公开(公告)号：DE112019001687T5

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：DE112019001687

申请日：2019-05-13

Applicant: IBM

Inventor： CAO QING ,  HAN SHU-JEN ,  TANG JIANSHI ,  KUMAR BHARAT

IPC: A61M35/00 ,  A61B5/05 ,  A61B5/145 ,  A61M37/00

Abstract: Ein Medikamentenverabreichungssystem enthält ein Substrat, einen auf dem Substrat angeordneten integrierten Sensor, ein auf dem Substrat angeordnetes Medikamentenverabreichungselement und eine Steuereinheit, die mit dem integrierten Sensor und dem Medikamentenverabreichungselement verbunden ist. Der integrierte Sensor enthält eine erste und eine zweite Elektrode, die auf einer ersten Oberfläche des Substrats angeordnet sind. Das Medikamentenverabreichungselement enthält einen auf der ersten Oberfläche des Substrats angeordneten Behälter, ein den Behälter umschließendes thermisch aktives Polymer und eine oberhalb des thermisch aktiven Polymers angeordnete Heizspule. Die Steuereinheit dient zum Messen eines biologischen Parameters durch Messen einer Spannungsdifferenz zwischen der ersten und der zweiten Elektrode des integrierten Sensors und zum Anlegen eines Auslösesignals an die Heizspule des Medikamentenverabreichungselements als Reaktion auf den gemessenen biologischen Parameter, der einen bestimmten Zustand anzeigt, um das thermisch aktive Polymer zu erwärmen, um selektiv ein Medikament aus dem Behälter freizusetzen.

公开(公告)号：GB2496964B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：GB201220281

申请日：2012-11-12

Applicant: IBM

Inventor： HAN SHU-JEN ,  GUO DECHAO ,  WONG KEITH KWONG HON ,  LU YU ,  CAO QING

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05

公开(公告)号：DE102012221387A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：DE102012221387

申请日：2012-11-22

Applicant: IBM

Inventor： CAO QING ,  GUO DECHAO ,  HAN SHU-JEN ,  LU YU ,  WONG KEITH KWONG HON

IPC: H01L29/78 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/775

Abstract: Eine Rippenstruktur mit einem vertikalen Stapel aus abwechselnd einer Materialschicht mit einem ersten isoelektrischen Punkt, die einen ersten isoelektrischen Punkt aufweist, und einer Materialschicht mit einem zweiten isoelektrischen Punkt, die einen zweiten isoelektrischen Punkt aufweist, der kleiner ist als der erste isoelektrische Punkt, wird gebildet. In einer Lösung mit einem pH-Wert zwischen dem ersten und dem zweiten isoelektrischen Punkt werden die Materialschichten mit einem ersten und einem zweiten isoelektrischen Punkt entgegengesetzt aufgeladen. Negative elektrische Ladungen werden von einem anionischen Tensid in der Lösung auf Kohlenstoff-Nanoröhren übertragen. Die elektrostatische Anziehung bewirkt, dass sich die Kohlenstoff-Nanoröhren selektiv an die Oberfläche der Materialschicht mit einem ersten isoelektrischen Punkt anlagern. Kohlenstoff-Nanoröhren lagern sich an die Materialschicht mit einem ersten isoelektrischen Punkt in Selbstausrichtung entlang horizontaler Längsrichtungen der Rippenstruktur an. Ein Transistor kann gebildet werden, der eine Mehrzahl vertikal ausgerichteter horizontaler Kohlenstoff-Nanoröhren als Kanal verwendet.

