公开(公告)号：JP2007273988A

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：JP2007086288

申请日：2007-03-29

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： WONG KEITH KWONG HON ,  ARNOLD JOHN CHRISTOPHER ,  GAIDIS MICHAEL CHRISTOPHER ,  RADENS CARL JOHN ,  YANG CHIH-CHAO ,  HSU LOUIS LU-CHEN ,  DALTON TIMOTHY JOSEPH ,  CLEVENGER LAWRENCE A

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1675 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a phase change memory element connected to the edge part of a thin film electrode, and to provide a method of manufacturing the same.
SOLUTION: A phase change memory (PCM) cell structure includes a first electrode 60E, a phase change element 70E, and a second electrode 80E, wherein the phase change element 70E is inserted between the first electrode 60E and the second electrode 80E, and only an edge part 75 of the first electrode 60E is contacted with the phase change element 70E, thereby reducing a contact area between the phase change element 70E and the first electrode 60E to increase a current density flowing through the phase change element 70E and effectively cause a phase change by a first programming power by a comparatively small current.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供连接到薄膜电极的边缘部分的相变存储元件，并提供其制造方法。 解决方案：相变存储器（PCM）单元结构包括第一电极60E，相变元件70E和第二电极80E，其中相变元件70E插入在第一电极60E和第二电极80E之间 并且只有第一电极60E的边缘部分75与相变元件70E接触，从而减小相变元件70E和第一电极60E之间的接触面积，以增加流过相变元件70E的电流密度和 通过相对小的电流有效地引起第一编程功率的相位变化。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：DE112022005536B4

公开(公告)日：2025-03-06

申请号：DE112022005536

申请日：2022-11-22

Applicant: IBM

Inventor： XIE RUILONG ,  CHOI KISIK ,  GHOSH SOMNATH ,  MUKESH SAGARIKA ,  CHU ALBERT ,  YOUNG ALBERT ,  PRANATHARTHIHARAN BALASUBRAMANIAN ,  BU HUIMING ,  ZHAO KAI ,  ARNOLD JOHN CHRISTOPHER ,  ANDERSON BRENT ,  GUO DECHAO

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H10D84/83 ,  H10D84/85

Abstract: Einheit (400), aufweisend:eine erste Verbindungsstruktur (470);eine zweite Verbindungsstruktur (490);eine erste Zelle (C1), welche einen ersten Transistor (420-2; 420-3) aufweist;eine zweite Zelle (C2; C3), welche einen zweiten Transistor (420-1; 420-4) aufweist, wobei der erste und der zweite Transistor (420-2, 420-1; 420-3, 420-4) ein Gabelblatt-Feldeffekttransistor-Paar mit einer dielektrischen Wand (417) umfassen, die zwischen dem ersten und dem zweiten Transistor angeordnet ist, wobei eine Breite der dielektrischen Wand einen Abstand von Zelle zu Zelle zwischen der ersten und der zweiten Zelle definiert;einen ersten Kontakt (460; 461), welcher ein Source/Drain-Element (422; 424) des ersten Transistors mit der ersten Verbindungsstruktur verbindet; undeinen zweiten Kontakt (481; 482), welcher ein Source/Drain-Element (422; 424) des zweiten Transistors mit der zweiten Verbindungsstruktur verbindet;wobei die erste Zelle in Nachbarschaft zu der zweiten Zelle angeordnet ist, wobei der erste Transistor in Nachbarschaft zu dem zweiten Transistor angeordnet ist; undwobei die erste und die zweite Zelle zwischen der ersten und der zweiten Verbindungsstruktur angeordnet sind.