公开(公告)号：WO2012128843A3

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：PCT/US2012023065

申请日：2012-01-30

Applicant: IBM ,  YIN YUNGPENG ,  ARNOLD JOHN C ,  COLBURN MATTHEW E ,  BURNS SEAN D

Inventor： YIN YUNGPENG ,  ARNOLD JOHN C ,  COLBURN MATTHEW E ,  BURNS SEAN D

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: An improved method of performing sidewall spacer image transfer is presented. The method includes forming a set of sidewall spacers (109a) next to a plurality of mandrels (106a), the set of sidewall spacers being directly on top of a hard-mask layer (105); transferring image of at least a portion of the set of sidewall spacers to the hard- mask layer to form a device pattern (105a); and transferring the device pattern from the hard- mask layer to a substrate (101) underneath the hard-mask layer.

Abstract translation: 提出了一种执行侧壁间隔图像转移的改进方法。 该方法包括在多个心轴（106a）旁边形成一组侧壁间隔物（109a），该组侧壁间隔物直接位于硬掩模层（105）的顶部上。 将所述一组侧壁间隔物的至少一部分图像转印到所述硬掩模层以形成器件图案（105a）; 以及将所述装置图案从所述硬掩模层转移到所述硬掩模层下方的基板（101）。

公开(公告)号：DE112012000932B4

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：DE112012000932

申请日：2012-01-30

Applicant: IBM

Inventor： YIN YUNGPENG ,  ARNOLD JOHN C ,  COLBURN MATTHEW E ,  BURNS SEAN D

IPC: H01L21/027

Abstract: Verfahren, aufweisend:Bilden einer Gruppe von Seitenwand-Abstandhaltern (109a) neben mehreren Dornen (106a), wobei sich die Gruppe von Seitenwand-Abstandhaltern direkt auf einer Hartmaskenschicht (105) befindet;Übertragen eines Bildes zumindest eines Abschnitts der Gruppe von Seitenwand-Abstandhaltern auf die Hartmaskenschicht, um eine Einheitsstruktur (105a) zu bilden;Übertragen der Einheitsstruktur von der Hartmaskenschicht auf ein Substrat (101) unterhalb der Hartmaskenschicht; undBilden einer Photoresist-Sperrmaske (112a), wobei die Photoresist-Sperrmaske nur den zumindest einen Abschnitt der Gruppe von Seitenwand-Abstandhaltern frei lässt und den Rest der Gruppe von Seitenwand-Abstandhaltern bedeckt,wobei die Hartmaskenschicht eine zweite Hartmaskenschicht ist und wobei das Übertragen der Einheitsstruktur von der Hartmaskenschicht auf das Substrat ferner das Übertragen der Einheitsstruktur auf eine erste Hartmaskenschicht (103) umfasst, wobei sich die erste Hartmaskenschicht unterhalb der zweiten Hartmaskenschicht befindet und durch eine Planarisierungsschicht (104) von dieser getrennt ist.

公开(公告)号：GB2511456B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：GB201410024

申请日：2012-12-20

Applicant: IBM

Inventor： BURNS SEAN D ,  HOLMES STEVEN J ,  HORAK DAVID V ,  SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM ,  YIN YUNPENG ,  ARNOLD JOHN C

IPC: H01L21/033 ,  G03F7/00 ,  H01L21/768

公开(公告)号：CA2843399C

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CA2843399

申请日：2012-01-30

Applicant: IBM

Inventor： YIN YUNPENG ,  ARNOLD JOHN C ,  COLBURN MATTHEW E ,  BURNS SEAN D

IPC: H01L21/027

Abstract: An improved method of performing sidewall spacer image transfer is presented. The method includes forming a set of sidewall spacers (109a) next to a plurality of mandrels (106a), the set of sidewall spacers being directly on top of a hard-mask layer (105); transferring image of at least a portion of the set of sidewall spacers to the hard- mask layer to form a device pattern (105a); and transferring the device pattern from the hard- mask layer to a substrate (101) underneath the hard-mask layer.

