公开(公告)号：DE102013014393A8

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：DE102013014393

申请日：2013-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KERN THOMAS ,  OTTERSTEDT JAN ,  PAPARISTO EDVIN ,  JEFREMOW MIHAIL ,  ALLERS WOLF ,  CASTRO LEONARDO

IPC: G11C5/14

公开(公告)号：DE102013014354A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：DE102013014354

申请日：2013-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ALLERS WOLF ,  JEFREMOW MIHAIL ,  KERN THOMAS ,  OTTERSTEDT JAN ,  PETERS CHRISTIAN

IPC: G11C11/14

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf Verfahren und Systeme zum Lesen einer Speicherzelle und insbesondere eines STT-MRAM. In Übereinstimmung mit einem Aspekt der Erfindung umfasst ein Verfahren zum Lesen einer Speicherzelle die Schritte des Kombinierens eines Zellenstroms von einer Speicherzelle mit einem Referenzstrom von einer Referenzquelle, um einen mittleren Strom zu bilden, des Ermöglichens, dass der mittlere Strom durch einen ersten Spiegeltransistor in einem Abfühlpfad und einen zweiten Spiegeltransistor in einem Referenzpfad fließt, des Speicherns der Strom-Nichtübereinstimmung bzw. Stromdiskrepanz in einem Kondensator, der mit den Gates des ersten Spiegeltransistors und des zweiten Spiegeltransistors gekoppelt ist, des Trennens der Speicherzelle von dem Referenzpfad und des Trennens der Referenzquelle von dem Abfühl- bzw. Lesepfad, des Ermöglichens, dass nur der Zellenstrom durch den Abfühl- bzw. Lesepfad fließt, und des Ermittelns des Ausgangspegels der Speicherzelle.

公开(公告)号：DE102013013928A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：DE102013013928

申请日：2013-08-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ALLERS WOLF ,  JEFREMOW MIHAIL ,  MUELLER DAVID

IPC: G11C11/02

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf Verfahren und Systeme zum Lesen einer Speicherzelle und insbesondere eines STT-MRAM. In Übereinstimmung mit einem Aspekt der Erfindung weist ein System zum Lesen einer Speicherzelle einen Abfühlpfad und einen inversen Abfühlpfad auf. Ein Referenzstrom wird durch den Abfühlpfad bereitgestellt und wird mittels eines ersten Abtastelements in dem Abfühlpfad abgetastet, und ein Zellenstrom von der Speicherzelle wird durch den inversen Abfühlpfad bereitgestellt und wird mittels eines zweiten Abtastelements in dem inversen Abfühlpfad abgetastet. Danach wird die Speicherzelle von dem inversen Abfühlpfad getrennt und der Zellenstrom wird durch den Abfühlpfad bereitgestellt, und die Referenzquelle wird von dem Abfühlpfad getrennt und der Referenzstrom wird durch den inversen Abfühlpfad bereitgestellt. Die Ausgangspegel werden dann durch die Zellen- und Referenzströme bestimmt, die den abgetasteten Referenzströmen und den abgetasteten Zellenströmen entgegenwirken.

公开(公告)号：DE102013101283A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：DE102013101283

申请日：2013-02-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ALLERS WOLF ,  JEFREMOW MIHAIL ,  OTTERSTEDT JAN ,  PETERS CHRISTIAN ,  WIESNER ROBERT

IPC: G11C11/15

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine Speicherzelle bereitgestellt, welche ein erstes zweipoliges Speicherelement (104), ein zweites zweipoliges Speicherelement (106), einen Steuerungsschaltkreis (108), welcher eingerichtet ist des erste zweipolige Speicherelement (104) in einen oder mehr Zustände und das zweite zweipolige Speicherelement (106) in einen oder mehr Zustände zu programmieren, wobei ein Zustand des ersten zweipoligen Speicherelements (104) und ein Zustand des zweiten zweipoligen Speicherelements (106) voneinander abhängig sind, und einen Messschaltkreis (112), welcher eingerichtet ist ein Differenzsignal zwischen einem ersten Speicherelement-Signal, welches mit dem Zustand des ersten zweipoligen Speicherelements (104) assoziiert ist, und einem zweiten Speicherelement-Signal zu messen, welches mit dem Zustand des zweiten zweipoligen Speicherelements (106) assoziiert ist.

公开(公告)号：DE102013014354B4

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102013014354

申请日：2013-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ALLERS WOLF ,  JEFREMOW MIHAIL ,  KERN THOMAS ,  OTTERSTEDT JAN ,  PETERS CHRISTIAN

IPC: G11C11/14

Abstract: Verfahren zum Reduzieren eines Nichtübereinstimmungsfehlers für einen Leseverstärker für Speicherzellen, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:während einer Vorladephase die Mittelwertbildung aus einem Zellenstrom von einer Speicherzelle und einem Referenzstrom von einer Referenzquelle, bevor diese durch einen ersten und einen zweiten Spiegeltransistor fließen;während der Vorladephase das Speichern einer Differenz zwischen einer Gate-Spannung des ersten Spiegeltransistors und einer Gate-Spannung des zweiten Spiegeltransistors mittels eines Kondensators, während die durch die Mittelwertbildung erzeugten Ströme durch den ersten und zweiten Spiegeltransistor fließen; undwährend einer Lesephase das Öffnen der Gates des ersten Spiegeltransistors und des zweiten Spiegeltransistors.

