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    METHODS OF DIRECTED SELF-ASSEMBLY AND LAYERED STRUCTURES FORMED THEREFROM
    4.
    发明申请
    METHODS OF DIRECTED SELF-ASSEMBLY AND LAYERED STRUCTURES FORMED THEREFROM 审中-公开
    方向自组装方法和形成的层状结构

    公开(公告)号：WO2011080016A2

    公开(公告)日：2011-07-07

    申请号：PCT/EP2010068318

    申请日：2010-11-26

    Applicant: IBM ,  SANDERS DANIEL PAUL ,  CHENG JOY ,  HINSBERG WILLIAM ,  KIM HO-CHEOL ,  COLBURN MATTHEW ,  HARRER STEFAN ,  HOLMES STEVEN

    Inventor： SANDERS DANIEL PAUL ,  CHENG JOY ,  HINSBERG WILLIAM ,  KIM HO-CHEOL ,  COLBURN MATTHEW ,  HARRER STEFAN ,  HOLMES STEVEN

    IPC: G03F7/00

    CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

    Abstract: A method of forming a layered structure comprising a self-assembled material comprises: disposing a non-crosslinking photoresist layer on a substrate; pattern-wise exposing the photoresist layer to first radiation; optionally heating the exposed photoresist layer; developing the exposed photoresist layer in a first development process with an aqueous alkaline developer, forming an initial patterned photoresist layer; treating the initial patterned photoresist layer photochemically, thermally and/or chemically, thereby forming a treated patterned photoresist layer comprising non-crosslinked treated photoresist disposed on a first substrate surface; casting a solution of an orientation control material in a first solvent on the treated patterned photoresist layer, and removing the first solvent, forming an orientation control layer; heating the orientation control layer to effectively bind a portion of the orientation control material to a second substrate surface; removing at least a portion of the treated photoresist and, optionally, any non-bound orientation control material in a second development process, thereby forming a pre-pattern for self-assembly; optionally heating the pre-pattern; casting a solution of a material capable of self-assembly dissolved in a second solvent on the pre-pattern and removing the second solvent; and allowing the casted material to self-assemble with optional heating and/or annealing, thereby forming the layered structure comprising the self-assembled material.

    Abstract translation: 形成包括自组装材料的层状结构的方法包括：在基底上设置非交联光致抗蚀剂层; 将光致抗蚀剂层图案化地暴露于第一辐射; 可选地加热曝光的光致抗蚀剂层; 在第一显影工艺中用含水碱性显影剂显影曝光的光致抗蚀剂层，形成初始图案化的光致抗蚀剂层; 以光学，光学和/或化学方式处理初始图案化的光致抗蚀剂层，从而形成经处理的图案化的光刻胶层，其包含设置在第一衬底表面上的非交联处理的光致抗蚀剂; 在经处理​​的图案化光刻胶层上浇铸取向控制材料在第一溶剂中的溶液，并除去第一溶剂，形成取向控制层; 加热所述取向控制层以有效地将所述取向控制材料的一部分粘合到第二基板表面; 在第二显影过程中除去至少一部分经处理的光致抗蚀剂和任选的任何未结合的取向控制材料，从而形成用于自组装的预图案; 可选地加热预图案; 将能够自组装的溶解在第二溶剂中的材料的溶液浇铸在预图案上并除去第二溶剂; 并且允许铸造材料通过任选的加热和/或退火自组装，从而形成包括自组装材料的层状结构。

    Methods of directed self-assembly and layered structures formed therefrom
    5.
    发明专利
    Methods of directed self-assembly and layered structures formed therefrom 未知

    公开(公告)号：GB2485941B

    公开(公告)日：2014-05-21

    申请号：GB201203971

    申请日：2010-11-26

    Applicant: IBM

    Inventor： SANDERS DANIEL PAUL ,  CHENG JOY ,  HINSBERG WILLIAM ,  KIM HO-CHEOL ,  COLBURN MATTHEW ,  HARRER STEFAN ,  HOLMES STEVEN

    IPC: G03F7/00

    Abstract: A layered structure comprising a self-assembled material is formed by a method that includes forming a photochemically, thermally and/or chemically treated patterned photoresist layer disposed on a first surface of a substrate. The treated patterned photoresist layer comprises a non-crosslinked treated photoresist. An orientation control material is cast on the treated patterned photoresist layer, forming a layer containing orientation control material bound to a second surface of the substrate. The treated photoresist and, optionally, any non-bound orientation control material are removed by a development process, resulting in a pre-pattern for self-assembly. A material capable of self-assembly is cast on the pre-pattern. The casted material is allowed to self-assemble with optional heating and/or annealing to produce the layered structure.

