公开(公告)号：DE102019109200A1

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：DE102019109200

申请日：2019-04-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  WÄCHTER CLAUS VON ,  HEBLER BIRGIT ,  ARCIONI FRANCESCA ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  NIESSNER MARTIN RICHARD

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18 ,  H01P5/02

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterchip mit einer Hochfrequenzschaltung und einem Hochfrequenzanschluss, einen externen Hochfrequenzanschluss, und eine zwischen dem Hochfrequenzanschluss des Halbleiterchips und dem externen Hochfrequenzanschluss angeordnete nicht-galvanische Verbindung, wobei die nicht-galvanische Verbindung dazu ausgelegt ist, ein Hochfrequenzsignal zu übertragen.