公开(公告)号：DE112019001687T5

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：DE112019001687

申请日：2019-05-13

Applicant: IBM

Inventor： CAO QING ,  HAN SHU-JEN ,  TANG JIANSHI ,  KUMAR BHARAT

IPC: A61M35/00 ,  A61B5/05 ,  A61B5/145 ,  A61M37/00

Abstract: Ein Medikamentenverabreichungssystem enthält ein Substrat, einen auf dem Substrat angeordneten integrierten Sensor, ein auf dem Substrat angeordnetes Medikamentenverabreichungselement und eine Steuereinheit, die mit dem integrierten Sensor und dem Medikamentenverabreichungselement verbunden ist. Der integrierte Sensor enthält eine erste und eine zweite Elektrode, die auf einer ersten Oberfläche des Substrats angeordnet sind. Das Medikamentenverabreichungselement enthält einen auf der ersten Oberfläche des Substrats angeordneten Behälter, ein den Behälter umschließendes thermisch aktives Polymer und eine oberhalb des thermisch aktiven Polymers angeordnete Heizspule. Die Steuereinheit dient zum Messen eines biologischen Parameters durch Messen einer Spannungsdifferenz zwischen der ersten und der zweiten Elektrode des integrierten Sensors und zum Anlegen eines Auslösesignals an die Heizspule des Medikamentenverabreichungselements als Reaktion auf den gemessenen biologischen Parameter, der einen bestimmten Zustand anzeigt, um das thermisch aktive Polymer zu erwärmen, um selektiv ein Medikament aus dem Behälter freizusetzen.

公开(公告)号：DE112018001069T5

公开(公告)日：2019-11-21

申请号：DE112018001069

申请日：2018-05-17

Applicant: IBM

Inventor： FARMER DAMON BROOKS ,  TANG JIANSHI ,  YURKAS JOHN JACOB ,  HAN SHU-JEN

IPC: H01L29/772

Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beziehen sich auf Verfahren und resultierende Strukturen zum Steigern eines Ansteuerungsstroms und Erhöhen einer Einheitenausbeute bei n-Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistoren (CNT-FETs) mit skalierten Kontakten mithilfe einer Benetzungsschicht. Bei einigen Ausführungsformen der Erfindung wird eine Nanoröhre über einer Fläche eines Substrats ausgebildet. Eine Isolationsschicht wird so über der Nanoröhre ausgebildet, dass Endabschnitte der Nanoröhre freiliegen. Ein Metall mit niedriger Austrittsarbeit wird über den Endabschnitten der Nanoröhre ausgebildet, und eine Benetzungsschicht wird zwischen dem Metall mit niedriger Austrittsarbeit und der Nanoröhre ausgebildet.

公开(公告)号：DE112018001069B4

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：DE112018001069

申请日：2018-05-17

Applicant: IBM

Inventor： FARMER DAMON BROOKS ,  TANG JIANSHI ,  YURKAS JOHN JACOB ,  HAN SHU-JEN

IPC: H01L29/775 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43

Abstract: Verfahren (600) zum Ausbilden einer Halbleitereinheit, wobei das Verfahren aufweist:Ausbilden (602) einer Nanoröhre (102) über einer Fläche eines Substrats (104);Ausbilden (604) einer Isolationsschicht (200) über der Nanoröhre;Freilegen (606) von Endabschnitten der Nanoröhre;Ausbilden (608) einer Benetzungsschicht (300) auf den Endabschnitten der Nanoröhre;Ausbilden (610) eines Metalls (400) mit niedriger Austrittsarbeit auf der Benetzungsschicht über den Endabschnitten der Nanoröhre; undAusbilden einer Deckschicht (500) über dem Metall mit niedriger Austrittsarbeit,wobei die Benetzungsschicht Titan aufweist, das Metall mit niedriger Austrittsarbeit Scandium aufweist und die Deckschicht Gold aufweist.

公开(公告)号：DE112018005615B4

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：DE112018005615

申请日：2018-11-26

Applicant: IBM

Inventor： CAO QING ,  TANG JIANSHI ,  LI NING

IPC: H01L27/146 ,  C01B32/182 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0328

Abstract: Vertikal integrierter multispektraler bildgebender Sensor, der aufweist:eine erste Metallkontaktschicht (31), die auf einem Substrat (30) angeordnet ist;eine SiO2-Schicht (32), die auf der ersten Metallkontaktschicht (31) angeordnet ist, wobei ein erstes Detektorelement (39) in einem Loch in dieser eingebettet ist;eine erste Graphen-Schicht (37), die das erste Detektorelement (39) bedeckt;eine zweite Metallkontaktschicht (34), die auf der SiO2-Schicht (32) auf einer Seite der ersten Graphen-Schicht (37) angeordnet ist, wobei sich ein Rand der zweiten Metallkontaktschicht (34) in Kontakt mit einer Seite der ersten Graphen-Schicht (37) befindet;eine AlO3-Schicht (33), die auf der SiO2-Schicht (32) angeordnet ist, wobei ein zweites Detektorelement (36) in einem Loch über der ersten Graphen-Schicht (37) eingebettet ist;eine zweite Graphen-Schicht (38), die auf dem zweiten Detektorelement (36) angeordnet ist; undeine dritte Metallkontaktschicht (35), die auf der AlO3-Schicht (33) benachbart zu der zweiten Graphen-Schicht (38) angeordnet ist, wobei sich ein Rand der dritten Metallkontaktschicht (35) in Kontakt mit einer Seite der zweiten Graphen-Schicht (38) befindet,wobei ein Material des ersten Detektorelements (39) sensitiv für ein anderes Wellenlängenband des elektromagnetischen Spektrums ist als ein Material des zweiten Detektorelements (36).

公开(公告)号：DE112018005615T5

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE112018005615

申请日：2018-11-26

Applicant: IBM

Inventor： CAO QING ,  TANG JIANSHI ,  LI NING

IPC: H01L27/146

Abstract: Ein vertikal integrierter multispektraler bildgebender Sensor weist Folgendes auf: eine erste Metallkontaktschicht auf einem Substrat, eine SiO-Schicht auf der ersten Metallkontaktschicht, wobei ein erstes Detektorelement in einem Loch in dieser eingebettet ist, eine erste Graphen-Schicht, die das erste Detektorelement bedeckt, eine zweite Metallkontaktschicht auf der SiO-Schicht auf einer Seite des ersten Graphens, eine AlO-Schicht auf der SiO-Schicht, in der ein zweites Detektorelement in einem Loch über der ersten Graphen-Schicht eingebettet ist, eine zweite Graphen-Schicht auf dem zweiten Detektorelement sowie eine dritte Metallkontaktschicht auf der AlO-Schicht benachbart zu der zweiten Graphen-Schicht. Das erste Detektormaterial ist sensitiv für ein anderes Wellenlängenband des elektromagnetischen Spektrums als das zweite Detektormaterial.