公开(公告)号：DE102019203596A1

公开(公告)日：2019-10-17

申请号：DE102019203596

申请日：2019-03-18

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： TANG MINGHAO ,  REN YUPING ,  LIN SEAN XUAN ,  LAW SHAO BENG ,  BEIQUE GENEVIEVE ,  XIANG XUN ,  CHEN RUI

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/8234

Abstract: Verfahren der selbstausgerichteten Mehrfachstrukturierung. Eine Dornlinie wird über einer Hartmaskenschicht gebildet und eine Blockmaske wird über einem ersten Abschnitt der Dornlinie gebildet, der linear zwischen jeweiligen zweiten Abschnitten der Dornlinie angeordnet ist. Nach dem Bilden der ersten Blockmaske werden die zweiten Abschnitte der Dornlinie mit einem Ätzprozess entfernt, um die Dornlinie zu schneiden und entsprechende Abschnitte der Hartmaskenschicht freizulegen. Ein zweiter Abschnitt der Dornlinie ist während des Ätzprozesses von der Blockmaske bedeckt, um einen Dorn zu definieren, der in die Dornlinie geschnitten wird.

公开(公告)号：DE102018221458A1

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102018221458

申请日：2018-12-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHAO WEI ,  TANG MING HAO ,  WANG HAITING ,  CHEN RUI ,  REN YUPING ,  ZANG HUI ,  BEASOR SCOTT H ,  XIE RUILONG

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden von Isolationssäulen für eine Gatestruktur, wobei das Verfahren umfasst: ein Bereitstellen einer vorläufigen Struktur mit einem Substrat mit einer Mehrzahl von Finnen darauf, einem STI, das zwischen benachbarten Finnen gebildet ist, wobei sich eine oberen Oberfläche der STIs höher erstreckt als eine obere Oberfläche der Finnen, und eine Hartmaske über der oberen Oberfläche der Finnen und zwischen benachbarten STIs, ein Bilden eines ersten Grabens in einem ersten ausgewählten STI und zwischen benachbarten Finnen in einem Gatebereich und ein Bilden eines zweiten Grabens in einem zweiten ausgewählten STI und zwischen benachbarten Finnen in einem TS-Bereich; und ein Füllen der ersten und zweiten Gräben mit einer Isolationsfüllung, wodurch eine erste Isolationssäule in dem Gatebereich und eine zweite Isolationssäule in dem TS-Bereich gebildet wird, wobei sich die ersten und zweiten Isolationssäulen unter die obere Oberfläche der STIs erstrecken.