公开(公告)号：DE102018106917A1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：DE102018106917

申请日：2018-03-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MACHEINER STEFAN ,  CHONG CHOOI MEI ,  HUD AMIRUL AFIQ ,  LEE TECK SIM ,  STOEK THOMAS ,  TAN WEI HING ,  WANG LEE SHUANG

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/60 ,  H02K11/30 ,  H02M1/00

Abstract: Bei manchen Beispielen beinhaltet eine Vorrichtung ein Leistungsversorgungselement und ein Referenzspannungselement, wobei das Referenzspannungselement von dem Leistungsversorgungselement elektrisch isoliert ist. Die Vorrichtung beinhaltet ferner einen High-Side-Halbleiter-Die, der mindestens zwei High-Side-Transistoren beinhaltet, wobei jeder High-Side-Transistor der mindestens zwei High-Side-Transistoren elektrisch mit dem Leistungsversorgungselement verbunden ist. Die Vorrichtung beinhaltet auch einen Low-Side-Halbleiter-Die, der mindestens zwei Low-Side-Transistoren beinhaltet, wobei jeder Low-Side-Transistor der mindestens zwei Low-Side-Transistoren elektrisch mit dem Referenzspannungselement verbunden ist. Die Vorrichtung beinhaltet mindestens zwei Schaltelemente, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente elektrisch mit einem jeweiligen High-Side-Transistor der mindestens zwei High-Side-Transistoren und einem jeweiligen Low-Side-Transistor der mindestens zwei Low-Side-Transistoren verbunden ist.

公开(公告)号：DE102018201013A1

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：DE102018201013

申请日：2018-01-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAJURI MOHD KAHAR ,  CABATBAT EDMUND SALES ,  CRUZ GAYLORD EVANGELISTA ,  HUD AMIRUL AFIQ ,  LEE TECK SIM ,  SANTOS NORBERT JOSON ,  TAI CHIEW LI ,  YANG CHIN WEI

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/36 ,  H01L23/495

Abstract: Ein Verfahren zum Formen eines Halbleiterbauelement-Package umfasst das Bereitstellen eines Leiterrahmens mit einer peripheren Struktur und einem Wärmekörper mit einer oberen und einer unteren Oberfläche, wobei der Wärmekörper an der peripheren Struktur angebracht ist. Ein Halbleiter-Die ist an dem Wärmekörper angebracht. Der Halbleiter-Die ist mit einer Formmasse eingekapselt, während der Wärmekörper an der peripheren Struktur angebracht ist. Der Wärmekörper ist vollständig frei von Verbindern vor dem Einkapseln.