公开(公告)号：DE102010045325A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：DE102010045325

申请日：2010-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ALVAREZ DAVID ,  DOMANSKI KRZYSZTOF ,  LANGGUTH GERNOT ,  RUSS CHRISTIAN ,  SOLDNER WOLFGANG

IPC: H01L23/60

公开(公告)号：DE102013106667B4

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：DE102013106667

申请日：2013-06-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DOMANSKI KRZYSZTOF

IPC: H01L23/62 ,  H01L29/772 ,  H01L29/861

Abstract: Einrichtung, umfassend:ein Substrat (10; 40),ein in dem Substrat (10; 40) angeordnetesHalbleiterbauelement (11; 33; 59; 69), wobei das Halbleiterbauelement (11; 33; 59; 69) in einer Wanne (418; 513; 613) einer ersten Polarität bereitgestellt ist, und wobei das Substrat (10; 40) eine von der ersten Polarität verschiedene zweite Polarität aufweist, undein das Halbleiterbauelement (11; 33; 59; 69) zumindest teilweise umgebendes Kontaktelement (12; 31; 414; 56; 66), um das Substrat (10; 40) elektrisch zu kontaktieren, wobei das Kontaktelement (12; 31; 414; 56; 66) über ein resistives Element (14; 38; 48; 53; 63) mit einer Versorgungsspannung (15; 39; 43; 52; 62) gekoppelt ist, und wobei ein Substratkontakt immer über ein resistives Element mit einer Versorgungsspannung verbunden ist, wenn sich der Substratkontakt innerhalb eines vorgegebenen Abstandes von dem Halbleiterbauelement befindet.

公开(公告)号：DE102011056317B4

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102011056317

申请日：2011-12-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ALVAREZ DAVID ,  DOMANSKI KRZYSZTOF ,  ILLE ADRIEN BENOIT ,  RUSS CHRISTIAN CORNELIUS ,  SOLDNER WOLFGANG

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/78

Abstract: Schaltung gegen elektrostatische Entladung (100), kurz ESD-Schaltung genannt, zum Bereitstellen eines Schutzes zwischen einem ersten Knoten und einem zweiten Knoten, wobei die ESD-Schaltung (100) Folgendes aufweist:• ein erstes MOS-Bauelement (T1) mit einer an einen ersten Knoten gekoppelten ersten Source-/Drainelektrode (D1) und einer an einen Zwischenknoten (102) gekoppelten zweiten Source-/Drainelektrode (S1);• einen zwischen eine Gateelektrode des ersten MOS-Bauelements (T1) und den ersten Knoten gekoppelten ersten Kondensator (C1);• einen zwischen die Gateelektrode des ersten MOS-Bauelements (T1) und den Zwischenknoten (102) gekoppelten ersten Widerstand (R1),• wobei ein Knoten zwischen dem ersten Widerstand (R1) und dem ersten Kondensator (C1) direkt elektrisch leitend mit der Gateelektrode des ersten MOS-Bauelements (T1) verbunden ist, und• wobei der erste Kondensator (C1) und der erste Widerstand (R1) in Hochpasskonfiguration verschaltet sind deren Eingang von dem ersten Knoten und dem Zwischenknoten (102) und deren Ausgang von der Gateelektrode des ersten MOS-Bauelements (T1) und dem Zwischenknoten (102) gebildet wird;• ein zweites MOS-Bauelement (T2) mit einer an den Zwischenknoten (102) gekoppelten ersten Source-/Drainelektrode (D2) und einer an den zweiten Knoten gekoppelten zweiten Source-/Drainelektrode (S2);• einen zwischen eine Gateelektrode des zweiten MOS-Bauelements (T2) und den ersten Knoten gekoppelten zweiten Kondensator (C2) und• einen zwischen die Gateelektrode des zweiten MOS-Bauelements (T2) und den zweiten Knoten gekoppelten zweiten Widerstand (R2),• wobei ein Knoten zwischen dem zweiten Widerstand (R2) und dem zweiten Kondensator (C2) direkt elektrisch leitend mit der Gateelektrode des zweiten MOS-Bauelements (T2) verbunden ist, und• wobei der zweite Kondensator (C2) und der zweite Widerstand (R2) in Hochpasskonfiguration verschaltet sind deren Eingang von dem ersten Knoten und dem zweiten Knoten und deren Ausgang von der Gateelektrode des zweiten MOS-Bauelements (T1) und dem zweiten Knoten gebildet wird.

