公开(公告)号：WO03015163A2

公开(公告)日：2003-02-20

申请号：PCT/EP0207313

申请日：2002-07-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  BERTHOLD ADRIAN ,  BOECK JOSEF ,  KLEIN WOLFGANG ,  HOLZ JUERGEN

Inventor： BERTHOLD ADRIAN ,  BOECK JOSEF ,  KLEIN WOLFGANG ,  HOLZ JUERGEN

IPC: H01L21/8249

CPC classification number: H01L21/8249

Abstract: The invention relates to a method for the parallel production of an MOS transistor in an MOS area of a substrate (1) and a bipolar transistor in a bipolar area of said substrate (1). The method comprises the creation of an MOS preconditioning structure in the MOS area, whereby the MOS preconditioning structure contains a region (13) provided for a channel, a gate dielectric (14), a gate electrode layer (15, 19) and a masking layer (21a, 21b, 22) on the gate electrode layer (15, 19). In addition, a bipolar preconditioning structure is created in the bipolar area, said structure comprising a conductive layer (20) and a masking layer (21a, 21b, 22) on the conductive layer (20). To establish a gate electrode and a base connection region, the gate electrode layer (15, 19) and the conductive layer (20) are jointly structured. The invention also relates to the simultaneous creation of isolating spacer layers (30, 31) on lateral walls of the gate electrode layer in the MOS area and on the conductive layer in the bipolar area by the application of a first (30) and second spacer layer (31). The isolating spacer layers define the regions to be doped in the MOS area and isolate a base region and an emitter region in the bipolar area. Finally, the first spacer layer (30) and the second spacer layer (31) are selectively etched in the MOS and bipolar areas.

Abstract translation: 本发明提供了一种在衬底（1）的MOS区中并联制造MOS晶体管的方法以及在衬底（1）的双极区中的双极晶体管的制造方法。 该方法包括在MOS区中生成MOS准备结构，该MOS准备结构包括为沟道设置的区域（13），栅极电介质（14），栅电极层（15,19）和掩模层（21a， 21b，22）设置在栅电极层（15,19）上。 此外，在双极区中产生双极预备结构，双极区包括导电层（20）上的导电层（20）和掩模层（21a，21b，22）。 为了限定栅极电极和基极端子区域，执行栅极电极层（15,19）和导电层（20）的通用结构化。 该方法还包括通过沉积第一（30）和第二间隔层（31）在MOS区栅电极层和双极导电层的侧壁上同时形成绝缘间隔层（30,31）。 在MOS区中使用绝缘间隔层来定义要掺杂的区域，并且在用于隔离基极区和发射极区的双极区中使用绝缘间隔层。 随后，执行MOS区和双极区中的第一间隔层（30）和第二间隔层（31）的选择性蚀刻。

公开(公告)号：WO0184604A3

公开(公告)日：2002-02-28

申请号：PCT/EP0104525

申请日：2001-04-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  AUGUSTIN ANDREAS ,  KLEIN WOLFGANG ,  BARTH HANS JOACHIM

Inventor： AUGUSTIN ANDREAS ,  KLEIN WOLFGANG ,  BARTH HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L21/76838 ,  H01L28/55 ,  H01L28/82

Abstract: The invention relates to a method for producing an integrated capacitor consisting of the following steps: namely, the formation of a structured metal layer (1) on a supporting layer (2); covering the structured metal layer (1) and the supporting layer (2) with a thick dielectric layer (3); carrying out a local etching through the thick dielectric layer (3) until reaching the structured first metal layer (1) in order to form an etched opening having a lateral wall surface (4) and a bottom surface (5), which is formed by the exposed surface of the structured first metal layer (1); precipitating a first conductive layer (7) on the formed bottom surface (5) and on the thick dielectric layer (3); precipitating a thin dielectric layer (8) on the first conductive layer (7); precipitating a second conductive layer (9) on the thin dielectric layer (8), and; forming a structured second metal layer (10) on the second conductive layer (9).

