公开(公告)号：DE102015101581A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：DE102015101581

申请日：2015-02-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARTELS MARTIN ,  FEICK HENNING ,  KÜHN CHRISTIAN ,  OFFENBERG DIRK ,  STELTENPOHL ANTON ,  TADDIKEN HANS ,  UHLIG INES

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Schaltvorrichtung Folgendes aufweisen: einen Antennenanschluss; einen Schalter, der einen ersten Schalteranschluss und einen zweiten Schalteranschluss aufweist, wobei der erste Schalteranschluss an den Antennenanschluss gekoppelt ist, wobei der Schalter mindestens einen Transistor (100) an mindestens einem von über oder in einem Siliziumgebiet aufweist, das eine Sauerstoff-Störstellenkonzentration aufweist, die niedriger als etwa 3 × 1017 Atome pro cm3 ist; und einen Sende/Empfängeranschluss, der an den zweiten Schalteranschluss gekoppelt ist, wobei der Sende/Empfängeranschluss mindestens einer von denen ist, die ausgestaltet sind, ein Signal bereitzustellen, das über den Antennenanschluss empfangen wird, oder die ausgestaltet sind, ein Signal zu empfangen, das über den Antennenanschluss zu senden ist.

公开(公告)号：DE102008004860B4

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：DE102008004860

申请日：2008-01-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TADDIKEN HANS ,  KEBINGER HERBERT ,  KÜHN CHRISTIAN

IPC: H01L21/761 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/732 ,  H01L29/78

Abstract: Integrierte Schaltung (100) mit folgenden Merkmalen: einem mit einer ersten Dotierung dotierten Substrat (110); einem ersten Schaltelement (250) in dem Substrat (110); einer ersten Wanne (340) mit einer zu der ersten Dotierung komplementären zweiten Dotierung, wobei die erste Wanne (340) räumlich von dem ersten Schaltelement (250) beabstandet ist; einer zweiten Wanne (350) mit der ersten Dotierung in der ersten Wanne (340); einem Sourcegebiet (360) eines ersten Transistors (330) mit der zweiten Dotierung in der zweiten Wanne (350); einem von dem Sourcegebiet (360) über ein Kanalgebiet (400) räumlich beabstandetes Draingebiet (380) des ersten Transistors (330) mit der zweiten Dotierung in der zweiten Wanne (350); und einer Gateelektrode (420) des ersten Transistors (330), die benachbart zu und isoliert von dem Kanalgebiet (400) angeordnet ist, wobei das Substrat (110) einen spezifischen Widerstand im Bereich von 100 &OHgr;cm bis 10000 &OHgr;cm aufweist.