公开(公告)号：DE102014100055A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：DE102014100055

申请日：2014-01-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHNEIDER JENS ,  KAISER DIETER ,  HELLER MARCEL ,  FEICK HENNING

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/00

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen stellen ein Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Trägers bereit, wobei das Verfahren (100) das Ändern einer dreidimensionalen Struktur einer Maskenschicht, die über dem Träger angeordnet ist, so dass wenigstens zwei Maskenschichtbereiche gebildet werden, die unterschiedliche Maskenschichtdicken besitzen (110); und das Anwenden eines Ionenimplantationsprozesses auf die wenigstens zwei Maskenschichtbereiche, um wenigstens zwei implantierte Bereiche in dem Träger zu bilden, die unterschiedliche Implantationstiefenprofile besitzen (120), enthält.

公开(公告)号：DE102004024886A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：DE102004024886

申请日：2004-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTMANN STEPHAN ,  VOGT MIRKO ,  HELLER MARCEL ,  VOELKL LARS ,  SACHSE HERMANN

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

Abstract: Method for applying photoactive multilayer coatings (6) to substrates (3) for transfer of structures from a photomask into the substrate comprises applying a nitrogen-free dielectric anti-reflection layer (1) to the substrate. This consists of non-stoichiometric silicon oxide and has a surface (4) to which a photoactive resist layer (2) can be applied. An independent claim is included for multilayer coating systems as described.

公开(公告)号：DE102014100055B4

公开(公告)日：2022-10-20

申请号：DE102014100055

申请日：2014-01-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHNEIDER JENS ,  KAISER DIETER ,  HELLER MARCEL ,  FEICK HENNING

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/00

Abstract: Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Trägers (202), wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Ändern einer dreidimensionalen Struktur einer Maskenschicht (204), die über dem Träger (202) angeordnet ist, so dass wenigstens zwei Maskenschichtbereiche (506) gebildet werden, die unterschiedliche Maskenschichtdicken (505) besitzen (110);Anwenden eines Ionenimplantationsprozesses auf die wenigstens zwei Maskenschichtbereiche (506), um wenigstens zwei implantierte Bereiche in dem Träger (202) zu bilden, die unterschiedliche Implantationstiefenprofile besitzen (120);wobei das Ändern (110) der dreidimensionalen Struktur der Maskenschicht (204) einen Lithographieprozess unter Verwendung einer einzigen Lithographiemaske zum Belichten der wenigstens zwei Maskenschichtbereiche (506) mit unterschiedlichen Belichtungen für jeden der wenigstens zwei Maskenschichtbereiche (506) aufweist,Belichten der wenigstens zwei unterschiedlichen Maskenschichtbereiche (506) mit unterschiedlichen Belichtungen mittels wenigstens zweier unterschiedlichen Pixelmaskenbereichen der einzigen Lithographiemaske; undKompensieren einer Variation der Lichtintensität eines Belichtungswerkzeugs mit wenigstens einer der wenigstens zwei unterschiedlichen Pixelmaskenbereiche der Lithographiepixelmaske.