公开(公告)号：WO2014171984A3

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：PCT/US2014012624

申请日：2014-01-23

Applicant: IBM ,  SHINETSU CHEMICAL CO

Inventor： GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG ,  PEREZ JAVIER ,  SOORIYAKUMARAN RATNAM ,  KINSHO TAKESHI ,  OGIHARA TSUTOMU ,  TACHIBANA SEIICHIRO ,  UEDA TAKAFUMI

IPC: G03F7/11 ,  C09D5/00 ,  C09D183/00 ,  G03F7/075

CPC classification number: G03F7/0757 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/091 ,  G03F7/325

Abstract: Embodiments include a silicon-containing antireflective material including a silicon- containing base polymer, a non-polymeric silsesquioxane material, and a photoacid generator. The silicon-containing base polymer may contain chromophore moieties, transparent moieties, and reactive sites on an SiOx background, where x ranges from approximately 1 to approximately 2. Exemplary non-polymeric silsesquioxane materials include polyhedral oligomeric silsesquioxanes having acid labile side groups linked to hydrophilic groups Exemplary acid labile side groups may include tertiary alkyl carbonates, tertiary alkyl esters, tertiary alkyl ethers, acetals and ketals, Exemplary hydrophilic groups may include phenols, alcohols, carboxylic acids, amides, and sulfonamides. Embodiments further include lithographic structures including an organic anti-reflective layer, the above-described silicon-containing anti-reflective layer above the organic anti-reflective layer, and a photoresist layer above the above-described silicon-containing anti-reflective layer. Embodiments further include a method of forming a lithographic structure utilizing the above-described silicon-containing anti- reflective layer.

Abstract translation: 实施方案包括含硅的抗反射材料，其包含含硅基聚合物，非聚合倍半硅氧烷材料和光酸产生剂。 含硅基聚合物可以在SiOx背景上含有发色团部分，透明部分和反应性位点，其中x为约1至约2.示例性非聚合倍半硅氧烷材料包括具有与亲水性连接的酸不稳定侧基的多面体低聚倍半硅氧烷 示例性的酸不稳定侧基可以包括碳酸叔烷基酯，叔烷基酯，叔烷基醚，缩醛和缩酮。示例性亲水基团可以包括酚，醇，羧酸，酰胺和磺酰胺。 实施例还包括包括有机抗反射层，上述有机抗反射层上的含硅抗反射层和在上述含硅抗反射层上方的光致抗蚀剂层的光刻结构。 实施例还包括利用上述含硅抗反射层形成光刻结构的方法。

公开(公告)号：WO2013090529A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：PCT/US2012069431

申请日：2012-12-13

Applicant: IBM

Inventor： GOLDFARB DARIO ,  GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG ,  KINSHO TAKESHI ,  LI WAI-KIN ,  NODA KAZUMI ,  OHASHI MASASKI ,  TACHIBANA SEIICHIRO

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/094 ,  G02B5/208 ,  G02B5/223 ,  G03F7/091 ,  G03F7/105 ,  G03F9/7026

Abstract: The present invention relates to a near-infrared (NIR) film composition for use in vertical alignment and correction in the patterning of integrated semiconductor wafers and a pattern forming method using the composition. The NIR absorbing film composition includes a NIR absorbing dye having a polymethine cation and a crosslinkable anion, a crosslinkable polymer and a crosslinking agent. The patterning forming method includes aligning and focusing a focal plane position of a photoresist layer by sensing near- infrared emissions reflected from a substrate containing the photoresist layer and a NIR absorbing layer formed from the NIR absorbing film composition under the photoresist layer. The NIR absorbing film composition and the pattern forming method are especially useful for forming material patterns on a semiconductor substrate having complex buried topography.

Abstract translation: 本发明涉及用于集成半导体晶片的图案化的垂直取向和校正的近红外（NIR）膜组合物和使用该组合物的图案形成方法。 NIR吸收膜组合物包括具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料，可交联聚合物和交联剂。 图案形成方法包括通过感测从包含光致抗蚀剂层的基板反射的近红外发射和由光致抗蚀剂层下的NIR吸收膜组合物形成的NIR吸收层来对准和聚焦光致抗蚀剂层的焦平面位置。 近红外吸收膜组合物和图案形成方法对于在具有复杂掩埋形貌的半导体衬底上形成材料图案特别有用。

公开(公告)号：DE112014000485B4

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：DE112014000485

申请日：2014-01-23

Applicant: IBM ,  SHINETSU CHEMICAL CO

Inventor： GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG ,  PEREZ JAVIER ,  SOORIYAKUMARAN RATNAM ,  KINSHO TAKESHI ,  OGIHARA TSUTOMU ,  TACHIBANA SEIICHIRO ,  UEDA TAKAFUMI

