公开(公告)号：DE102019214644A1

公开(公告)日：2020-04-30

申请号：DE102019214644

申请日：2019-09-25

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZANG HUI ,  WANG HAITING ,  TAN CHUNG FOONG ,  XU GUOWEI ,  XIE RUILONG ,  BEASOR SCOTT H ,  JIANG LIU

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: FinFET-Struktur mit reduzierter effektiver Kapazität und umfassend ein Substrat mit mindestens zwei Finnen darauf, die seitlich voneinander beabstandet sind, ein Metall-Gate über den Finnenoberseiten der Finnen und zwischen Seitenwänden der oberen Abschnitte der Finnen, Source/Drain-Bereiche in jeder Finne auf gegenüberliegenden Seiten des Metall-Gates und einen dielektrischen Streifen innerhalb des Metall-Gates, der zwischen den Seitenwänden der oberen Abschnitte der Finnen angeordnet ist, wobei der dielektrische Streifen seitlich von den Seitenwänden der oberen Abschnitte der Finnen innerhalb des Metall-Gates beabstandet ist.

公开(公告)号：DE102018221458A1

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102018221458

申请日：2018-12-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHAO WEI ,  TANG MING HAO ,  WANG HAITING ,  CHEN RUI ,  REN YUPING ,  ZANG HUI ,  BEASOR SCOTT H ,  XIE RUILONG

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden von Isolationssäulen für eine Gatestruktur, wobei das Verfahren umfasst: ein Bereitstellen einer vorläufigen Struktur mit einem Substrat mit einer Mehrzahl von Finnen darauf, einem STI, das zwischen benachbarten Finnen gebildet ist, wobei sich eine oberen Oberfläche der STIs höher erstreckt als eine obere Oberfläche der Finnen, und eine Hartmaske über der oberen Oberfläche der Finnen und zwischen benachbarten STIs, ein Bilden eines ersten Grabens in einem ersten ausgewählten STI und zwischen benachbarten Finnen in einem Gatebereich und ein Bilden eines zweiten Grabens in einem zweiten ausgewählten STI und zwischen benachbarten Finnen in einem TS-Bereich; und ein Füllen der ersten und zweiten Gräben mit einer Isolationsfüllung, wodurch eine erste Isolationssäule in dem Gatebereich und eine zweite Isolationssäule in dem TS-Bereich gebildet wird, wobei sich die ersten und zweiten Isolationssäulen unter die obere Oberfläche der STIs erstrecken.