公开(公告)号：DE112018001833T5

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE112018001833

申请日：2018-05-31

Applicant: IBM

Inventor： JOSHI RAJIV ,  WANG NAIGANG ,  DORIS BRUCE

IPC: H03K5/00

Abstract: Es werden Halbleitereinheiten und Verfahren in Bezug auf die Halbleitereinheiten bereitgestellt. Eine Halbleitereinheit beinhaltet einen Resonanz-Taktschaltkreis. Die Halbleitereinheit beinhaltet des Weiteren einen Induktor. Die Halbleitereinheit beinhaltet außerdem eine magnetische Schicht, die aus einem magnetischen Material gebildet ist, das zwischen einem Bereich des Resonanz-Taktschaltkreises und dem Induktor angeordnet ist. Taktsignale des Resonanz-Taktschaltkreises werden von der magnetischen Schicht genutzt.

公开(公告)号：DE112018001288T5

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE112018001288

申请日：2018-05-14

Applicant: IBM

Inventor： JOSHI RAJIV ,  WANG NAIGANG ,  DORIS BRUCE

IPC: H02M3/158

Abstract: Offenbart werden Schaltungen und Verfahren zum Bereitstellen einer Versorgungsspannung für einen dynamischen internen Stromversorgungsknoten einer Gruppe von weiteren Schaltungen. Eine Schaltung enthält einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor von unterschiedlichen Kanaltypen, die zu einer statischen Stromversorgung parallel geschaltet sind, die eine konstante Stromversorgungsspannung liefert. Die Schaltung enthält ferner einen magnetischen Induktor mit einem ersten Anschluss, der mit einem gemeinsamen Knoten zwischen dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor verbunden ist, und einem zweiten Anschluss, der mit dem dynamischen internen Stromversorgungsknoten verbunden ist, um für den dynamischen internen Stromversorgungsknoten eine erhöhte Spannung mit einer Stärke zu liefern, die größer als eine Stärke der konstanten Stromversorgungsspannung ist, indem sie mit mindestens einer Kapazität in Resonanz befindlich ist, die mit dem dynamischen internen Stromversorgungsknoten gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE112018001833B4

公开(公告)日：2022-06-30

申请号：DE112018001833

申请日：2018-05-31

Applicant: IBM

Inventor： JOSHI RAJIV ,  WANG NAIGANG ,  DORIS BRUCE

IPC: H03K5/00

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinheit, das aufweist:Bereitstellen eines Resonanz-Taktschaltkreises mit einem ersten Taktschaltkreiselement, das einen Induktor umfasst, und mit einem weiteren Resonanz-Taktschaltkreiselement;elektrisches Verbinden des ersten Resonanz-Taktschaltkreiselements durch ein leitendes Material mit dem weiteren Resonanz-Taktschaltkreiselement;Anordnen einer magnetischen Schicht zwischen dem Induktor und einem Bereich des ersten Resonanz-Taktschaltkreiselements und oberhalb des leitenden Materials, wobei das magnetische Material angeordnet wird, um eine parasitäre Kapazität des ersten Resonanz-Taktschaltkreiselements und des weiteren Resonanz-Taktschaltkreiselements für ein Betreiben des ersten Resonanz-Taktschaltkreises zu verwenden, indem Taktsignale des ersten Resonanz-Taktschaltkreises von der magnetischen Schicht genutzt werden.

公开(公告)号：DE112017003523B4

公开(公告)日：2025-04-30

申请号：DE112017003523

申请日：2017-06-13

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  WANG NAIGANG ,  DORIS BRUCE

IPC: H01F17/00

Abstract: Induktorstruktur (100), die aufweist:einen laminierten Dünnschichtstapel, der abwechselnde Schichten eines magnetischen Materials (112) und eines mehrlagigen isolierenden Materials aufweist, wobei sich das mehrlagige isolierende Material zwischen angrenzenden Schichten (112) des magnetischen Materials befindet und eine erste isolierende Schicht (114A) aufweist, die an zumindest einer zusätzlichen isolierenden Schicht (14B) anliegt, undwobei die erste isolierende Schicht (114A) und die zumindest eine zusätzliche isolierende Schicht (114B) unterschiedliche dielektrische Materialien aufweisen,wobei die erste isolierende Schicht (114A) Siliciumdioxid aufweist und die isolierende Schicht, die an zumindest einer zusätzlichen anliegt, eine isolierende Siliciumnitridschicht aufweist.