IPC: G03F7/11 ,  C09D5/00 ,  C09D183/00 ,  G03F7/075

Abstract: Antireflexmaterial, das aufweist:ein Silicium enthaltendes Basis-Polymer;ein Material aus einem nicht-polymeren Silsesquioxan; undeinen Photosäure-Generator (PAG),wobei das Material aus einem nicht-polymeren Silsesquioxan ein polyedrisches oligomeres Silsesquioxan (POSS) mit einer hydrophilen Seitengruppe aufweist, die mit einer säurelabilen Funktion geschützt ist, wobei das Antireflexmaterial 80-99 Gewichtsprozent des Silicium enthaltenden Basis-Polymers und 0.5-10 Gewichtsprozent des Materials aus einem nicht-polymeren Silsesquioxan aufweist.

公开(公告)号：GB2525818A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：GB201515977

申请日：2014-01-23

Applicant: IBM ,  SHINETSU CHEMICAL CO

Inventor： GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG S ,  PEREZ JAVIER ,  SOORIYAKUMARAN RATNAM ,  KINSHO TAKESHI ,  OGIHARA TSUTOMU ,  TACHIBANA SEIICHIRO ,  UEDA TAKAFUMI

IPC: G03F7/11 ,  C09D5/00 ,  C09D183/00 ,  G03F7/075

Abstract: Embodiments include a silicon-containing antireflective material including a silicon- containing base polymer, a non-polymeric silsesquioxane material, and a photoacid generator. The silicon-containing base polymer may contain chromophore moieties, transparent moieties, and reactive sites on an SiOx background, where x ranges from approximately 1 to approximately 2. Exemplary non-polymeric silsesquioxane materials include polyhedral oligomeric silsesquioxanes having acid labile side groups linked to hydrophilic groups Exemplary acid labile side groups may include tertiary alkyl carbonates, tertiary alkyl esters, tertiary alkyl ethers, acetals and ketals, Exemplary hydrophilic groups may include phenols, alcohols, carboxylic acids, amides, and sulfonamides. Embodiments further include lithographic structures including an organic anti-reflective layer, the above-described silicon-containing anti-reflective layer above the organic anti-reflective layer, and a photoresist layer above the above-described silicon-containing anti-reflective layer. Embodiments further include a method of forming a lithographic structure utilizing the above-described silicon-containing anti- reflective layer.

公开(公告)号：DE112014001478T5

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：DE112014001478

申请日：2014-02-17

Applicant: IBM ,  SHINETSU CHEMICAL CO

Inventor： GLODDE MARTIN ,  PEREZ JAVIER J ,  KINSHO TAKESHI ,  OGIHARA TSUTOMU ,  WATANABE TAKERU ,  HUANG WU-SONG ,  TACHIBANA SEIICHIRO

IPC: C09D9/00 ,  C09D5/00 ,  C09D183/02 ,  G02B1/11

Abstract: Ein Silizium enthaltendes, antireflektierendes Beschichtung-(SiARC, Silicon-containing Antireflective Coating-)Material wird auf einem Substrat aufgetragen. Das SiARC-Material, das ein Basispolymer enthält, kann ein Bor-Silikat-Polymer enthalten, das Silsesquioxan enthält. Es wird eine Ätzfolge verwendet, die eine erste Nassätzung aufweist, wobei eine basische Lösung verwendet wird, eine zweite Nassätzung, wobei eine saure Lösung verwendet wird, und eine dritte Nassätzung, wobei eine andere basisches Lösung verwendet wird. Die erste Nassätzung kann dazu verwendet werden, das Bor-Silikat-Polymer aufzubrechen, und die zweite Nassätzung kann das Basispolymermaterial entfernen, und die dritte Nassätzung kann das restliche Bor-Silikat-Polymer und andere Restmaterialien entfernen. Das SiARC-Material kann von einem Substrat mittels der Ätzfolge entfernt werden, und das Substrat kann zu Monitoring-Zwecken wiederverwendet werden.

