公开(公告)号：DE112016001414T5

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：DE112016001414

申请日：2016-05-06

Applicant: IBM

Inventor： KANAKASABAPATHY SIVANANDA K ,  LIE FEE LI ,  SEO SOON-CHEON ,  SIEG STUART ,  HE HONG ,  KARVE GAURI ,  LIU DERRICK ,  DORIS BRUCE

IPC: H01L21/336

Abstract: Es wird eine Halbleiterstruktur bereitgestellt, die einen Halbleiterfinnenabschnitt mit einer Endwand umfasst, die sich von einem Substrat aufwärts erstreckt. Eine Gatestruktur überspannt einen Abschnitt des Halbleiterfinnenabschnitts. Ein erster Satz von Gateabstandshaltern ist auf gegenüberliegenden Seitenwandoberflächen der Gatestruktur positioniert und ein zweiter Satz von Gateabstandshaltern ist auf Seitenwänden des ersten Satzes von Gateabstandshaltern positioniert. Ein Gateabstandshalter des zweiten Satzes von Gateabstandshaltern hat einen unteren Abschnitt, der direkt mit der Endwand des Halbleiterfinnenabschnitts in Berührung steht.

公开(公告)号：DE112020002857T5

公开(公告)日：2022-02-24

申请号：DE112020002857

申请日：2020-07-03

Applicant: IBM

Inventor： SIEG STUART ,  DECHENE DANIEL JAMES ,  MILLER ERIC

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Halbleiterstruktur weist ein Bilden eines Nanosheet-Stapels, der abwechselnde Schichten aus einem Opfermaterial und einem Kanalmaterial aufweist, über einem Substrat auf, wobei die Schichten aus dem Kanalmaterial Nanosheet-Kanäle für einen oder mehrere Nanosheet-Feldeffekttransistoren bereitstellt. Das Verfahren weist außerdem ein Bilden eines Hartmaskenstapels über dem Nanosheet-Stapel und ein Bilden einer Strukturierungsschicht über dem Hartmaskenstapel auf. Das Verfahren weist des Weiteren ein Strukturieren einer lithographischen Maske über der Strukturierungsschicht auf, wobei die lithographische Maske (i) einen ersten Bereich oder mehrere erste Bereiche für ein direktes Drucken von einem oder mehreren Fins mit einer ersten Breite in dem Nanosheet-Stapel und dem Substrat und (ii) einen zweiten Bereich oder mehrere zweite Bereiche für ein Vorgeben des Abstands zwischen zwei oder mehr Fins mit einer zweiten Breite in dem Nanosheet-Stapel und dem Substrat unter Verwendung einer selbstausgerichteten Doppelstrukturierung definiert. Die zweite Breite ist geringer als die erste Breite.