公开(公告)号：GB2521517A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：GB201418871

申请日：2014-10-23

Applicant: IBM

Inventor： BAYRAM CAN ,  SADANA DEVENDRA ,  BEDELL STEPHEN ,  OTT JOHN ,  FOGEL KEITH

IPC: H01L31/18

Abstract: A spall releasing plane 15 is formed in the middle of and embedded within a Group III nitride material layer 14. The spall releasing plane includes a material that has a different strain, a different structure and a different composition compared with the Group III nitride material portions and can be formed by adding impurities during the vapour deposition process. Device layer 16, stressor layer 22 and handle 24 are deposited onto the upper surface of the material layer. An edge exclusion layer 18 and adhesion layer 20 can be added above the device layer to aide in the spalling process. This method overcomes the issue of having a lattice mismatch when using Group III nitride materials, e.g. GaN, AlN, InGaN.

公开(公告)号：DE112019002427T5

公开(公告)日：2021-02-11

申请号：DE112019002427

申请日：2019-06-18

Applicant: IBM

Inventor： DE SOUZA JOEL PEREIRA ,  COLLINS JOHN ,  SADANA DEVENDRA ,  BEDELL STEPHEN ,  OTT JOHN ,  HOPSTAKEN MARINUS JOHANNES PETRUS

IPC: H01M10/052 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M10/056

Abstract: Es werden wiederaufladbare Lithium-Ionen-Batterien bereitgestellt, welche eine hohe Kapazität aufweisen. Die Lithium-Ionen-Batterien enthalten eine Anodenstruktur, die von einheitlicher Konstruktion ist und eine nicht-poröse Zone und eine poröse Zone aufweist, welche eine obere poröse Schicht (Poröse Zone 1) mit einer ersten Dicke und einer ersten Porosität und eine untere poröse Schicht (Poröse Zone 2) umfasst, die unterhalb der oberen porösen Schicht angeordnet ist und eine Grenzfläche mit der nicht-porösen Zone bildet. Zumindest ein oberer Abschnitt der nicht-porösen Zone und die Gesamtheit der porösen Zone sind aus Silicium aufgebaut und die untere poröse Schicht weist eine zweite Dicke auf, die größer als die erste Dicke ist, und weist eine zweite Porosität auf, die größer als die erste Porosität ist.

公开(公告)号：AT464654T

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：AT01972244

申请日：2001-09-27

Applicant: IBM

Inventor： CANAPERI DONALD ,  CHU JACK ,  D EMIC CHRISTOPHER ,  HUANG LIJUAN ,  OTT JOHN ,  WONG HON-SUM

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/76 ,  H01L27/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

Abstract: A method for forming strained Si or SiGe on relaxed SiGe on insulator (SGOI) is described incorporating growing epitaxial Si1-yGey layers on a semiconductor substrate, implanting hydrogen into a selected Si1-yGey layer to form a hydrogen-rich defective layer, smoothing surfaces by Chemo-Mechanical Polishing, bonding two substrates together via thermal treatments and separating two substrates at the hydrogen-rich defective layer. The separated substrates may have its upper surface smoothed by CMP for epitaxial deposition of relaxed Si1-yGey, and strained Si1-yGey depending upon composition, strained Si, strained SiC, strained Ge, strained GeC, and strained Si1-yGeyC.

公开(公告)号：DE112019002427B4

公开(公告)日：2025-02-06

申请号：DE112019002427

申请日：2019-06-18

Applicant: IBM

Inventor： DE SOUZA JOEL PEREIRA ,  COLLINS JOHN ,  SADANA DEVENDRA ,  BEDELL STEPHEN ,  OTT JOHN ,  HOPSTAKEN MARINUS JOHANNES PETRUS

IPC: H01M10/052 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/38 ,  H01M10/056

Abstract: Batterie, aufweisend:eine Lithium enthaltende Kathodenmaterialschicht;eine Anodenstruktur von einheitlicher Konstruktion, und welche eine nicht-poröse Zone und eine poröse Zone umfasst, die eine obere poröse Schicht mit einer ersten Dicke und einer ersten Porosität und eine untere poröse Schicht aufweist, die unterhalb der oberen porösen Schicht angeordnet ist und eine Grenzfläche mit der nicht-porösen Zone bildet, wobei zumindest ein oberer Abschnitt der nicht-porösen Zone und die Gesamtheit der porösen Zone aus Silicium aufgebaut sind und wobei die untere poröse Schicht eine zweite Dicke aufweist, die größer als die erste Dicke ist, und eine zweite Porosität aufweist, die größer als die erste Porosität ist; undeine Elektrolytzone, welche zwischen der oberen porösen Schicht der Anodenstruktur und der Lithium enthaltenden Kathodenmaterialschicht angeordnet ist.

公开(公告)号：GB2521517B

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：GB201418871

申请日：2014-10-23

Applicant: IBM

Inventor： BAYRAM CAN ,  SADANA DEVENDRA ,  BEDELL STEPHEN ,  OTT JOHN ,  FOGEL KEITH

IPC: H01L31/18

Abstract: A spall releasing plane is formed embedded within a Group III nitride material layer. The spall releasing plane includes a material that has a different strain, a different structure and a different composition compared with the Group III nitride material portions that provide the Group III nitride material layer and embed the spall releasing plane. The spall releasing plane provides a weakened material plane region within the Group III nitride material layer which during a subsequently performed spalling process can be used to release one of the portions of Group III nitride material from the original Group III nitride material layer. In particular, during the spalling process crack initiation and propagation occurs within the spall releasing plane embedded within the original Group III nitride material layer.