Abstract translation: 一种用于制造集成电容器，其包括以下步骤，即载体层（2）上形成的图案化金属层（1）的方法; 涂覆所述图案化金属层（1）和所述载体层（2）用厚dielekrischen层（3）; （1）形成通过所述厚电介质层（3），以用于形成具有侧壁表面的蚀刻孔图案化第一金属层（1）本地Hindurchätzen（4）和（5）通过所述结构化第一金属层的暴露表面的基座 会; （7）形成的底表面（5）和厚的电介质层（3）上沉积第一导电层; 在第一导电层上沉积一薄介电层（8）（7）; 薄介电层上沉积一第二导电层（9）（8）; 和所述第二导电层上形成图案化的第二金属层（10）（9）。

公开(公告)号：WO0154167A3

公开(公告)日：2001-12-06

申请号：PCT/DE0100033

申请日：2001-01-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  KLEIN WOLFGANG ,  LACHNER RUDOLF ,  MOLZER WOLFGANG

Inventor： KLEIN WOLFGANG ,  LACHNER RUDOLF ,  MOLZER WOLFGANG

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/165 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/165 ,  H01L29/7378

Abstract: The invention relates to a silicon/germanium bipolar transistor, wherein a first n doped emitter region (1) and a second subsequent p doped base region and a third subsequent n doped collector region are formed in a silicon substrate (7). A first space charge region (4) is formed between the emitter region (1) and the base region (2). A second space charge region (5) is formed between the base region (2) and a collector region (3). The base region (2) and the edge region of the bordering emitter region (1) is alloyed with germanium. The concentration of germanium increases in the emitter region (1) leading towards the base region (2). The concentration of germanium in a transition area in which the first space charge zone (4) is located increases to a lesser degree than in the emitter region (1) or even decreases. The concentration of germanium in the base region (2) increases to a greater degree than in the transition region.

Abstract translation: 本发明描述了一种硅锗双极晶体管，其中在一个硅衬底（7），第一n型掺杂的发射极区（1）和随后的第二p掺杂基极区域（2），此后，第三n型掺杂的集电极区域（3 ）形成。 在发射极区域（1）和基极区域（2）之间形成第一空间电荷区域（4）并且在基极区域（2）和集电极区域（3）之间形成第二空间电荷区域（5）。 基部（2）和相邻的射极区（1）的边缘区域被合金化锗，锗浓度（6）在发射极区域（1）到基极区（2）向上升。 在其中第一空间电荷区（4）位于过渡区域中，锗浓度比在发射极区域上升少急剧（1）或减少时，在基极区域（2）上升，第一比再次更强烈在过渡区域。

公开(公告)号：DE102017209495B4

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：DE102017209495

申请日：2017-06-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KLEIN WOLFGANG

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04R1/00

Abstract: MEMS-Schallwandler (101; 102; 103; 201; 202; 203; 30; 501; 502; 503; 601; 602), umfassend:eine Rückplatte (12);eine Membran (18), die von einer höchstens geringe Unterbrechungen aufweisenden umlaufenden Randbefestigung so gehalten ist, dass die Membran (18) entlang einer Auslenkrichtung (26) hin zu der Rückplatte (12) auslenkbar ist;ein Erhöhungselemerit (28), das zwischen der Membran (18) und der Rückplatte (12) angeordnet ist und entlang der Auslenkrichtung (26) eine erste Höhe aufweist;eine Stützstruktur (12; 24); undein Abstandselement (32), das zwischen der Membran (18) und der Stützstruktur (12; 24) angeordnet ist, und entlang der Auslenkrichtung (26) eine zweite Höhe (h2) aufweist, die größer ist als die erste Höhe; wobei das Abstandselement (32) ausgebildet ist, um bei einem mechanischen Kontakt mit dem Stützelement (12; 24) oder mit der Membran (18) eine weitere Auslenkung der Membran (18) zu reduzieren oder zu verhindern;wobei die Stützstruktur (12; 24) die Rückplatte selbst ist, oder ein Stützelement (24) ist, das gegenüberliegend der Rückplatte (12) angeordnet ist, so dass die Membran (18) zwischen der Rückplatte (12) und dem Stützelement (24) angeordnet ist;wobei das Abstandselement (32) als eine umlaufende Struktur oder eine in eine Mehrzahl von Segmente unterteilte Struktur gebildet ist; und die Struktur einen Ring oder ein Polygon beschreibt.