公开(公告)号：DE112014001478B4

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：DE112014001478

申请日：2014-02-17

Applicant: IBM ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO LTD

Inventor： GLODDE MARTIN ,  PEREZ JAVIER J ,  KINSHO TAKESHI ,  OGIHARA TSUTOMU ,  WATANABE TAKERU ,  HUANG WU-SONG ,  TACHIBANA SEIICHIRO

IPC: C09D9/00 ,  C09D5/00 ,  C09D183/02 ,  G02B1/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311

Abstract: Ein Verfahren zum Entfernen einer Silizium enthaltenden antireflektierenden Beschichtungs-(SiARC)-Schicht von einem Substrat, wobei das Verfahren aufweist: Ausbilden einer SiARC-Schicht auf dem Substrat; Behandeln der SiARC-Schicht mit einer ersten Nassätzung, wobei eine erste basische Lösung verwendet wird; Behandeln der SiARC-Schicht mit einer zweien Nassätzung, wobei eine saure Lösung verwendet wird; und Entfernen von Restbereichen der SiARC-Schicht mit einer dritten Nassätzung, wobei eine zweite basische Lösung verwendet wird.

公开(公告)号：DE112014000485T5

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：DE112014000485

申请日：2014-01-23

Applicant: IBM ,  SHINETSU CHEMICAL CO

Inventor： HUANG WU-SONG ,  PEREZ JAVIER ,  KINSHO TAKESHI ,  TACHIBANA SEIICHIRO ,  GLODDE MARTIN ,  SOORIYAKUMARAN RATNAM ,  OGIHARA TSUTOMU ,  UEDA TAKAFUMI

IPC: G03F7/11 ,  C09D5/00 ,  C09D183/00 ,  G03F7/075

Abstract: Ausführungsformen beinhalten ein Silicium enthaltendes Antireflexmaterial, das ein Silicium enthaltendes Basis-Polymer, ein Material aus einem nicht-polymeren Silsesquioxan sowie einen Photosäure-Generator beinhaltet. Das Silicium enthaltende Basis-Polymer kann chromophore Anteile, transparente Anteile sowie reaktive Stellen auf einem SiOx-Hintergrund enthalten, wobei x in einem Bereich von ungefähr 1 bis ungefähr 2 liegt. Exemplarische Materialien aus einem nicht-polymeren Silsesquioxan beinhalten polyedrische oligomere Silsesquioxane mit säurelabilen Seitengruppen, die mit hydrophilen Gruppen verbunden sind. Exemplarische säurelabile Seitengruppen können tertiäre Alkylcarbonate, tertiäre Alkylester, tertiäre Alkylether, Acetale und Ketale beinhalten. Exemplarische hydrophile Gruppen können Phenole, Alkohole, Carboxylsäuren, Amide sowie Sulfonamide beinhalten. Ausführungsformen beinhalten des Weiteren lithographische Strukturen, die eine organische Antireflexschicht, die vorstehend beschriebene, Silicium enthaltende Antireflexschicht über der organischen Antireflexschicht sowie eine Photoresistschicht über der vorstehend beschriebenen, Silicium enthaltenden Antireflexschicht beinhalten. Ausführungsformen beinhalten des Weiteren ein Verfahren zum Bilden einer lithographischen Struktur, das die vorstehend beschriebene, Silicium enthaltende Antireflexschicht verwendet.

公开(公告)号：DE112012005285T5

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：DE112012005285

申请日：2012-12-13

Applicant: IBM ,  SHINETSU CHEMICAL CO

Inventor： GOLDFARB DARIO ,  GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG ,  KINSHO TAKESHI ,  LI WAI-KIN ,  NODA KAZUMI ,  OHASHI MASAKI ,  TACHIBANA SEIICHIRO

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine nahinfrarot(NIR)-Dünnschichtzusammensetzung zur Verwendung bei einer vertikalen Ausrichtung und Korrektur in der Strukturierung von integrierten Halbleiter-Wafern und auf ein Strukturierungsausbildungsverfahren unter Verwendung der Zusammensetzung. Die NIR-absorbierende Dünnschichtzusammensetzung beinhaltet einen NIR-absorbierenden Farbstoff, der ein Polymethinkation und ein vernetzbares Anion aufweist, ein vernetzbares Polymer und ein Vernetzungsmittel. Das Strukturierungsausbildungsverfahren beinhaltet ein Ausrichten und Fokussieren einer Fokalebenenposition einer Photolackschicht durch Erfassen von Nahinfrarotemissionen, die von einem Substrat reflektiert werden, das die Photolackschicht und eine NIR-absorbierende Schicht enthält, die aus der NIR-absorbierenden Dünnschichtzusammensetzung unter der Photolackschicht ausgebildet ist. Die NIR-absorbierende Dünnschichtzusammensetzung und das Strukturierungsausbildungsverfahren sind besonders nützlich zum Ausbilden von Materialstrukturen auf einem Halbleitersubstrat mit einer komplexen vergrabenen Topographie.