公开(公告)号：DE112022005092T5

公开(公告)日：2024-08-08

申请号：DE112022005092

申请日：2022-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOLLER BERNHARD ,  BINTER ALEXANDER CHRISTIAN ,  HUBER MARTIN ,  HÖCHBAUER TOBIAS FRANZ WOLFGANG ,  MODER IRIS ,  PICCIN MATTEO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/78

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers umfasst: Bilden einer oder mehrerer epitaktischer Schichten über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers; Bilden einer oder mehrerer poröser Schichten in dem Halbleiterwafer oder in der einen oder den mehreren epitaktischen Schichten, wobei der Halbleiterwafer, die eine oder die mehreren epitaktischen Schichten und die eine oder die mehreren porösen Schichten zusammen ein Substrat bilden; Bilden dotierter Bereiche einer Halbleitervorrichtung in der einen oder den mehreren epitaktischen Schichten; und nach dem Bilden der dotierten Bereiche der Halbleitervorrichtung, Trennen eines nicht porösen Teils des Halbleiterwafers von einem Rest des Substrats entlang der einen oder der mehreren porösen Schichten.

公开(公告)号：DE102019119289A1

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：DE102019119289

申请日：2019-07-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BROCKMEIER ANDRE ,  HOECHBAUER TOBIAS FRANZ WOLFGANG ,  METZGER-BRUECKL GERHARD ,  PICCIN MATTEO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L29/161

Abstract: Ein Träger (100), der dafür konfiguriert ist, über eine erste Oberfläche (104) an einem Halbleitersubstrat angebracht zu werden, weist eine eine erste Oberfläche (104) des Trägers (100) definierende zusammenhängende Kohlenstoffstruktur (102) und ein Verstärkungsmaterial (106), das zumindest 2 Vol.-% des Trägers (100) ausmacht, auf.

公开(公告)号：DE102018132447B4

公开(公告)日：2022-10-13

申请号：DE102018132447

申请日：2018-12-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KNABL MICHAEL ,  PICCIN MATTEO ,  DENIFL GÜNTER ,  KERN RONNY

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung (500), wobei das Verfahren aufweist:Vorsehen eines Hilfsträgers (680) und eines Siliziumcarbid-Substrats (700),wobei das Siliziumcarbid-Substrat (700) eine Hilfsschicht (760) und eine Vorrichtungsschicht (750) aufweist,wobei die Vorrichtungsschicht (750) zwischen der Hilfsschicht (760) und einer Hauptoberfläche (701) des Siliziumcarbid-Substrats (700) an einer Vorderseite des Siliziumcarbid-Substrats (700) gelegen ist,wobei die Vorrichtungsschicht (750) eine Vielzahl lateral getrennter Vorrichtungsgebiete (650) aufweist,wobei sich jedes Vorrichtungsgebiet (650) von der Hauptoberfläche (701) zur Hilfsschicht (760) erstreckt, undwobei der Hilfsträger (680) mit dem Siliziumcarbid-Substrat (700) an der Vorderseite strukturell verbunden ist;Entfernen der Hilfsschicht (760);Ausbilden, nach Entfernen der Hilfsschicht (760), einer Ausformungsstruktur (400), die eine gitterförmige Vertiefung (770) füllt, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral trennt;Entfernen des Hilfsträgers (680) nach Ausbilden der Ausformungsstruktur (400); undTrennen der Vorrichtungsgebiete (650), wobei Teile der Ausformungsstruktur (400) Rahmenstrukturen (480) bilden, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral umgeben.

公开(公告)号：DE102018116051A1

公开(公告)日：2020-01-09

申请号：DE102018116051

申请日：2018-07-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHÄFFER CARSTEN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  KERN RONNY ,  RUPP ROLAND ,  GOLLER BERNHARD ,  PICCIN MATTEO

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/301 ,  H01L21/302 ,  H01L21/60 ,  H01L23/492

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform eines hierin beschriebenen Verfahrens wird ein Siliziumcarbidsubstrat (700) geschaffen, das eine Vielzahl von Vorrichtungsgebieten (650) enthält. Eine vorderseitige Metallisierung (610) kann an einer Vorderseite des Siliziumcarbidsubstrats (700) vorgesehen werden. Das Verfahren kann ferner ein Vorsehen einer Hilfsstruktur (800) an einer Rückseite des Siliziumcarbidsubstrats (700) umfassen. Die Hilfsstruktur (800) enthält eine Vielzahl lateral getrennter Metallbereiche (810). Jeder Metallbereich (810) ist mit einem der Vorrichtungsgebiete (650) in Kontakt.