公开(公告)号：DE102015100104A1

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：DE102015100104

申请日：2015-01-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JEFREMOW MIHAIL ,  KERN THOMAS

IPC: G11C7/06

Abstract: Ein Leseverstärker einer Speicherzelle, die eine Lesespannungserzeugungsschaltung hat, die dazu konfiguriert ist, eine Lesespannung zu erzeugen; und eine Leseschaltung, die dazu konfiguriert ist, eine Bitleitungsspannung der Speicherzelle mit der Lesespannung zu vergleichen, und ein digitales Ausgabesignal auszugeben, das den Inhalt der Speicherzelle anzeigt, wobei während einer Lesephase die Leseschaltung von einer Spannungsversorgung, die eine Bitleitungskapazität während einer Vorladungsphase lädt, entkoppelt und an die Bitleitungskapazität gekoppelt ist und von der Bitleitungskapazität versorgt wird. Die Lesespannungserzeugungsschaltung kann ferner dazu konfiguriert sein, eine Lesespannung zu erzeugen, die während einer Vorladungsphase von der Spannungsversorgung abhängt und die während einer Lesephase unabhängig von der Spannungsversorgung ist.

公开(公告)号：DE102023120085A1

公开(公告)日：2025-01-30

申请号：DE102023120085

申请日：2023-07-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JEFREMOW MIHAIL ,  KERN THOMAS ,  VOIGTLÄNDER ARNDT

IPC: G11C7/06

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform wird eine Speicherausleseschaltung beschrieben, aufweisend einen Ausleseknoten, der eine Kapazität aufweist, die zum Auslesen einer Speicherzelle mittels eines Zellstroms durch die Speicherzelle entladen wird, einen Pegel-Detektor, der eingerichtet ist, ein digitales Ausgangssignal zu liefern und das Ausgangssignal umzuschalten, wenn das Potential des Ausleseknotens (aufgrund des Entladens des Ausleseknotens) eine Schaltschwelle durchschreitet (je nach Wahl der Pegel und der Polarität nach unten oder nach oben, d.h. die Schaltschwelle überschreitet oder unterschreitet) und eine Steuerschaltung, die eingerichtet ist, die Schaltschwelle und/oder die Schaltgeschwindigkeit des Pegel-Detektors abhängig von dem Zellstrom einzustellen.

公开(公告)号：DE102014118512A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：DE102014118512

申请日：2014-12-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KERN THOMAS ,  JEFREMOW MIHAIL

IPC: G11C7/06

Abstract: Eine Ausführungsform betrifft ein Verfahren zur Datenverarbeitung und umfasst das Bestimmen einer elektrischen Variablen für jede Zelle eines Datenbits, das Umwandeln jeder elektrischen Variablen in die Zeitdomäne und das Bestimmen eines Leerzustands für zumindest ein Datenbit, basierend auf einem Vergleich der umgewandelten elektrischen Variablen.

公开(公告)号：DE102014001142A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：DE102014001142

申请日：2014-01-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ALLERS WOLF ,  PAPARISTO EDVIN ,  JEFREMOW MIHAIL ,  OTTERSTEDT JAN ,  CASTRO LEONARDO

IPC: G11C16/10

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf ein elektronisches Speichersystem und insbesondere auf ein System zur adaptiven Bitratenprogrammierung einer Speichervorrichtung und auf ein Verfahren zur adaptiven Bitratenprogrammierung einer Speichervorrichtung. In Übereinstimmung mit einer Ausführungsform ist ein System zur adaptiven Bitratenprogrammierung einer Speichervorrichtung, die eine Vielzahl von Speicherzellen aufweist, bereitgestellt, wobei die Speicherzellen dafür konfiguriert sind, elektrisch durch das Anlegen eines von einer Stromquelle zugeführten Stroms programmierbar zu sein, wobei das System Selektionseinrichtungen zum Selektieren von Speicherzellen für das Programmieren auf der Grundlage der Verfügbarkeit eines Stroms von der Stromquelle aufweist.

公开(公告)号：DE102013013926A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：DE102013013926

申请日：2013-08-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JEFREMOW MIHAIL ,  ALLERS WOLF ,  KERN THOMAS ,  OTTERSTEDT JAN ,  PETERS CHRISTIAN

IPC: G11C11/02

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf Verfahren und Systeme zum Lesen einer Speicherzelle, insbesondere eines STT-MRAM. In Übereinstimmung mit einem Aspekt der Erfindung weist ein System zum Lesen einer Speicherzelle einen Lesepfad und einen Vorladepfad auf. Der Referenzstrom wird durch den Lesepfad bereitgestellt und wird mittels eines Abtastelements in dem Lesepfad abgetastet. Danach wird ein Strom von der Speicherzelle durch das gleiche Abtastelement und den gleichen Lesepfad bereitgestellt. Der Ausgangspegel wird dann durch den Zellenstrom bestimmt, der dem abgetasteten Referenzstrom entgegenwirkt.