    STRUKTUR MIT KOPPLUNG ZWISCHEN STRUKTUREN MIT SUBLITHOGRAPHISCHEM RASTERABSTAND UND STRUKTUREN MIT LITHOGRAPHISCHEM RASTERABSTAND UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER STRUKTUR
    6.
    发明专利
    STRUKTUR MIT KOPPLUNG ZWISCHEN STRUKTUREN MIT SUBLITHOGRAPHISCHEM RASTERABSTAND UND STRUKTUREN MIT LITHOGRAPHISCHEM RASTERABSTAND UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER STRUKTUR 未知

    公开(公告)号：DE112010003269B4

    公开(公告)日：2014-05-15

    申请号：DE112010003269

    申请日：2010-08-04

    Applicant: IBM

    Inventor： BANGSARUNTIP SARUNYA ,  EDELSTEIN DANIEL C ,  KOESTER STEVEN ,  SOLOMAN PAUL M ,  HINSBERG WILLIAM D ,  KIM HO-CHEOL

    IPC: H01L23/535 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

    Abstract: Struktur, umfassend: eine erste Vielzahl von leitfähigen Linien, die einen ersten Rasterabstand aufweist und in wenigstens einer dielektrischen Schicht eingebettet ist, wobei jede aus der ersten Vielzahl von leitfähigen Linien ein Paar von Seitenwänden aufweist, die parallel zu einer ersten Vertikalebene sind, und eine Endwand, die dem Paar von Seitenwänden direkt angrenzt und in einer zweiten Vertikalebene liegt, wobei der Winkel zwischen der ersten Vertikalebene und der zweiten Vertikalebene weniger als 45 Grad beträgt; und eine Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen, wobei jede aus der Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen einen Endabschnitt von einer aus der Vielzahl von leitfähigen Linien kontaktiert und in der wenigstens einen dielektrischen Schicht eingebettet ist, und wobei die zweite Vertikalebene jede aus der Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen schneidet und ein Abschnitt von jeder aus der Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen auf einer Seite der zweiten Vertikalebene vorhanden ist und ein anderer Abschnitt von jeder aus der Vielzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen auf der anderen Seite der zweiten Vertikalebene vorhanden ist.

    Methods of directed self-assembly with 193 - nm immersion lithography and layered structures formed therefrom
    8.
    发明专利
    Methods of directed self-assembly with 193 - nm immersion lithography and layered structures formed therefrom 未知

    公开(公告)号：GB2488250A

    公开(公告)日：2012-08-22

    申请号：GB201203583

    申请日：2010-11-26

    Applicant: IBM

    Inventor： CHENG JOY ,  HINSBERG WILLIAM ,  WALLRAFF GREGORY MICHAEL ,  TRUONG HOA ,  SUNDBERG LINDA KARIN ,  ITO HIROSHI ,  SANDERS DANIEL PAUL ,  KIM HO-CHEOL ,  NA YOUNG-HYE

    IPC: G03F7/16 ,  B81C1/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32

    Abstract: A method of forming a layered structure comprising a domain pattern of a self-assembled material comprises: disposing on a substrate a photoresist layer comprising a non-crosslinking photoresist; optionally baking the photoresist layer; pattern- wise exposing the photoresist layer to first radiation; optionally baking the exposed photoresist layer; and developing the exposed photoresist layer with a non-alkaline developer to form a negative-tone patterned photoresist layer comprising non-crosslinked developed photoresist; wherein the developed photoresist is not soluble in a given organic solvent suitable for casting a given material capable of self-assembly, and the developed photoresist is soluble in an aqueous alkaline developer and/or a second organic solvent. A solution comprising the given material capable of self-assembly dissolved in the given organic solvent is casted on the patterned photoresist layer, and the given organic solvent is removed. The casted given material is allowed to self-assemble while optionally heating and/or annealing the casted given material, thereby forming the layered structure comprising the domain pattern of the self-assembled given material.

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