公开(公告)号：DE102018132447A1

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102018132447

申请日：2018-12-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KNABL MICHAEL ,  PICCIN MATTEO ,  DENIFL GÜNTER ,  KERN RONNY

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L29/78

Abstract: Vorgesehen werden ein Hilfsträger (680) und ein Siliziumcarbid-Substrat (700). Das Siliziumcarbid-Substrat (700) enthält eine Hilfsschicht (760) und eine Vorrichtungsschicht (750) zwischen einer Hauptoberfläche (701) an einer Vorderseite des Siliziumcarbid-Substrats (700) und der Hilfsschicht (760). Die Vorrichtungsschicht (750) enthält eine Vielzahl lateral getrennter Vorrichtungsgebiete (650), wobei sich jedes Vorrichtungsgebiet (650) von der Hauptoberfläche (701) zur Hilfsschicht (760) erstreckt. Der Hilfsträger (680) ist mit dem Siliziumcarbid-Substrat (700) an der Vorderseite strukturell verbunden. Die Hilfsschicht (760) wird entfernt. Eine Ausformungsstruktur (400) wird ausgebildet, die eine gitterförmige Vertiefung (770) füllt, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral trennt. Die Vorrichtungsgebiete (650) werden getrennt, wobei Teile der Ausformungsstruktur (400) Rahmenstrukturen (480) bilden, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral umgeben.

公开(公告)号：DE102023118720B4

公开(公告)日：2025-02-06

申请号：DE102023118720

申请日：2023-07-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PICCIN MATTEO

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/18 ,  H01L21/304 ,  H01L21/77 ,  H10D8/00 ,  H10D12/00 ,  H10D30/60 ,  H10D62/832

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Siliziumcarbid-Vorrichtung umfasst das Ausbilden einer Übertragungsfolie (110), die eine poröse Siliziumcarbid-Schicht (116) enthält. Ausgebildet wird ein Verbundsubstrat (100), das die Übertragungsfolie (110) und ein Trägersubstrat (190) umfasst, wobei die Übertragungsfolie (110) und das Trägersubstrat (190) miteinander in Kontakt gebracht und verbunden werden. Eine epitaktische Schicht (120) wird auf einer dem Trägersubstrat (190) entgegengesetzten Seite der porösen Siliziumcarbid-Schicht (116) ausgebildet. Das Verbundsubstrat (100) wird in ein Vorrichtungssubstrat (150) und ein Rückgewinnungssubstrat (160) geteilt, wobei das Vorrichtungssubstrat (150) die epitaktische Schicht (120) enthält und das Rückgewinnungssubstrat (160) das Trägersubstrat (190) enthält.

公开(公告)号：DE102023118720A1

公开(公告)日：2025-01-16

申请号：DE102023118720

申请日：2023-07-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PICCIN MATTEO

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/18 ,  H01L21/304 ,  H01L21/77 ,  H10D8/00 ,  H10D12/00 ,  H10D30/60 ,  H10D62/832

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Siliziumcarbid-Vorrichtung umfasst das Ausbilden einer Übertragungsfolie (110), die eine poröse Siliziumcarbid-Schicht (116) enthält. Ausgebildet wird ein Verbundsubstrat (100), das die Übertragungsfolie (110) und ein Trägersubstrat (190) umfasst, wobei die Übertragungsfolie (110) und das Trägersubstrat (190) miteinander in Kontakt gebracht und verbunden werden. Eine epitaktische Schicht (120) wird auf einer dem Trägersubstrat (190) entgegengesetzten Seite der porösen Siliziumcarbid-Schicht (116) ausgebildet. Das Verbundsubstrat (100) wird in ein Vorrichtungssubstrat (150) und ein Rückgewinnungssubstrat (160) geteilt, wobei das Vorrichtungssubstrat (150) die epitaktische Schicht (120) enthält und das Rückgewinnungssubstrat (160) das Trägersubstrat (190) enthält.

公开(公告)号：DE102019111985A1

公开(公告)日：2020-11-12

申请号：DE102019111985

申请日：2019-05-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  LEHNERT WOLFGANG ,  DRAGHICI MIHAI ,  PICCIN MATTEO ,  HOECHBAUER TOBIAS FRANZ WOLFGANG

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/301 ,  H01L29/161

Abstract: Ein Wafer-Verbund (900) umfasst ein Handhabungssubstrat (100), eine Hilfsschicht (200), die auf einer ersten Hauptoberfläche (101) des Handhabungssubstrats (100) ausgebildet ist, und eine Siliziumcarbid-Struktur (320), die über der Hilfsschicht (200) ausgebildet ist. Das Handhabungssubstrat (100) wird Laserstrahlung ausgesetzt, wobei die Laserstrahlung kristallines Material entlang einer Fokusebene (105) im Handhabungssubstrat (100) modifiziert. Die Fokusebene (105) ist parallel zur ersten Hauptoberfläche (101). Die Hilfsschicht (200) ist dafür geeignet, eine Ausbreitung von Mikrorissen (156), die die Laserstrahlung im Handhabungssubstrat (100) erzeugen kann, zu stoppen.