公开(公告)号：DE112022005092T5

公开(公告)日：2024-08-08

申请号：DE112022005092

申请日：2022-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOLLER BERNHARD ,  BINTER ALEXANDER CHRISTIAN ,  HUBER MARTIN ,  HÖCHBAUER TOBIAS FRANZ WOLFGANG ,  MODER IRIS ,  PICCIN MATTEO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/78

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers umfasst: Bilden einer oder mehrerer epitaktischer Schichten über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers; Bilden einer oder mehrerer poröser Schichten in dem Halbleiterwafer oder in der einen oder den mehreren epitaktischen Schichten, wobei der Halbleiterwafer, die eine oder die mehreren epitaktischen Schichten und die eine oder die mehreren porösen Schichten zusammen ein Substrat bilden; Bilden dotierter Bereiche einer Halbleitervorrichtung in der einen oder den mehreren epitaktischen Schichten; und nach dem Bilden der dotierten Bereiche der Halbleitervorrichtung, Trennen eines nicht porösen Teils des Halbleiterwafers von einem Rest des Substrats entlang der einen oder der mehreren porösen Schichten.

公开(公告)号：DE102018111450A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102018111450

申请日：2018-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  DENIFL GÜNTER ,  HOECHBAUER TOBIAS FRANZ WOLFGANG ,  HUBER MARTIN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/301 ,  H01L29/02

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Verarbeiten eines Breiter-Bandabstand-Halbleiterwafers wird vorgeschlagen. Das Verfahren (100) umfasst ein Abscheiden (110) einer nicht-monokristallinen Stützschicht (320) an einer Rückseite eines Breiter-Bandabstand-Halbleiterwafers. Das Verfahren (100) umfasst ferner ein Abscheiden (120) einer epitaxialen Schicht an einer Vorderseite des Breiter-Bandabstand-Halbleiterwafers. Der Breiter-Bandabstand-Halbleiterwafer wird entlang einer Spaltregion gespalten (130), um einen Vorrichtungswafer umfassend zumindest einen Teil der epitaxialen Schicht, und einen verbleibenden Wafer umfassend die nicht-monokristalline Stützschicht (320) zu erhalten.