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    Fast model-based optical proximity correction
    1.
    发明专利
    Fast model-based optical proximity correction 有权
    基于快速模型的光学近似校正

    公开(公告)号：JP2005234571A

    公开(公告)日：2005-09-02

    申请号：JP2005039330

    申请日：2005-02-16

    Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

    Inventor： ROSENBLUTH ALAN E ,  GALLATIN GREGG M ,  GORDON RONALD L ,  SEONG NAKGEUON ,  LVOV ALEXEY Y ,  HINSBERG WILLIAM D ,  HOFFNAGLE JOHN A ,  HOULE FRANCES A ,  SANCHEZ MARTHA I

    IPC: G03F1/08 ,  G03B27/54 ,  G03F7/20

    CPC classification number: G03F7/705 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70441

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a fast and high-performance projection optics simulation method and system with a non-scalar (i.e. "non-Hopkins") effect taken into account. SOLUTION: A generalized bilinear kernel independent of a mask transmission function is formed to include various influences, and the kernel is processed by decomposition to compute an image including a non-scalar effect. Dominant eigenfunctions of the generalized bilinear kernel can be used to previously compute a convolution with possible polygon sectors. Then a mask transmission function can be decomposed into polygon sectors, and a weighted pre-image may be formed from a coherent sum of the pre-computed convolution for appropriate mask polygon sectors. The image at a point may be formed from the incoherent sum of the weighted pre-images over all of the dominant eigenfunctions of the generalized bilinear kernel. The resulting image can be used to perform MBOPC (model-based optical proximity correction). COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

    Abstract translation: 要解决的问题：提供考虑到非标量（即“非霍普金斯”）效应的快速和高性能的投影光学模拟方法和系统。 解决方案：形成独立于掩模传输功能的广义双线性内核以包含各种影响，并且通过分解处理内核以计算包括非标量效应的图像。 广义双线性核的主要本征函数可用于预先计算可能的多边形扇区的卷积。 然后，掩模传输功能可以被分解成多边形扇区，并且可以从针对适当的屏蔽多边形扇区的预先计算的卷积的相干和形成加权的预先图像。 一点上的图像可以由广义双线性核的所有主要特征函数上的加权预图像的非相干和形成。 所得到的图像可用于执行MBOPC（基于模型的光学邻近校正）。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

    PROCESS FOR MAKING SELF-ALIGNING THIN FILM TRANSISTORS
    2.
    发明专利
    PROCESS FOR MAKING SELF-ALIGNING THIN FILM TRANSISTORS 未知

    公开(公告)号：CA1278883C

    公开(公告)日：1991-01-08

    申请号：CA579011

    申请日：1988-09-30

    Applicant: IBM

    Inventor： HINSBERG WILLIAM D ,  HOWARD WEBSTER E ,  WILLSON CARLTON G

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84

    Abstract: of the Invention PROCESS FOR MAKING SELF-ALIGNING THIN FILM TRANSISTORS A process for making a self-aligned thin film transistor, said process comprising the steps of: (1) providing a gate which comprises a glass substrate, a transparent electrode on top thereof, and a metal electrode on top of said transparent electrode, (2) forming a stack by depositing over said gate a triple layer structure consisting of gate dielectric material, active material and a top passivating dielectric, (3) coating the top of said triple layer with a dual-tone photoresist, (4) exposing said photoresist from the top through a mask having transparent areas, opaque areas and areas transparent to selective wavelengths, using broad band UV light, (5) developing the photoresist by treatment with a solvent, (6) etching the stack with a liquid etchant through to the glass substrate, (7) exposing the photoresist from the bottom through the glass substrate using near UV light, (8) developing the photoresist with a solvent, and (9) etching off the top passivating layer of the stack.