公开(公告)号：DE102011054700A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：DE102011054700

申请日：2011-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ALVAREZ DAVID ,  DOMANSKI KRZYSZTOF ,  RUSS CHRISTIAN CORNELIUS ,  SOLDNER WOLFGANG

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/74

Abstract: Ein Ausführungsform-Halbleiterbauelement besitzt einen auf einem zweiten Bauelementebereich angeordneten ersten Bauelementebereich (18) innerhalb einer in einem Halbleiterkörper angeordneten ESD-Bauelementebereich. Außerdem ist ein auf dem zweiten Bauelementebereich angeordneter dritter Bauelementebereich (20), ein an den zweite Bauelementebereich angrenzender vierter Bauelementebereich (22), ein in der vierten Bauelementebereich (22) angeordneter fünfter Bauelementebereich (24) und ein an den vierte Bauelementebereich (22) angrenzender sechster Bauelementebereich (54) vorgesehen. Der erste (18) und vierte Bereich (22) weisen einen ersten Halbleitertyp auf und der zweite, dritte (20), fünfte (24) und sechste Bereich (54) weisen einen zweiten Leitfähigkeitstyp auf, der dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt ist. Eine Grenzfläche zwischen dem vierten Bauelementebereich (22) und dem sechsten Bauelementebereich (54) bildet eine Diodensperrschicht (51). Der erste (18), zweite, vierte (22) und fünfte (24) Bauelementebereich bilden einen gesteuerten Halbleitergleichrichter.

公开(公告)号：DE102011054700B4

公开(公告)日：2019-01-17

申请号：DE102011054700

申请日：2011-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ALVAREZ DAVID ,  DOMANSKI KRZYSZTOF ,  RUSS CHRISTIAN CORNELIUS ,  SOLDNER WOLFGANG

IPC: H01L23/60

Abstract: Halbleiterbauelement, aufweisend:• einen in einem Halbleiterkörper angeordneten ESD-Bereich;• einen auf einem zweiten Bauelementebereich (20) eines zweiten Leitfähigkeitstyps angeordneten ersten Bauelementebereich (18) eines ersten Leitfähigkeitstyps, wobei der zweite Leitfähigkeitstyp dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt ist, wobei der erste Bauelementebereich (18) mit einem ersten ESD-Knoten (16) gekoppelt ist und wobei der zweite Bauelementebereich (20) in dem ESD-Bereich angeordnet ist;• einen auf dem zweiten Bauelementebereich (20) angeordneten dritten Bauelementebereich (204) des zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei der dritte Bauelementebereich (204) eine höhere Leitfähigkeit als der zweite Bauelementebereich (20) aufweist;• einen an dem zweiten Bauelementebereich (20) angrenzenden vierten Bauelementebereich (22) des ersten Leitfähigkeitstyps, wobei der vierte Bauelementebereich (22) in dem ESD-Bereich angeordnet ist;• einen in dem vierten Bauelementebereich (22) angeordneten fünften Bauelementebereich (24) des zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei der erste Bauelementebereich (18), der zweite Bauelementebereich (20), der vierte Bauelementebereich (22) und der fünfte Bauelementebereich (24) einen gesteuerten Halbleitergleichrichter bilden, wobei der fünfte Bauelementebereich (24) mit einem zweiten ESD-Knoten (34) gekoppelt ist; und• einen an den vierten Bauelementebereich (22) angrenzenden sechsten Bauelementebereich (54) des zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei eine Grenzfläche zwischen dem vierten Bauelementebereich (22) und dem sechsten Bauelementebereich (54) eine Diodensperrschicht (51) bildet,• wobei das Halbeleiterbauelement derart eingerichtet ist, dass ein Triggerstrom des gesteuerten Halbleitergleichrichters mittels Anlegens einer Vorspannung an die Diodensperrschicht moduliert wird.