公开(公告)号：GB2511456A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：GB201410024

申请日：2012-12-20

Applicant: IBM

Inventor： BURNS SEAN D ,  HOLMES STEVEN J ,  HORAK DAVID V ,  SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM ,  YIN YUNPENG ,  ARNOLD JOHN C

IPC: H01L21/033 ,  G03F7/00 ,  H01L21/768

Abstract: A first metallic hard mask layer over an interconnect-level dielectric layer is patterned with a line pattern. At least one dielectric material layer, a second metallic hard mask layer, a first organic planarization layer (OPL), and a first photoresist are applied above the first metallic hard mask layer. A first via pattern is transferred from the first photoresist layer into the second metallic hard mask layer. A second OPL and a second photoresist are applied and patterned with a second via pattern, which is transferred into the second metallic hard mask layer. A first composite pattern of the first and second via patterns is transferred into the at least one dielectric material layer. A second composite pattern that limits the first composite pattern with the areas of the openings in the first metallic hard mask layer is transferred into the interconnect-level dielectric layer.

公开(公告)号：DE112012000932T5

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：DE112012000932

申请日：2012-01-30

Applicant: IBM

Inventor： YIN YUNGPENG ,  ARNOLD JOHN C ,  COLBURN MATTHEW E ,  BURNS SEAN D

IPC: H01L21/027

Abstract: Es wird ein verbessertes Verfahren zur Durchführung einer Seitenwand-Abstandhalter-Bildübertragung bereitgestellt. Das Verfahren umfasst das Bilden einer Gruppe von Seitenwand-Abstandhaltern (109a) neben mehreren Dornen (106a), wobei sich die Gruppe von Seitenwand-Abstandhaltern direkt auf einer Hartmaskenschicht (105) befindet; das Übertragen eines Bildes zumindest eines Abschnitts der Gruppe von Seitenwand-Abstandhaltern auf die Hartmaskenschicht, um eine Einheitsstruktur (105a) zu bilden; und das Übertragen der Einheitsstruktur von der Hartmaskenschicht auf ein Substrat (101) unterhalb der Hartmaskenschicht.

公开(公告)号：DE112012005734T5

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：DE112012005734

申请日：2012-12-20

Applicant: IBM

Inventor： ARNOLD JOHN C ,  BURNS SEAN D ,  HOLMES STEVEN J ,  HORAK DAVID V ,  SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM ,  YIN YUNPENG

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20

Abstract: Eine erste metallische Hartmaskenschicht über einer dielektrischen Zwischenverbindungsebenen-Schicht wird mit einem Leitungsmuster strukturiert. Oberhalb der ersten metallischen Hartmaskenschicht wird wenigstens eine Schicht aus einem dielektrischen Material, eine zweite metallische Hartmaskenschicht, eine erste organische Planarisierungsschicht (OPL) sowie ein erstes Photoresist angebracht. Ein erstes Durchkontakt-Muster wird von der ersten Photoresistschicht in die zweite metallische Hartmaskenschicht hinein transferiert. Eine zweite OPL und ein zweites Photoresist werden angebracht und mit einem zweiten Durchkontakt-Muster strukturiert, das in die zweite metallische Hartmaskenschicht hinein transferiert wird. Ein erstes Kombinationsmuster aus dem ersten und dem zweiten Durchkontaktmuster wird in die wenigstens eine Schicht aus einem dielektrischen Material transferiert. Ein zweites Kombinationsmuster, welches das erste Kombinationsmuster mit den Gebieten der Öffnungen in der ersten metallischen Hartmaskenschicht begrenzt, wird in die dielektrische Zwischenverbindungsebenen-Schicht hinein transferiert.

公开(公告)号：CA2843399A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：CA2843399

申请日：2012-01-30

Applicant: IBM

Inventor： YIN YUNGPENG ,  ARNOLD JOHN C ,  COLBURN MATTHEW E ,  BURNS SEAN D

IPC: H01L21/027

Abstract: An improved method of performing sidewall spacer image transfer is presented. The method includes forming a set of sidewall spacers (109a) next to a plurality of mandrels (106a), the set of sidewall spacers being directly on top of a hard-mask layer (105); transferring image of at least a portion of the set of sidewall spacers to the hard- mask layer to form a device pattern (105a); and transferring the device pattern from the hard- mask layer to a substrate (101) underneath the hard-mask layer.