    STRUKTUR MIT KOPPLUNG ZWISCHEN STRUKTUREN MIT SUBLITHOGRAPHISCHEM RASTERABSTAND UND STRUKTUREN MIT LITHOGRAPHISCHEM RASTERABSTAND UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER STRUKTUR
    4.
    发明专利
    STRUKTUR MIT KOPPLUNG ZWISCHEN STRUKTUREN MIT SUBLITHOGRAPHISCHEM RASTERABSTAND UND STRUKTUREN MIT LITHOGRAPHISCHEM RASTERABSTAND UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER STRUKTUR 未知

    公开(公告)号：DE112010003269B4

    公开(公告)日：2014-05-15

    申请号：DE112010003269

    申请日：2010-08-04

    Applicant: IBM

    Inventor： BANGSARUNTIP SARUNYA ,  EDELSTEIN DANIEL C ,  KOESTER STEVEN ,  SOLOMAN PAUL M ,  HINSBERG WILLIAM D ,  KIM HO-CHEOL

    IPC: H01L23/535 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

    Abstract: Struktur, umfassend: eine erste Vielzahl von leitfähigen Linien, die einen ersten Rasterabstand aufweist und in wenigstens einer dielektrischen Schicht eingebettet ist, wobei jede aus der ersten Vielzahl von leitfähigen Linien ein Paar von Seitenwänden aufweist, die parallel zu einer ersten Vertikalebene sind, und eine Endwand, die dem Paar von Seitenwänden direkt angrenzt und in einer zweiten Vertikalebene liegt, wobei der Winkel zwischen der ersten Vertikalebene und der zweiten Vertikalebene weniger als 45 Grad beträgt; und eine Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen, wobei jede aus der Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen einen Endabschnitt von einer aus der Vielzahl von leitfähigen Linien kontaktiert und in der wenigstens einen dielektrischen Schicht eingebettet ist, und wobei die zweite Vertikalebene jede aus der Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen schneidet und ein Abschnitt von jeder aus der Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen auf einer Seite der zweiten Vertikalebene vorhanden ist und ein anderer Abschnitt von jeder aus der Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen auf der anderen Seite der zweiten Vertikalebene vorhanden ist.

    Kopplung zwischen Strukturen mit sublithographischem Rasterabstand und Strukturen mit lithographischem Rasterabstand
    5.
    发明专利
    Kopplung zwischen Strukturen mit sublithographischem Rasterabstand und Strukturen mit lithographischem Rasterabstand 未知

    公开(公告)号：DE112010003269T5

    公开(公告)日：2013-04-25

    申请号：DE112010003269

    申请日：2010-08-04

    Applicant: IBM

    Inventor： BANGSARUNTIP SARUNYA ,  EDELSTEIN DANIEL C ,  KOESTER STEVEN ,  SOLOMAN PAUL M ,  HINSBERG WILLIAM D ,  KIM HO-CHEOL

    IPC: H01L21/44

    Abstract: Es wird eine Kopplung zwischen einer Struktur mit sublithographischem Rasterabstand und einer Struktur mit lithographischem Rasterabstand gebildet. Eine Vielzahl von leitfähigen Linien mit einem sublithographischen Rasterabstand kann lithographisch strukturiert und entlang einer Linie mit einem Winkel von weniger als 45 Grad bezüglich der Längsrichtung der Vielzahl von leitfähigen Linien geschnitten werden. Alternativ kann ein Copolymer, gemischt mit einem Homopolymer, in einem ausgesparten Bereich angeordnet und selbstorganisiert werden, um eine Vielzahl von leitfähigen Linien mit einem sublithographischen Rasterabstand in dem Bereich mit konstanter Breite und einer lithographischen Abmessung zwischen benachbarten Linien in einem trapezförmigen Bereich zu bilden. In einer weiteren Alternative kann eine erste Vielzahl von leitfähigen Linien mit dem sublithographischen Rasterabstand und eine zweite Vielzahl von leitfähigen Linien mit dem lithographischen Rasterabstand auf der gleichen oder einer anderen Ebene gebildet werden.

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