公开(公告)号：DE102017105549A1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：DE102017105549

申请日：2017-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BONART DIETRICH ,  GROSS THOMAS ,  HAERING FRANZISKA ,  NIESSL MARKUS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: Offenbart ist eine Anordnung, die einen Träger mit einer Oberfläche und zumindest einem auf der Oberfläche gebildeten Kontaktpad aufweist. Das zumindest eine Kontaktpad enthält eine Basisschicht und zumindest zwei Schichtstapel, von denen jeder eine Zwischenschicht und eine Lotschicht enthält. Die zumindest zwei Schichtstapel sind derart auf der Basisschicht übereinander angeordnet, dass die Zwischenschicht eines der zumindest zwei Schichtstapel an die Basisschicht angrenzt und die Lotschicht eines anderen der zumindest zwei Schichtstapel eine oberste Schicht des Kontaktpads bildet. Weiterhin wird ein Verfahren zur Erzeugung dieser Art von Anordnung offenbart.

公开(公告)号：DE102017109218B4

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：DE102017109218

申请日：2017-04-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHNEEGANS MANFRED ,  HAERING FRANZISKA ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Ausbilden eines leitfähigen Liners (171) über einem ersten Landing-Pad (141) in einem ersten Gebiet (1) und über einem zweiten Landing-Pad (142) in einem zweiten Gebiet (2);Abscheiden eines ersten leitfähigen Materials (172) innerhalb erster Öffnungen innerhalb einer über dem leitfähigen Liner (171) ausgebildeten Resistschicht (181), wobei das erste leitfähige Material (172) überfüllt zum Ausbilden eines ersten Kontaktpads (50) und einer ersten Schicht (60A) eines zweiten Kontaktpads (60);Abscheiden einer zweiten Resistschicht (182) über dem ersten leitfähigen Material (172);Strukturieren der zweiten Resistschicht (182) zum Ausbilden zweiter Öffnungen, die die erste Schicht (60A) des zweiten Kontaktpads (60) exponieren, ohne das erste Kontaktpad (50) zu exponieren; undAbscheiden eines zweiten leitfähigen Materials (173) über der ersten Schicht (60A) des zweiten Kontaktpads (60), wobei das zweite leitfähige Material (173) auf Kupfer basiert und eine Schichtdicke größer als die Schichtdicke der ersten Schicht (60A) des zweiten Kontaktpads (60) aufweist.

公开(公告)号：DE102017109218A1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：DE102017109218

申请日：2017-04-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHNEEGANS MANFRED ,  HAERING FRANZISKA ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements beinhaltet das Ausbilden eines leitfähigen Liners über einem ersten Landing-Pad in einem ersten Gebiet und über einem zweiten Landing-Pad in einem zweiten Gebiet. Das Verfahren beinhaltet weiter das Abscheiden eines ersten leitfähigen Materials innerhalb erster Öffnungen innerhalb einer über dem leitfähigen Liner ausgebildeten Resistschicht. Das erste leitfähige Material überfüllt zum Ausbilden eines ersten Pads und einer ersten Schicht eines zweiten Pads. Das Verfahren beinhaltet weiterhin das Abscheiden einer zweiten Resistschicht über dem ersten leitfähigen Material und das Strukturieren der zweiten Resistschicht zum Ausbilden zweiter Öffnungen, die die erste Schicht des zweiten Pads exponieren, ohne das erste Pad zu exponieren. Ein zweites leitfähiges Material wird über der zweiten Schicht des zweiten Pads abgeschieden.

公开(公告)号：DE102015121633A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：DE102015121633

申请日：2015-12-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAERING FRANZISKA ,  MELZL MICHAEL ,  ROBL WERNER ,  SCHNEEGANS MANFRED ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: C25D3/02 ,  C25D3/38 ,  C25D3/40 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (400A) zum Ausbilden einer Metallschicht bereitgestellt sein: Das Verfahren kann das Abscheiden einer Metallschicht auf einem Träger unter Verwendung eines Elektrolyts, wobei der Elektrolyt zumindest einen Zusatz, der konfiguriert ist, um sich bei einer Temperatur über ungefähr 100°C zu zersetzen, und ein wasserlösliches Metallsalz umfassen kann, wobei der Elektrolyt frei von Kohlenstoff-Nanoröhrchen ist (409); und das Tempern der Metallschicht, um eine Metallschicht auszubilden, die eine Vielzahl von Poren umfasst, umfassen (419).