公开(公告)号：DE112016001414T5

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：DE112016001414

申请日：2016-05-06

Applicant: IBM

Inventor： KANAKASABAPATHY SIVANANDA K ,  LIE FEE LI ,  SEO SOON-CHEON ,  SIEG STUART ,  HE HONG ,  KARVE GAURI ,  LIU DERRICK ,  DORIS BRUCE

IPC: H01L21/336

Abstract: Es wird eine Halbleiterstruktur bereitgestellt, die einen Halbleiterfinnenabschnitt mit einer Endwand umfasst, die sich von einem Substrat aufwärts erstreckt. Eine Gatestruktur überspannt einen Abschnitt des Halbleiterfinnenabschnitts. Ein erster Satz von Gateabstandshaltern ist auf gegenüberliegenden Seitenwandoberflächen der Gatestruktur positioniert und ein zweiter Satz von Gateabstandshaltern ist auf Seitenwänden des ersten Satzes von Gateabstandshaltern positioniert. Ein Gateabstandshalter des zweiten Satzes von Gateabstandshaltern hat einen unteren Abschnitt, der direkt mit der Endwand des Halbleiterfinnenabschnitts in Berührung steht.