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    Lithographieprozess mit doppelter Hartmaske
    1.
    发明专利
    Lithographieprozess mit doppelter Hartmaske 未知

    公开(公告)号：DE112012005734T5

    公开(公告)日：2014-11-13

    申请号：DE112012005734

    申请日：2012-12-20

    Applicant: IBM

    Inventor： ARNOLD JOHN C ,  BURNS SEAN D ,  HOLMES STEVEN J ,  HORAK DAVID V ,  SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM ,  YIN YUNPENG

    IPC: H01L21/027 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20

    Abstract: Eine erste metallische Hartmaskenschicht über einer dielektrischen Zwischenverbindungsebenen-Schicht wird mit einem Leitungsmuster strukturiert. Oberhalb der ersten metallischen Hartmaskenschicht wird wenigstens eine Schicht aus einem dielektrischen Material, eine zweite metallische Hartmaskenschicht, eine erste organische Planarisierungsschicht (OPL) sowie ein erstes Photoresist angebracht. Ein erstes Durchkontakt-Muster wird von der ersten Photoresistschicht in die zweite metallische Hartmaskenschicht hinein transferiert. Eine zweite OPL und ein zweites Photoresist werden angebracht und mit einem zweiten Durchkontakt-Muster strukturiert, das in die zweite metallische Hartmaskenschicht hinein transferiert wird. Ein erstes Kombinationsmuster aus dem ersten und dem zweiten Durchkontaktmuster wird in die wenigstens eine Schicht aus einem dielektrischen Material transferiert. Ein zweites Kombinationsmuster, welches das erste Kombinationsmuster mit den Gebieten der Öffnungen in der ersten metallischen Hartmaskenschicht begrenzt, wird in die dielektrische Zwischenverbindungsebenen-Schicht hinein transferiert.

    IMPROVED SIDEWALL IMAGE TRANSFER PROCESS
    3.
    发明专利
    IMPROVED SIDEWALL IMAGE TRANSFER PROCESS 未知

    公开(公告)号：CA2843399C

    公开(公告)日：2019-12-10

    申请号：CA2843399

    申请日：2012-01-30

    Applicant: IBM

    Inventor： YIN YUNPENG ,  ARNOLD JOHN C ,  COLBURN MATTHEW E ,  BURNS SEAN D

    IPC: H01L21/027

    Abstract: An improved method of performing sidewall spacer image transfer is presented. The method includes forming a set of sidewall spacers (109a) next to a plurality of mandrels (106a), the set of sidewall spacers being directly on top of a hard-mask layer (105); transferring image of at least a portion of the set of sidewall spacers to the hard- mask layer to form a device pattern (105a); and transferring the device pattern from the hard- mask layer to a substrate (101) underneath the hard-mask layer.

    Dual hard mask lithography process
    4.
    发明专利
    Dual hard mask lithography process 未知

    公开(公告)号：GB2511456A

    公开(公告)日：2014-09-03

    申请号：GB201410024

    申请日：2012-12-20

    Applicant: IBM

    Inventor： BURNS SEAN D ,  HOLMES STEVEN J ,  HORAK DAVID V ,  SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM ,  YIN YUNPENG ,  ARNOLD JOHN C

    IPC: H01L21/033 ,  G03F7/00 ,  H01L21/768

    Abstract: A first metallic hard mask layer over an interconnect-level dielectric layer is patterned with a line pattern. At least one dielectric material layer, a second metallic hard mask layer, a first organic planarization layer (OPL), and a first photoresist are applied above the first metallic hard mask layer. A first via pattern is transferred from the first photoresist layer into the second metallic hard mask layer. A second OPL and a second photoresist are applied and patterned with a second via pattern, which is transferred into the second metallic hard mask layer. A first composite pattern of the first and second via patterns is transferred into the at least one dielectric material layer. A second composite pattern that limits the first composite pattern with the areas of the openings in the first metallic hard mask layer is transferred into the interconnect-level dielectric layer.

    Fin density control of multigate devices through sidewall image transfer processes
    5.
    发明专利
    Fin density control of multigate devices through sidewall image transfer processes 未知

    公开(公告)号：GB2521719A

    公开(公告)日：2015-07-01

    申请号：GB201418162

    申请日：2014-10-14

    Applicant: IBM

    Inventor： YIN YUNPENG ,  TSENG CHIAHSUN ,  HE HONG ,  YEH CHUN-CHEN

    IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/108

    Abstract: There is disclosed a structure with a plurality of sidewalls formed in or on a plurality of mandrels over a semiconductor substrate 102 such that each of the mandrels includes a first sidewall composed of a first material 504 and a second sidewall composed of a second material 502 that is different from the first material. The two sidewalls can be deposited using an angled ion implantation. The first sidewall of a first mandrel of the plurality of mandrels is selectively removed. In addition, a pattern composed of remaining sidewalls of the plurality of sidewalls is transferred onto an underlying layer to form a hard mask in the underlying layer using a sidewall image transfer method. Further, the fins are formed by employing the hard mask and etching semiconducting material in the substrate.

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