公开(公告)号：DE102010045325B4

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：DE102010045325

申请日：2010-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ALVAREZ DAVID ,  DOMANSKI KRZYSZTOF ,  LANGGUTH GERNOT DR ,  RUSS CHRISTIAN DR ,  SOLDNER WOLFGANG

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/088 ,  H01L29/74

Abstract: ESD-Schutzschaltung (100, 200, 300, 400, 500, 600, 1100), umfassend: einen ersten Transistor (102, 202, 302, 402_1, 502, 502_1, 602) mit einem an eine erste Versorgungsleitung (110, 210, 310, 410, 510, 610, 1110) direkt leitend verbundenen ersten Anschluss (108) und einem an eine zweite Versorgungsleitung (114, 214, 314, 414, 514, 614, 1114) direkt leitend verbundenen Bulk (109); einen zweiten Transistor (104, 204, 304, 404_1, 504, 504_1, 604) mit einem an die zweite Versorgungsleitung direkt leitend verbundenen ersten Anschluss (112), einem an die erste Versorgungsleitung direkt leitend verbundenen Bulk (111) und einem an einen zweiten Anschluss (116) des ersten Transistors direkt leitend verbundenen zweiten Anschluss (118), um einen geschützten Knoten (120, 1120) zu definieren; und ein Strombegrenzungselement (106) mit einem an den geschützten Knoten direkt leitend verbundenen ersten Anschluss (122); und eine an einen zweiten Anschluss (124) des Strombegrenzungselements direkt leitend verbundene primäre ESD-Schutzstufe (152, 652, 752, 952, 1052).

公开(公告)号：DE102013113740A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：DE102013113740

申请日：2013-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DOMANSKI KRZYSZTOF

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/082 ,  H01L29/06

Abstract: Verschiedene Implementierungen, welche eine ESD-Schutzstruktur (200) umfassen, sind dargestellt. Die Struktur (200) kann eine Vielzahl erster dotierter Bereiche (C1–C8), welche erste Anschlüsse einer Vielzahl von Transistoren (202) bilden, eine Vielzahl zweiter dotierter Bereiche (E1–E8), welche zweite Anschlüsse einer Vielzahl von Transistoren (202) bilden, und einen dritten dotierten Bereich (B), welcher die Vielzahl erster dotierter Bereiche (C1–C8) und die Vielzahl zweiter dotierter Bereiche (E1–E8) umgibt, um einen gemeinsamen dritten Anschluss der Vielzahl von Transistoren (202) zu bilden. Die Vielzahl erster dotierter Bereiche (C1–C8) und die Vielzahl zweiter dotierter Bereiche (E1–E8) können in einem alternierenden Muster angeordnet sein, sodass ein ESD-Entladungsstrom, welcher an irgendeinem der Vielzahl erster dotierter Bereiche (C1–C8) empfangen wird, durch mindestens zwei der Vielzahl zweiter dotierter Bereiche (E1–E8) dissipiert.

公开(公告)号：DE102013106668A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：DE102013106668

申请日：2013-06-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DOMANSKI KRZYSZTOF

IPC: H01L23/60

Abstract: Einrichtungen und Verfahren werden bereitgestellt, bei welchen eine Diodenkette (13, 15) in einer Wanne (11) bereitgestellt wird und die Wanne (11) mit einer Zwischenspannung zwischen an Anschlüsse (12, 16) der Diodenkette angelegten Spannungen vorgespannt wird.