公开(公告)号：DE102012221387B4

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：DE102012221387

申请日：2012-11-22

Applicant: IBM

Inventor： CAO QING ,  GUO DECHAO ,  HAN SHU-JEN ,  LU YU ,  WONG KEITH KWONG HON

IPC: H01L29/78 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/775

Abstract: Struktur, aufweisend:eine Rippenstruktur, die sich auf einem Substrat (10) befindet und eine Länge in einer Längsrichtung (L) und eine Breite (B) in einer Breitenrichtung, jeweils parallel zum Substrat (10), aufweist, und die mindestens ein Schichtpaar (30, 40) aufweist, wobei jedes Schichtpaar (30, 40) in dem mindestens einen Schichtpaar (30, 40) eine Materialschicht (30) mit einem ersten isoelektrischen Punkt, die einen ersten isoelektrischen Punkt aufweist, und eine Materialschicht (40) mit einem zweiten isoelektrischen Punkt aufweist, die einen zweiten isoelektrischen Punkt aufweist, der sich von dem ersten isoelektrischen Punkt unterscheidet; undKohlenstoff-Nanoröhren (50), die sich auf Seitenwänden in Längsrichtung der mindestens einen Materialschicht (30) mit einem ersten isoelektrischen Punkt befinden, wobei mindestens eine Materialschicht (40) mit einem zweiten isoelektrischen Punkt eine Fläche einer Kohlenstoff-Nanoröhre (50) nicht berührt, wobei jede der Kohlenstoff-Nanoröhren (50) eine Seitenwand aufweist, die eine der Seitenwände in Längsrichtung berührt.

公开(公告)号：DE112016003571T5

公开(公告)日：2018-04-19

申请号：DE112016003571

申请日：2016-11-22

Applicant: IBM

Inventor： LIU FEI ,  CAO QING ,  CHENG KANGGUO ,  LI ZHENGWEN

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/04

公开(公告)号：DE102016204596A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：DE102016204596

申请日：2016-03-21

Applicant: IBM

Inventor： CAO QING ,  CHENG KANGGUO ,  LI ZHENGWEN ,  LIU FEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Gemäß einer anderen Ausführungsform umfasst eine FinFET-Halbleitereinheit ein Halbleitersubstrat. Die FinFET-Einheit umfasst ferner mindestens eine erste Halbleiterfinne auf dem Halbleitersubstrat. Die erste Halbleiterfinne weist einen ersten Halbleiterabschnitt, der sich bis zu einer ersten Finnenoberseite erstreckt, um eine erste Höhe zu definieren, und einen ersten Isolatorabschnitt auf, der zwischen dem ersten Halbleiterabschnitt und dem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Eine zweite Halbleiterfinne auf dem Halbleitersubstrat weist einen zweiten Halbleiterabschnitt, der sich bis zu einer zweiten Finnenoberseite erstreckt, um eine zweite Höhe zu definieren, und einen zweiten Isolatorabschnitt auf, der zwischen dem zweiten Halbleiterabschnitt und dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, wobei sich die zweite Höhe von der ersten Höhe unterscheidet.

公开(公告)号：DE112018005615B4

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：DE112018005615

申请日：2018-11-26

Applicant: IBM

Inventor： CAO QING ,  TANG JIANSHI ,  LI NING

IPC: H01L27/146 ,  C01B32/182 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0328

Abstract: Vertikal integrierter multispektraler bildgebender Sensor, der aufweist:eine erste Metallkontaktschicht (31), die auf einem Substrat (30) angeordnet ist;eine SiO2-Schicht (32), die auf der ersten Metallkontaktschicht (31) angeordnet ist, wobei ein erstes Detektorelement (39) in einem Loch in dieser eingebettet ist;eine erste Graphen-Schicht (37), die das erste Detektorelement (39) bedeckt;eine zweite Metallkontaktschicht (34), die auf der SiO2-Schicht (32) auf einer Seite der ersten Graphen-Schicht (37) angeordnet ist, wobei sich ein Rand der zweiten Metallkontaktschicht (34) in Kontakt mit einer Seite der ersten Graphen-Schicht (37) befindet;eine AlO3-Schicht (33), die auf der SiO2-Schicht (32) angeordnet ist, wobei ein zweites Detektorelement (36) in einem Loch über der ersten Graphen-Schicht (37) eingebettet ist;eine zweite Graphen-Schicht (38), die auf dem zweiten Detektorelement (36) angeordnet ist; undeine dritte Metallkontaktschicht (35), die auf der AlO3-Schicht (33) benachbart zu der zweiten Graphen-Schicht (38) angeordnet ist, wobei sich ein Rand der dritten Metallkontaktschicht (35) in Kontakt mit einer Seite der zweiten Graphen-Schicht (38) befindet,wobei ein Material des ersten Detektorelements (39) sensitiv für ein anderes Wellenlängenband des elektromagnetischen Spektrums ist als ein Material des zweiten Detektorelements (36).

