Verfahren zur Herstellung einer flexiblen Photovoltaik-Dünnschichtzelle mit einer Eisendiffusionsbarriereschicht

    公开(公告)号:DE102012216026A1

    公开(公告)日:2013-03-28

    申请号:DE102012216026

    申请日:2012-09-11

    Applicant: IBM

    Abstract: Verfahren zur Herstellung einer flexiblen Photovoltaik-Dünnschichtzelle mit einer Eisendiffusionsbarriereschicht. Das Verfahren umfasst das Folgende: Bereitstellen eines Foliensubstrats, welches Eisen umfasst; Bilden einer Eisendiffusionsbarriereschicht auf dem Foliensubstrat, wobei die Eisendiffusionsbarriereschicht verhindert, dass das Eisen diffundiert; Bilden einer Elektrodenschicht auf der Eisendiffusionsbarriereschicht; und Bilden mindestens einer Lichtabsorptionsschicht auf der Elektrodenschicht. Es wird auch eine flexible Photovoltaik-Dünnschichtzelle bereitgestellt, welche das Folgende umfasst: ein Foliensubstrat, welches Eisen umfasst; eine Eisendiffusionsbarriereschicht, welche auf dem Foliensubstrat ausgebildet ist, um zu verhindern, dass das Eisen diffundiert; eine Elektrodenschicht, welche auf der Eisendiffusionsbarriereschicht ausgebildet ist; und mindestens eine Lichtabsorptionsschicht, welche auf der Elektrodenschicht ausgebildet ist.

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