  MILO GARY L ,  MURPHY WILLIAM J

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: Halbleitereinheit, die aufweist:einen Isolator (102); undeine Vielzahl von vertikal gestapelten Schichten (E1, E2, En) auf dem Isolator (102), wobei jede der vertikal gestapelten Schichten (E1, E2, En) beinhaltet:zumindest einen ersten dielektrischen Isolatorabschnitt;zumindest einen ersten Leiter (104A, 104A') in dem ersten dielektrischen Isolatorabschnitt;zumindest eine erste Nitridabdeckung (106), die den ersten Leiter (104A, 104A') abdeckt;zumindest einen zweiten dielektrischen Isolatorabschnitt;zumindest einen zweiten Leiter (104B, 104B') in dem zweiten dielektrischen Isolatorabschnitt; undeine zweite Nitridabdeckung (106), die den zweiten Leiter (104B, 104B') abdeckt,wobei der erste Leiter (104A, 104A') in den vertikal gestapelten Schichten (E1, E2, En) erste vertikal gestapelte Leiterschichten ausbildet,wobei der zweite Leiter (104B, 104B') in den vertikal gestapelten Schichten zweite vertikal gestapelte Leiterschichten ausbildet,wobei die ersten vertikal gestapelten Leiterschichten (104A, 104A') zu den zweiten vertikal gestapelten Leiterschichten (104B, 104B') benachbart sind, wobei jede der vertikal gestapelten Schichten des Weiteren ein Zwischenstapelmaterial beinhaltet, das zwischen den ersten vertikal gestapelten Leiterschichten und den zweiten vertikal gestapelten Leiterschichten positioniert ist, unddas Zwischenstapelmaterial mehrere Luftspalte (302a) aufweist, wobei zwischen einem ersten und einem zweiten Luftspalt ein dielektrisches Isolationsmaterial vorgesehen ist.

公开(公告)号：DE112010006130B3

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE112010006130

申请日：2010-08-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ANDERSON FELIX P ,  MCDEVITT THOMAS L ,  STAMPER ANTHONY K ,  COSTA JULIO CARLOS ,  HAMMOND JONATHAN HALE

IPC: B81C1/00

Abstract: Verfahren zum Erzeugen einer MEMS-Struktur, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Ausführen eines Nass-Ätzprozesses zum Entfernen von Opfermaterial (32, 36), in dem ein Auslegerbalken (34) der MEMS-Struktur und eine mit einer Lage einer dünnen Opferschicht (44) bedeckte Metallschicht (28) eingebettet sind, wobei die MEMS-Struktur in einer Kuppelstruktur (38) ausgebildet ist, wobei die Lage der dünnen Opferschicht (44) eine zum Auslegerbalken (34) weisende Seite der Metallschicht (28) vollständig bedeckt, wobei der Auslegerbalken (34) durch das Opfermaterial (32, 36) von der Lage der dünnen Opferschicht (44) vollständig beanstandet ist, wobei die Lage der dünnen Opferschicht (44) beim Nass-Ätzprozess intakt bleibt; undnach dem Ausführen des Nass-Ätzprozesses Ausführen eines Trocken-Ätzprozesses zum Entfernen der Lage der dünnen Opferschicht (44) wobei der Nass-Ätzprozess und der Trocken-Ätzprozess durch Öffnungen (40) in der Kuppelstruktur (38) hindurch durchgeführt werden.