公开(公告)号：DE102011056317A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：DE102011056317

申请日：2011-12-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ALVAREZ DAVID ,  DOMANSKI KRZYSZTOF ,  ILLE ADRIEN BENOIT ,  RUSS CHRISTIAN CORNELIUS ,  SOLDNER WOLFGANG

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/78

Abstract: Bei einer Ausführungsform enthält eine Schaltung gegen elektrostatische Entladung (ESD) (100) zum Bereitstellen eines Schutzes zwischen einem ersten Knoten und einem zweiten Knoten ein erstes MOS-Bauelement (T1) mit einer an einen ersten Knoten gekoppelten ersten Source-/Drainelektrode und (D1) einer an einen Zwischenknoten (102) gekoppelten zweite100) enthält auch einen zwischen eine Gateelektrode des ersten MOS-Bauelements (T1) und den ersten Knoten gekoppelten ersten Kondensator (C1); einen zwischen die Gateelektrode des ersten MOS-Bauelements (T1) und den Zwischenknoten (102) gekoppelten ersten Widerstand (R1); ein zweites MOS-Bauelement (T2) mit einer an den Zwischenknoten (102) gekoppelten ersten Source-/Drainelektrode (D2) und einer an den zweiten Knoten gekoppelten zweiten Source-/Drainelektrode (S2); einen zwischen eine Gateelektrode des zweiten MOS-Bauelements (T2) und den ersten Knoten gekoppelten zweiten Kondensator (R2) und einen zwischen die Gateelektrode des zweiten MOS-Bauelements (T2) und den zweiten Knoten gekoppelten zweiten Widerstand (R2).

公开(公告)号：DE102009013331B4

公开(公告)日：2019-01-17

申请号：DE102009013331

申请日：2009-03-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DOMANSKI KRZYSZTOF ,  ESMARK KAI ,  RUSS CHRISTIAN DR

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/822 ,  H01L29/36 ,  H01L29/74

Abstract: Halbleiterbauelement (100; 200), aufweisend:ein ESD-Bauelementgebiet, das innerhalb eines Halbleiterkörpers (102) angeordnet ist;mehrere erste Bauelementgebiete (110; 210) eines ersten Leitfähigkeitstyps, die auf einem zweiten Bauelementgebiet (108; 104) eines zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet sind, wobei der zweite Leitfähigkeitstyp dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt ist, wobei das zweite Bauelementgebiet (108; 104) innerhalb des ESD-Bauelementgebiets angeordnet ist;mehrere dritte Bauelementgebiete (113; 213), die auf dem zweiten Bauelementgebiet angeordnet sind, wobei jedes dritte Bauelementgebiet (113; 213) jeweils zwei Subgebiete (112; 212) vom ersten Leitfähigkeitstyp und ein Subgebiet (114; 214) vom zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, wobei das Subgebiet (114; 214) vom zweiten Leitfähigkeitstyp zwischen den beiden Subgebieten (112; 212) vom ersten Leitfähigkeitstyp angeordnet ist, wobeidie mehreren ersten und dritten Bauelementgebiete (110, 113; 210, 213) so auf dem zweiten Bauelementgebiet (108; 104) verteilt sind, dass die dritten Bauelementgebiete (113; 213) nicht direkt beieinanderliegen;ein viertes Bauelementgebiet (104; 208) vom ersten Leitfähigkeitstyp bei dem zweiten Bauelementgebiet (108; 104), wobei das vierte Bauelementgebiet (104; 208) innerhalb des ESD-Bauelementgebiets angeordnet ist; undein fünftes Bauelementgebiet (106; 206) vom zweiten Leitfähigkeitstyp, das innerhalb des vierten Bauelementgebiets (104; 208) angeordnet ist,wobei die Subgebiete (112; 212) vom ersten Leitfähigkeitstyp, das zweite Bauelementgebiet (108; 104), das vierte Bauelementgebiet (108; 104) und das fünfte Bauelementgebiet (106; 206) ein erstes SCR-Element (SCR1) bilden,wobei die ersten Bauelementgebiete (110; 210), das zweite Bauelementgebiet (108; 104), das vierte Bauelementgebiet (104; 208) und das fünfte Bauelementgebiet (106; 206) ein zweites SCR-Element (SCR2) bilden.