公开(公告)号：DE102013101258A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：DE102013101258

申请日：2013-02-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  LIM FONG ,  MOHAMED ABDUL RAHMAN ,  CHONG CHOOI MEI ,  FISCHBACH IDA ,  SCHLOEGL XAVER ,  HOEGLAUER JOSEF ,  SCHREDL JUERGEN

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/488

Abstract: Ein Verfahren beinhaltet das Bereitstellen eines Halbleiterchips mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche. Ein Halbleiterchip wird auf einem Träger platziert, wobei die erste Hauptoberfläche des Halbleiterchips dem Träger zugewandt ist. Eine erste Schicht aus Lotmaterial ist zwischen der ersten Hauptoberfläche und dem Träger vorgesehen. Ein Kontaktclip mit einem ersten Kontaktbereich wird auf dem Halbleiterchip platziert, wobei der erste Kontaktbereich der zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterchips zugewandt ist. Eine zweite Schicht aus Lotmaterial ist zwischen dem ersten Kontaktbereich und der zweiten Hauptoberfläche vorgesehen. Danach wirkt Wärme auf die erste und zweite Schicht aus Lotmaterial ein, um Diffusionslötbondstellen zwischen dem Träger, dem Halbleiterchip und dem Kontaktclip auszubilden.