公开(公告)号：DE102019118795B4

公开(公告)日：2025-02-13

申请号：DE102019118795

申请日：2019-07-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOEK THOMAS ,  HONG CHII SHANG ,  TAI CHIEW LI ,  CABATBAT EDMUND SALES

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: Einheit für integrierte Schaltungen, IC-Einheit, (300) umfassend:einen Chip (230);einen ersten Anschluss (110-1, 220-2), der über einen ersten Draht (225-2) mit dem Chip (230) verbunden ist;einen zweiten Anschluss (110-2, 220-3), der über einen zweiten Draht (225-4) mit dem Chip (230) verbunden ist; undeinen Mehrzweig-Anschluss (110-3, 210), umfassend:einen ersten Zweig (120-2), der eine aktive Verbindung zu dem Chip (230) aufweist,einen zweiten Zweig (120-3), der eine passive Verbindung mit dem zweiten Anschluss (110-2, 220-3) aufweist, undeinen dritten Zweig (120-1), der als Teil einer Trägerstruktur der IC-Einheit (105) ausgebildet ist;wobei der erste und der zweite Zweig (120-2, 120-3) jeweils eine mit dem dritten Zweig (102-1) verbundene Basis sowie ein von dem dritten Zweig (120-1) durch einen Spalt beabstandetes Ende aufweisen.

公开(公告)号：DE102019118795A1

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：DE102019118795

申请日：2019-07-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOEK THOMAS ,  HONG CHII SHANG ,  TAI CHIEW LI ,  CABATBAT EDMUND SALES

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: Ein Beispiel für einen Mehrzweig-Anschluss für eine Einheit mit einer integrierten Schaltung (IC) ist hierin beschrieben. Ein exemplarischer Mehrzweig-Anschluss einer integrierten Schaltung (IC) kann einen ersten Zweig beinhalten, der eine aktive Verbindung mit einem Chip des IC beinhalten kann, wobei die aktive Verbindung einen Draht beinhalten kann, der mit dem Chip des IC verbunden ist; und einen zweiten Zweig, der eine passive Verbindung mit dem Chip des IC beinhalten kann, wobei die passive Verbindung einen Kondensator beinhalten kann, der mit dem zweiten Zweig und einem ersten Anschluss des IC verbunden ist.

公开(公告)号：DE102018201013A1

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：DE102018201013

申请日：2018-01-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAJURI MOHD KAHAR ,  CABATBAT EDMUND SALES ,  CRUZ GAYLORD EVANGELISTA ,  HUD AMIRUL AFIQ ,  LEE TECK SIM ,  SANTOS NORBERT JOSON ,  TAI CHIEW LI ,  YANG CHIN WEI

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/36 ,  H01L23/495

Abstract: Ein Verfahren zum Formen eines Halbleiterbauelement-Package umfasst das Bereitstellen eines Leiterrahmens mit einer peripheren Struktur und einem Wärmekörper mit einer oberen und einer unteren Oberfläche, wobei der Wärmekörper an der peripheren Struktur angebracht ist. Ein Halbleiter-Die ist an dem Wärmekörper angebracht. Der Halbleiter-Die ist mit einer Formmasse eingekapselt, während der Wärmekörper an der peripheren Struktur angebracht ist. Der Wärmekörper ist vollständig frei von Verbindern vor dem Einkapseln.

公开(公告)号：DE102021113064A1

公开(公告)日：2021-11-25

申请号：DE102021113064

申请日：2021-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GAN THAI KEE ,  CABATBAT EDMUND SALES

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/28 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Halbleitergehäuse enthält ein Die-Pad, ein Die, eine erste Leitung, eine Vielzahl von zweiten Leitungen und ein Formmaterial. Das Die ist elektrisch mit dem Die-Pad verbunden. Die erste Leitung ist elektrisch mit dem Chip gekoppelt. Die Mehrzahl der zweiten Leitungen ist elektrisch mit dem Chip gekoppelt. Die Mehrzahl der zweiten Leitungen ist an die erste Leitung angeschlossen. Das Formmaterial umschließt mindestens einen Teil des Chip-Pads, des Chips, der ersten Leitung und der Vielzahl der zweiten Leitungen. Jede der mehreren zweiten Leitungen erstreckt sich in einem weiteren Abstand vom Formmaterial als die erste Leitung.

公开(公告)号：DE102019112621A1

公开(公告)日：2019-11-21

申请号：DE102019112621

申请日：2019-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HONG CHII SHANG ,  CABATBAT EDMUND SALES ,  WANG LEE SHUANG

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01L23/36

Abstract: Ein Halbleiterbauelementgehäuse beinhaltet ein elektrisch leitfähiges Diepad mit einer Diebefestigungsfläche und einer Außenfläche. Ein Halbleiterdie ist auf der Diebefestigungsfläche montiert. Ein Verkapselungsmaterial verkapselt den Halbleiterdie und legt die Außenfläche des Die frei. Eine erste Leitung berührt direkt den Diepad, erstreckt sich von einer ersten Seitenwand des Verkapselungsmaterials weg und biegt sich zu einer Unterseite des Verkapselungsmaterials hin. Eine zweite Leitung ist elektrisch mit einem Anschluss des Halbleiterdie verbunden, erstreckt sich von einer zweiten Seitenwand des Verkapselungsmaterials weg und biegt sich zur Unterseite des Verkapselungsmaterials hin. Ein erster Seitenabschnitt der ersten Leitung, der die erste Seitenwand schneidet, ist vertikal versetzt von einem zweiten Seitenabschnitt der zweiten Leitung, der die zweite Seitenwand schneidet.