公开(公告)号：DE112018005615T5

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE112018005615

申请日：2018-11-26

Applicant: IBM

Inventor： CAO QING ,  TANG JIANSHI ,  LI NING

IPC: H01L27/146

Abstract: Ein vertikal integrierter multispektraler bildgebender Sensor weist Folgendes auf: eine erste Metallkontaktschicht auf einem Substrat, eine SiO-Schicht auf der ersten Metallkontaktschicht, wobei ein erstes Detektorelement in einem Loch in dieser eingebettet ist, eine erste Graphen-Schicht, die das erste Detektorelement bedeckt, eine zweite Metallkontaktschicht auf der SiO-Schicht auf einer Seite des ersten Graphens, eine AlO-Schicht auf der SiO-Schicht, in der ein zweites Detektorelement in einem Loch über der ersten Graphen-Schicht eingebettet ist, eine zweite Graphen-Schicht auf dem zweiten Detektorelement sowie eine dritte Metallkontaktschicht auf der AlO-Schicht benachbart zu der zweiten Graphen-Schicht. Das erste Detektormaterial ist sensitiv für ein anderes Wellenlängenband des elektromagnetischen Spektrums als das zweite Detektormaterial.

公开(公告)号：DE102016204596B4

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：DE102016204596

申请日：2016-03-21

Applicant: IBM

Inventor： CAO QING ,  CHENG KANGGUO ,  LI ZHENGWEN ,  LIU FEI

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer FinFET-Halbleitereinheit, das Verfahren aufweisend:Bilden einer Mehrzahl von Halbleiterfinnen auf einem Halbleitersubstrat (104), wobei mindestens eine erste Halbleiterfinne (118a) aus der Mehrzahl von Halbleiterfinnen einen ersten unteren Halbleiterabschnitt und einen ersten oberen Halbleiterabschnitt umfasst und mindestens eine zweite Halbleiterfinne (118b) einen zweiten unteren Halbleiterabschnitt und einen zweiten oberen Halbleiterabschnitt umfasst;Ätzen des ersten unteren Halbleiterabschnitts, um einen ersten Hohlraum (126a) zu bilden, welcher eine erste Hohlraumhöhe aufweist, die sich zwischen dem Halbleitersubstrat und einem ersten oberen Halbleiterabschnitt erstreckt, und Ätzen des zweiten unteren Halbleiterabschnitts, um einen zweiten Hohlraum (126b) mit einer zweiten Hohlraumhöhe zu bilden, die sich zwischen dem Halbleitersubstrat und einem zweiten oberen Halbleiterabschnitt erstreckt, wobei sich die zweite Hohlraumhöhe von der ersten Hohlraumhöhe unterscheidet; undFüllen des ersten Hohlraums und des zweiten Hohlraums mit einem Isolatormaterial (128a, 128b), so dass sich eine erste Höhe des ersten oberen Halbleiterabschnitts von einer zweiten Höhe des zweiten oberen Halbleiterabschnitts unterscheidet.

公开(公告)号：GB2496964A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：GB201220281

申请日：2012-11-12

Applicant: IBM

Inventor： HAN SHU-JEN ,  GUO DECHAO ,  WONG KEITH KWONG HON ,  LU YU ,  CAO QING

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05

Abstract: A fin structure has a length and a width and is located on a substrate 10, the fin structure includes a vertical alternating stack of a first isoelectric point material layer 30 having a first isoelectric point and a second isoelectric material layer 40 having a second isoelectric point less than the first isoelectric point; the first and second isoelectric point material layers become oppositely charged in a solution with a pH between the first and second isoelectric points; carbon nanotubes 50 are given a charge by an ionic surfactant such that they are attracted to one of the first isoelectric point material layer 30 or the second isoelectric point material layer 40 and repelled by the other; the carbon nanotubes 50 will attach to the attractive of the two layers aligning lengthwise along the sidewall of the attractive layers. A method of forming said structure is also disclosed, it further discloses that the fin structure is immersed in a solution containing the carbon nanotubes 50, the solution having a pH between the first and second isoelectric points. The fin structure may then have a gate dielectric 60 and gate electrode 70 selectively deposited thereon, where source and drain electrodes may also be selectively deposited such that the fin structure becomes part of the field effect transistor with the carbon nanotubes 50 acting as the semiconducting channel.