公开(公告)号：DE102017212763A1

公开(公告)日：2019-01-31

申请号：DE102017212763

申请日：2017-07-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KADOW CHRISTOPH ,  SEIDEL UWE

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung weist fünf Grundschritte auf: „Bereitstellen eines Halbleitersubstrats mit einer HF-Vorrichtung“; „Bereitstellen eines BEOL-Schichtstapels auf der ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats“; „Anbringen einer Trägerstruktur an einer ersten Hauptoberfläche des BEOL-Schichtstapels“; „Entfernen eines seitlichen Abschnitts des Halbleitersubstrats, der an die Vorrichtungsregion seitlich angrenzt, um einen seitlichen Abschnitt der zweiten Hauptoberfläche des BEOL-Schichtstapels freizulegen“ und „Öffnen einer Kontaktierungsregion des BEOL-Schichtstapels an dem seitlichen Abschnitt der zweiten Hauptoberfläche des BEOL-Schichtstapels“.

公开(公告)号：DE102011054784B4

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：DE102011054784

申请日：2011-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KADOW CHRISTOPH ,  MEYER THORSTEN ,  WERNER WOLFGANG

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterdie (10), umfassend:ein Substrat (12);ein erstes Bauelementgebiet (18) mit einer ersten Epitaxialschicht (14) auf dem Substrat (12) und einem oder mehreren, in der ersten Epitaxialschicht (14) des ersten Bauelementgebiets (18) ausgebildeten Halbleiterbauelementen von einem ersten Typ;ein von dem ersten Bauelementgebiet (18) beabstandetes zweites Bauelementgebiet (20) mit einer zweiten Epitaxialschicht (16) auf dem Substrat (12) und einem oder mehreren, in der zweiten Epitaxialschicht (16) des zweiten Bauelementgebiets (20) ausgebildeten Halbleiterbauelementen von einem zweiten Typ;wobei die erste Epitaxialschicht (14) von der zweiten Epitaxialschicht (16) verschieden ist,wobei die erste Epitaxialschicht (14) auf dem Substrat (12) und die zweite Epitaxialschicht (16) auf der ersten Epitaxialschicht (14) ausgebildet ist, undwobei die zweite Epitaxialschicht (16) eine andere Dotierkonzentration als die erste Epitaxialschicht (14) aufweist und/oder im zweiten Bauelementgebiet (20) eine größere Dicke als in dem ersten Bauelementgebiet (18) aufweist.

公开(公告)号：DE102011079138B4

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：DE102011079138

申请日：2011-07-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS ,  KADOW CHRISTOPH

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: Vertikales Transistorbauelement, das aufweist: einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Oberfläche (101) und einer zweiten Oberfläche (102); ein Driftgebiet (13); wenigstens ein Sourcegebiet (11) und wenigstens ein Bodygebiet (12), die zwischen dem Driftgebiet (13) und der ersten Oberfläche (101) angeordnet sind, wobei das Bodygebiet (12) zwischen dem Sourcegebiet (11) und dem Driftgebiet (13) angeordnet ist; wenigstens eine Gateelektrode (15), die benachbart zu dem Bodygebiet (12) angeordnet ist, und ein Gatedielektrikum (16), das zwischen der Gateelektrode (15) und dem wenigstens einen Bodygebiet (12) angeordnet ist; ein Draingebiet (14), das zwischen dem Driftgebiet (13) und der zweiten Oberfläche (102) angeordnet ist; eine Sourceelektrode (41), die das wenigstens eine Sourcegebiet (11) elektrisch kontaktiert und die elektrisch gegenüber der Gateelektrode (15) isoliert ist und oberhalb der ersten Oberfläche (101) angeordnet ist; eine Drainelektrode (42), die das Draingebiet (14) elektrisch kontaktiert und die auf der zweiten Oberfläche (102) angeordnet ist; wenigstens eine Gateverbindungselektrode (21), die elektrisch gegenüber dem Halbleiterkörper (100) isoliert ist, die sich in dem Halbleiterkörper (100) benachbart zu dem Driftgebiet (13) und dem Draingebiet (14) zu der zweiten Oberfläche (102) erstreckt und die elektrisch an die wenigstens eine Gateelektrode (15) angeschlossen ist.