公开(公告)号：DE112017003523T5

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：DE112017003523

申请日：2017-06-13

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  WANG NAIGANG ,  DORIS BRUCE

IPC: H01F17/00

Abstract: Eine magnetische Laminierungsstruktur beinhaltet abwechselnde Schichten eines magnetischen Materials (112) und eines mehrlagigen isolierenden Materials, wobei sich das mehrlagige isolierende Material zwischen angrenzenden Schichten des magnetischen Materials befindet und eine erste isolierende Schicht (114A) aufweist, die an zumindest einer zusätzlichen isolierenden Schicht (114B) anliegt, und wobei die erste isolierende Schicht (114A) und die zumindest eine zusätzliche isolierende Schicht (114B) unterschiedliche dielektrische Materialien aufweisen und/oder durch einen unterschiedlichen Abscheidungsprozess ausgebildet werden.

公开(公告)号：DE112020003600T5

公开(公告)日：2022-04-14

申请号：DE112020003600

申请日：2020-08-17

Applicant: IBM

Inventor： SUN XIAO ,  CHOI JUNGWOOK ,  WANG NAIGANG ,  CHEN CHIA-YU ,  GOPALAKRISHNAN KAILASH

IPC: G06N3/08

Abstract: Eine Vorrichtung zum Trainieren und Folgern eines neuronalen Netzes enthält Schalttechnik, die so konfiguriert ist, dass sie eine erste Gewichtung mit einem ersten Format, das eine erste Anzahl von Bits enthält, zumindest teilweise auf Grundlage einer zweiten Gewichtung mit einem zweiten Format, das eine zweite Anzahl von Bits enthält, und eines Rests mit einem dritten Format, das eine dritte Anzahl von Bits enthält, erzeugt. Die zweite Anzahl von Bits und die dritte Anzahl von Bits sind jeweils kleiner als die erste Anzahl von Bits. Die Schalttechnik ist ferner so konfiguriert, dass sie die zweite Gewichtung zumindest teilweise auf Grundlage der ersten Gewichtung aktualisiert und den Rest zumindest teilweise auf Grundlage der aktualisierten zweiten Gewichtung und der ersten Gewichtung aktualisiert. Die Schalttechnik ist ferner so konfiguriert, dass sie die erste Gewichtung zumindest teilweise auf Grundlage der aktualisierten zweiten Gewichtung und des aktualisierten Rests aktualisiert.

公开(公告)号：DE102016105377A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102016105377

申请日：2016-03-22

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  GALLAGHER WILLIAM J ,  KELLOCK ANDREW JOHN ,  O'SULLIVAN EUGENE J ,  ROMANKIW LUBOMYR T ,  WANG NAIGANG

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/08

Abstract: Eine magnetische Struktur auf einem Chip beinhaltet ein magnetisches Material, das Cobalt in einem Bereich von etwa 80 bis etwa 90 Atom-% (At.-%) auf Grundlage der Gesamtzahl von Atomen des magnetischen Materials, Wolfram in einem Bereich von etwa 4 bis etwa 9 At.-% auf Grundlage der Gesamtzahl von Atomen des magnetischen Materials, Phosphor in einem Bereich von etwa 7 bis etwa 15 At.-% auf Grundlage der Gesamtzahl von Atomen des magnetischen Materials und Palladium im Wesentlichen im gesamten magnetischen Material verteilt aufweist.