公开(公告)号：DE102010063772B4

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：DE102010063772

申请日：2010-12-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  OTT ANDREAS ,  OSTERMAY INA

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/66 ,  H01L21/8234

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Oxidschicht auf freiliegenden Oberflächenbereichen eines aktiven Gebiets auf der Grundlage einer vordefinierten Solldicke der Oxidschicht, wobei das aktive Gebiet vor der Bildung der Oxidschicht darauf ausgebildet eine Gateelektrodenstruktur aufweist, wobei die Oxidschicht gebildet wird durch Ermitteln einer Anfangsdicke eines Oxidmaterials, das auf den freiliegenden Oberflächenbereichen ausgebildet ist, und Steuern eines Oxidationsprozesses unter Anwendung der Anfangsdicke und der vordefinierten Solldicke als Steuerparameter; Ausführen einer Sequenz aus nasschemischen Ätzprozessen derart, dass die Oxidschicht entfernt wird und eine Aussparung in dem aktiven Gebiet erzeugt wird; Bilden eines Halbleitermaterials in der Aussparung; und Bilden von Drain- und Sourcegebieten in dem aktiven Gebiet.

公开(公告)号：DE102011088714B4

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：DE102011088714

申请日：2011-12-15

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  BEERNINK GUNDA ,  OSTERMAY INA

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: Es werden Ausführungsformen von Halbleiterbauelementen und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterbauelemente angegeben. Das Verfahren umfasst das Bilden einer Aussparung in einem Halbleitergebiet lateral benachbart zu einer Gateelektrodenstruktur eines Transistors. Die Gateelektrodenstruktur ist auf einem Kanalgebiet einer ersten Silizium-Germanium-Legierung ausgebildet. Es wird eine verformungsinduzierende Silizium-Germanium-Legierung in der Aussparung hergestellt, die mit der ersten Silizium-Germanium-Legierung in Kontakt ist. Die verformungsinduzierende Silizium-Germanium-Legierung enthält Kohlenstoff und weist eine andere Zusammensetzung auf als die erste Silizium-Germanium-Legierung.

公开(公告)号：DE102011079833A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：DE102011079833

申请日：2011-07-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： OSTERMAY INA ,  KRONHOLZ STEPHAN ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/78

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Halbleiterbauelemente werden verformungsinduzierende Halbleitermaterialien in die aktiven Gebiete auf der Grundlage von Aussparungen eingebaut, die mittels kristallographisch anisotroper Ätzverfahren hergestellt werden. Um die gewünschte Gleichmäßigkeit für den epitaktischen Aufwachsvorgang und der Transistoreigenschaften zu erreichen, wird eine vergrabene Ätzstoppschicht in den aktiven Gebieten vorgesehen. Beispielsweise kann die vergrabene Ätzstoppschicht unter Anwendung eines Implantationsprozesses eingebaut werden.

公开(公告)号：DE102011079833B4

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：DE102011079833

申请日：2011-07-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： OSTERMAY INA ,  KRONHOLZ STEPHAN ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/04

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Halbleiterbauelemente werden verformungsinduzierende Halbleitermaterialien in die aktiven Gebiete auf der Grundlage von Aussparungen eingebaut, die mittels kristallographisch anisotroper Ätzverfahren hergestellt werden. Um die gewünschte Gleichmäßigkeit für den epitaktischen Aufwachsvorgang und der Transistoreigenschaften zu erreichen, wird eine vergrabene Ätzstoppschicht in den aktiven Gebieten vorgesehen. Beispielsweise kann die vergrabene Ätzstoppschicht unter Anwendung eines Implantationsprozesses eingebaut werden.