公开(公告)号：DE102008044411B4

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：DE102008044411

申请日：2008-12-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DIBRA DONALD ,  KADOW CHRISTOPH

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/62

Abstract: Integrierte Schaltung, die aufweist: einen ersten Transistor (118) mit einem ersten Gate und einem ersten Source; einen zweiten Transistor (120a) mit einem zweiten Gate und einem zweiten Source; einen ersten Sourcekontakt (136a) der über dem zweiten Transistor (120a) angeordnet ist und der mit dem ersten Source und dem zweiten Source gekoppelt ist; und eine mit dem ersten Sourcekontakt (136a) gekoppelte erste Bondleitung (144a), wobei die integrierte Schaltung weiterhin eine Schaltung (110) aufweist, die dazu ausgebildet ist, den ersten und den zweiten Transistor (118, 120a) als Reaktion auf ein Eingangssignal einzuschalten, den zweiten Transistor (120a) als Reaktion auf einen Überlastzustand auszuschalten und den ersten Transistor (118) bei Fortbestehen des Überlastzustandes zu einem späteren Zeitpunkt auszuschalten.

公开(公告)号：DE102013100683A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：DE102013100683

申请日：2013-01-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KADOW CHRISTOPH

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8232 ,  H01L23/60 ,  H01L29/78

Abstract: Eine integrierte Schaltung (900) umfasst eine erste und eine zweite Feldeffekttransistorstruktur (100, 200). Die erste Feldeffekttransistorstruktur (100) umfasst eine erste Gateelektrodenstruktur (121) und eine erste Feldelektrodenstruktur (151). Die zweite Feldeffekttransistorstruktur (200) umfasst eine zweite Gateelektrodenstruktur (221) und eine zweite Feldelektrodenstruktur (251). Die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur (100, 200) sind elektrisch voneinander getrennt. Die erste und die zweite Feldelektrodenstruktur (151, 251) sind voneinander getrennt.

公开(公告)号：DE102013100683B4

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：DE102013100683

申请日：2013-01-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KADOW CHRISTOPH

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8232 ,  H01L23/60 ,  H01L29/78

Abstract: Integrierte Schaltung (900), aufweisend:eine erste Feldeffekttransistorstruktur (100), die eine erste Gateelektrodenstruktur (121), eine erste Feldelektrodenstruktur (151), einen ersten Drainzonenabschnitt (132) und eine erste Sourceelektrodenstruktur (112) aufweist, undeine zweite Feldeffekttransistorstruktur (200), die eine zweite Gateelektrodenstruktur (221), eine zweite Feldelektrodenstruktur (251), einen zweiten Drainzonenabschnitt (232) und zweite Sourceelektrodenstruktur (212) aufweist, wobeider erste und der zweite Drainzonenabschnitt (132, 232) eine zusammenhängende Drainzone (330) ausbilden,die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur (121, 221) elektrisch voneinander getrennt sind,die erste und die zweite Sourceelektrodenstruktur (112, 212) elektrisch voneinander getrennt sind,die erste Feldelektrodenstruktur (151) und die zweite Feldelektrodenstruktur (251) elektrisch voneinander getrennt sind,die erste Feldelektrodenstruktur (151) mit der ersten Sourceelektrodenstruktur (112) elektrisch gekoppelt ist, unddie zweite Feldelektrodenstruktur (251) elektrisch mit der zweiten Gateelektrodenstruktur (221) gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102011055185B4

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：DE102011055185

申请日：2011-11-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KADOW CHRISTOPH ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/762 ,  H01L23/52 ,  H01L27/088

Abstract: Integrierte Schaltung (100, 100', 100''), umfassend: einen Halbleiterträger (101), der eine erste Seite (102) sowie eine der ersten Seite (102) gegenüberliegende zweite Seite (103) und einen ersten Bereich (104) zwischen der ersten Seite (102) und der zweiten Seite (103) sowie einen neben dem ersten Bereich (104) liegenden zweiten Bereich (106) ebenfalls zwischen der ersten Seite (102) und der zweiten Seite (103) aufweist; einen FET (105) in dem ersten Bereich (104) des Halbleiterträgers (101), wobei ein Drain des FETs mit einem Drainkontaktbereich an der ersten Seite (102) elektrisch gekoppelt ist und eine Source des FETs mit einem Sourcekontaktbereich (120) an der zweiten Seite (103) elektrisch gekoppelt ist; erste Schaltungselemente in dem zweiten Bereich (106) des Halbleiterträgers, wobei der zweite Bereich (106) von dem den zweiten Bereich (106) umgebenden Halbleiterträger (101) durch eine Grabenisolation (108), die sich von der ersten Seite (102) zur zweiten Seite (103) erstreckt, elektrisch isoliert ist; eine Zwischenverbindungslage (116), die die ersten Schaltungselemente an der zweiten Seite (103) elektrisch miteinander verbindet, wobei die Zwischenverbindungslage (116) von dem Sourcekontaktbereich (120) im gesamten zweiten Bereich (106) über eine Isolationsschicht (119) elektrisch isoliert ist; und einen leitenden Pfad (137), der sich durch den Halbleiterträger (101) von der ersten Seite (102) zur zweiten Seite (103) erstreckt, wobei der leitende Pfad von dem den leitenden Pfad (137) umgebenden Halbleiterträger (101) elektrisch isoliert ist; und wobei wenigstens eines der ersten Schaltungselemente mit einem Kontaktbereich (136) an der ersten Seite (102) über den leitenden Pfad (137) elektrisch gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102014119698B3

