公开(公告)号：DE112010003269T5

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：DE112010003269

申请日：2010-08-04

Applicant: IBM

Inventor： BANGSARUNTIP SARUNYA ,  EDELSTEIN DANIEL C ,  KOESTER STEVEN ,  SOLOMAN PAUL M ,  HINSBERG WILLIAM D ,  KIM HO-CHEOL

IPC: H01L21/44

Abstract: Es wird eine Kopplung zwischen einer Struktur mit sublithographischem Rasterabstand und einer Struktur mit lithographischem Rasterabstand gebildet. Eine Vielzahl von leitfähigen Linien mit einem sublithographischen Rasterabstand kann lithographisch strukturiert und entlang einer Linie mit einem Winkel von weniger als 45 Grad bezüglich der Längsrichtung der Vielzahl von leitfähigen Linien geschnitten werden. Alternativ kann ein Copolymer, gemischt mit einem Homopolymer, in einem ausgesparten Bereich angeordnet und selbstorganisiert werden, um eine Vielzahl von leitfähigen Linien mit einem sublithographischen Rasterabstand in dem Bereich mit konstanter Breite und einer lithographischen Abmessung zwischen benachbarten Linien in einem trapezförmigen Bereich zu bilden. In einer weiteren Alternative kann eine erste Vielzahl von leitfähigen Linien mit dem sublithographischen Rasterabstand und eine zweite Vielzahl von leitfähigen Linien mit dem lithographischen Rasterabstand auf der gleichen oder einer anderen Ebene gebildet werden.

公开(公告)号：DE112010003269B4

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：DE112010003269

申请日：2010-08-04

Applicant: IBM

Inventor： BANGSARUNTIP SARUNYA ,  EDELSTEIN DANIEL C ,  KOESTER STEVEN ,  SOLOMAN PAUL M ,  HINSBERG WILLIAM D ,  KIM HO-CHEOL

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

Abstract: Struktur, umfassend: eine erste Vielzahl von leitfähigen Linien, die einen ersten Rasterabstand aufweist und in wenigstens einer dielektrischen Schicht eingebettet ist, wobei jede aus der ersten Vielzahl von leitfähigen Linien ein Paar von Seitenwänden aufweist, die parallel zu einer ersten Vertikalebene sind, und eine Endwand, die dem Paar von Seitenwänden direkt angrenzt und in einer zweiten Vertikalebene liegt, wobei der Winkel zwischen der ersten Vertikalebene und der zweiten Vertikalebene weniger als 45 Grad beträgt; und eine Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen, wobei jede aus der Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen einen Endabschnitt von einer aus der Vielzahl von leitfähigen Linien kontaktiert und in der wenigstens einen dielektrischen Schicht eingebettet ist, und wobei die zweite Vertikalebene jede aus der Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen schneidet und ein Abschnitt von jeder aus der Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen auf einer Seite der zweiten Vertikalebene vorhanden ist und ein anderer Abschnitt von jeder aus der Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen auf der anderen Seite der zweiten Vertikalebene vorhanden ist.