公开(公告)号：JP2002246594A

公开(公告)日：2002-08-30

申请号：JP2001388832

申请日：2001-12-21

Applicant: IBM

Inventor： BOJARCZUK NESTOR A JR ,  CARTIER EDUARD ,  GUHA SUPRATIK ,  RAGNARSSON LARS-AKE

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L29/51

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and structure for using a thin gate dielectric substance in a semiconductor device, such as a field effect transistor, etc. SOLUTION: The structure (for example, a field effect transistor) and a method for manufacturing the structure are provided with a substrate having a source region, a drain region, and a channel region provided between the source and drain regions, an insulating layer arranged on the channel region, and a gate electrode arranged on the insulating layer. The insulating layer includes an aluminum nitride-containing layer arranged on the channel region.

公开(公告)号：DE112020003567T5

公开(公告)日：2022-04-21

申请号：DE112020003567

申请日：2020-07-20

Applicant: IBM

Inventor： JAMISON PAUL ,  ANDO TAKASHI ,  MASSEY JOHN ,  CARTIER EDUARD

IPC: H01L27/08

Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zielen auf einen BEOL-kompatiblen chipintegrierten Metall-Isolator-Metall-Entkopplungskondensator (MIMCAP) ab. Dieser BEOL-kompatible Prozess weist vor der Erzeugung der oberen Elektrode eine Wärmebehandlung zum Induzieren eines Amorph-Zu-Kubisch-Phasenüberganges in der Isolierschicht des MIM-Stapels auf. Bei einer nicht einschränkenden Ausführungsform der Erfindung wird eine untere Elektrodenschicht erzeugt, und eine Isolatorschicht wird auf einer Oberfläche der unteren Elektrodenschicht erzeugt. Die Isolatorschicht kann ein amorphes dielektrisches Material aufweisen. Die Isolatorschicht wird derart wärmebehandelt, dass das amorphe dielektrische Material einen Übergang in die kubische Phase durchläuft, wodurch ein dielektrisches Material in der kubischen Phase erzeugt wird. Eine obere Elektrodenschicht wird auf einer Oberfläche des dielektrischen Materials der Isolatorschicht in der kubischen Phase erzeugt.