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：DE102014119698

申请日：2014-12-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KADOW CHRISTOPH ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung (100) umfasst ein erstes Lastanschluss-Kontaktgebiet (102) an einer ersten Seite (104) eines Halbleiterkörpers (106). Ein zweites Lastanschluss-Kontaktgebiet (108) ist an einer zweiten Seite (110) des Halbleiterkörpers (106) entgegengesetzt zu der ersten Seite (104). Ein Steueranschluss-Kontaktgebiet (109) ist an der zweiten Seite (110) des Halbleiterkörpers (106). Eine Isolationsstruktur (112) erstreckt sich durch den Halbleiterkörper (106) zwischen den ersten und zweiten Seiten (104, 110). Die Isolationsstruktur (112) isoliert elektrisch einen ersten Teil (1061) von einem zweiten Teil (1062) des Halbleiterkörpers (106). Eine erste Dicke (d1) des ersten Teiles (1061) ist kleiner als eine zweite Dicke (d2) des zweiten Teiles (1062). Eine Steuerelektrode (126) an der ersten Seite (104) ist mit dem Steueranschluss-Kontaktgebiet (109) durch den Halbleiterkörper (106) elektrisch verbunden. Das zweite Lastanschluss-Kontaktgebiet (108) grenzt in dem ersten Teil (1061) an einen ersten Oberflächenteil (121) des Halbleiterkörpers (106) an der zweiten Seite (110) an. Das Steueranschluss-Kontaktgebiet (109) grenzt in einem dritten Teil (1063) des Halbleiterkörpers (106) an einen dritten Oberflächenteil (123) des Halbleiterkörpers (106) an der zweiten Seite (110) an. Der dritte Teil (1063) hat eine kleinere Dicke (d3) als der zweite Teil (1062).

公开(公告)号：DE102010028275A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：DE102010028275

申请日：2010-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DIBRA DONALD ,  KADOW CHRISTOPH ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L35/32 ,  G01K3/08 ,  G01K7/02 ,  H01L27/16 ,  H01L35/34

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung aus einem Leistungshalbleiterbauelement und einem Seebeck-Differenztemperatursensor, der aus zumindest zwei Streifenleitern aufgebaut ist, die auf oder in einem Halbleiterkörper angeordnet sind, wobei zumindest ein Streifenleiter aus einem Halbleitermaterial besteht.

公开(公告)号：DE102010064679B3

公开(公告)日：2023-01-12

申请号：DE102010064679

申请日：2010-03-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  DECKER STEFAN ,  KRISCHKE NORBERT ,  KADOW CHRISTOPH

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/266 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/62 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: Integrierte Schaltung (100), die aufweist:einen ersten FET (110) und einen zweiten FET (120),wobei wenigstens ein Element aus Source, Drain, Gate des ersten FETs (110) elektrisch mit dem entsprechenden Element aus Source, Drain, Gate des zweiten FETs (120) verbunden ist,wenigstens ein weiteres Element aus Source, Drain, Gate des ersten FETs (110) und das entsprechende weitere Element aus Source, Drain, Gate des zweiten FETs (120) mit einem Schaltkreiselement (130) verbunden sind; undeine Dotierstoffkonzentration eines Bodys entlang eines Kanals des ersten (110) und zweiten (120) FETs jeweils einen Peak an einer Position (Z1, Z2, Z3, Z4, Z5, Zmax) innerhalb des Kanals aufweist, und ein Profil der Dotierstoffkonzentration des Bodys jeweils des ersten (110) und zweiten (120) FETs an einem pn-Übergang zwischen dem Body und der Source in Richtung zur Source hin abfällt.