公开(公告)号：DE102011080438B3

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：DE102011080438

申请日：2011-08-04

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： OSTERMAY INA ,  ILLGEN RALF ,  FLACHOWSKY STEFAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Halbleiterbauelemente mit Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; und n-Kanaltransistoren wird ein besseres Leistungsverhalten erreicht, indem epitaktisch aufgewachsene Halbleitermaterialien eingebaut werden, beispielsweise eine verformungsinduzierende Silizium/Kohlenstofflegierung in Verbindung mit einem n-dotierten Siliziummaterial, so dass ein akzeptabler Schichtwiderstand erreicht wird.

公开(公告)号：DE102010063772A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：DE102010063772

申请日：2010-12-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  OTT ANDREAS ,  OSTERMAY INA

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Transistoren, die eine eingebettete Halbleiterlegierung erfordern, werden die Aussparungen mit erhöhter Gleichmäßigkeit auf der Grundlage beispielsweise kristallographisch anisotroper Ätzschritte hergestellt, indem eine gleichmäßige Oxidschicht geschaffen wird, um damit prozessabhängige Schwankungen oder Wartezeitschwankungen auszugleichen. Die gleichmäßige Oxidschicht kann auf der Grundlage eines APC-Steuerungsschemas hergestellt werden.

公开(公告)号：DE102010064280B4

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：DE102010064280

申请日：2010-12-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN-DETLEF ,  OSTERMAY INA ,  BOSCHKE ROMAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren mit: Bilden eines kristallinen silizium/germaniumenthaltenden Materials auf einem Siliziummaterial eines aktiven Gebiets eines p-Kanaltransistors derart, dass das kristalline silizium/germaniumenthaltende Material in der Dickenrichtung eine graduelle Germaniumkonzentration besitzt; Bilden einer Gateelektrodenstruktur auf dem kristallinen silizium/germaniumenthaltenden Material, wobei die Gateelektrodenstruktur ein Gatedielektrikumsmaterial aufweist, das ein Elektrodenmaterial der Gateelektrodenstruktur von einem Kanalgebiet in dem kristallinen silizium/germaniumenthaltenden Material trennt, und wobei ein metallenthaltendes Material auf dem Gatedielektrikumsmaterial gebildet wird; und Bilden von Drain- und Sourcegebieten des p-Kanaltransistors in dem aktiven Gebiet.

公开(公告)号：DE102010064280A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：DE102010064280

申请日：2010-12-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN-DETLEF ,  OSTERMAY INA ,  BOSCHKE ROMAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Gateelektrodenstrukturen in einer frühen Fertigungsphase werden die Schwellwertspannungseigenschaften auf der Grundlage einer Halbleiterlegierung eingestellt, die auf Basis von CVD-Techniken bei geringem Druck hergestellt wird. Um eine gewünschte hohe Bandlückenverschiebung zu erreichen, etwa in Bezug auf eine Silizium/Germaniumlegierung, wird eine moderat hohe Germaniumkonzentration in der Halbleiterlegierung vorgesehen, wobei jedoch an einer Grenzfläche, die mit dem Halbleiterbasismaterial gebildet ist, eine geringe Germaniumkonzentration wesentlich die Wahrscheinlichkeit des Erzeugens von Dislokationsdefekten verringert.

公开(公告)号：DE102011088714A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：DE102011088714

申请日：2011-12-15

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  BEERNINK GUNDA ,  OSTERMAY INA

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: Es werden Ausführungsformen von Halbleiterbauelementen und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterbauelemente angegeben. Das Verfahren umfasst das Bilden einer Aussparung in einem Halbleitergebiet lateral benachbart zu einer Gateelektrodenstruktur eines Transistors, Die Gateelektrodenstruktur ist auf einem Kanalgebiet einer ersten Silizium-Germanium-Legierung ausgebildet. Es wird eine verformungsinduzierende Silizium-Germanium-Legierung in der Aussparung hergestellt, die mit der ersten Silizium-Germanium-Legierung in Kontakt ist. Die verformungsinduzierende Silizium-Germanium-Legierung enthält Kohlenstoff und weist eine andere Zusammensetzung auf als die erste Silizium-Germanium-Legierung.