公开(公告)号：DE102013211943B4

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：DE102013211943

申请日：2013-06-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  HERRMANN MATTHIAS FRIEDRICH ,  KRUMBEIN ULRICH ,  BARZEN STEFAN ,  KLEIN WOLFGANG ,  FRIZA WOLFGANG ,  WURZER MARTIN

IPC: B81B7/02 ,  H04R19/04

Abstract: MEMS-Struktur (400, 500, 600, 700, 900, 1201), welche Folgendes aufweist:eine Rückplatte (120, 250, 252, 350, 338, 450, 540, 640, 740, 902, 1221),eine Membran (130, 230, 330, 430, 530, 630, 730, 901, 1211), die um einen Spaltabstand (904) von der Rückplatte (120, 250, 252, 350, 338, 450, 540, 640, 740, 902, 1221) beabstandet ist, undeine einstellbare Ventilationsöffnung (238, 338, 46, 538, 638, 738, 903, 111, 1120, 1130, 1150, 1160, 1208, 1238), welche sich auf der Membran (130, 230, 330, 430, 530, 630, 730, 901, 1211) befindet und die dafür ausgelegt ist, eine Druckdifferenz zwischen einem ersten Raum (905), der in Kontakt mit einer ersten Seite der Membran (130, 230, 330, 430, 530, 630, 730, 901, 1211) steht, und einem zweiten Raum (906), der in Kontakt mit einer entgegengesetzten zweiten Seite der Membran (130, 230, 330, 430, 530, 630, 730, 901, 1211) steht, zu verringern, wobei die einstellbare Ventilationsöffnung (238, 338, 46, 538, 638, 738, 903, 111, 1120, 1130, 1150, 1160, 1208, 1238) als Funktion der Druckdifferenz zwischen dem ersten Raum (905) und dem zweiten Raum (906) passiv betätigt wird und dünner als ein anderer Abschnitt der Membran (130, 230, 330, 430, 530, 630, 730, 901, 1211) ist.

公开(公告)号：DE102013203379B4

公开(公告)日：2020-09-17

申请号：DE102013203379

申请日：2013-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  HERZUM CHRISTIAN ,  KLEIN WOLFGANG ,  WURZER MARTIN ,  BARZEN STEFAN

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  H04R19/04

Abstract: Ein MEMS-Mikrofon (200; 300; 400), umfassend:ein Substrat (210; 310; 410);eine bewegliche Elektrode (230; 330; 430); undeine Gegenelektrode (250; 350; 450), wobei die bewegliche Elektrode (230; 330; 430) oder die Gegenelektrode (250; 350) eine erste Region und eine zweite Region umfasst, wobei die erste Region von der zweiten Region isoliert ist, wobei die erste Region zum Einstellen der Empfindlichkeit des MEMS-Mikrofons mit einer Abstimmungsvorspannung (V) abstimmbar ist, wobei die zweite Region ein Messsignal bereitstellen kann und wobei die bewegliche Elektrode(230; 330; 430) und die Gegenelektrode (250; 350; 450) mechanisch mit dem Substrat (210; 310;410) verbunden sind.

公开(公告)号：DE102018200190A1

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：DE102018200190

申请日：2018-01-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KLEIN WOLFGANG

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  H04R19/02 ,  H04R19/04

Abstract: Ein mikroelektromechanisches System umfasst ein Gehäuse mit einer Zugangsöffnung und eine Schallwandlerstruktur mit einer Membran und einer Rückplattenstruktur, wobei die Schallwandlerstruktur mit der Zugangsöffnung gekoppelt ist. Das mikroelektromechanische System umfasst eine Filterstruktur, die zwischen der Zugangsöffnung und der Schallwandlerstruktur angeordnet ist, und die ein Filtermaterial und zumindest ein Vorspannungselement aufweist, das mechanisch mit dem Filtermaterial verbunden ist, wobei das zumindest eine Vorspannungselement ausgebildet ist, um eine mechanische Spannung in dem Filtermaterial zu erzeugen, um eine Biegeverformung der Filterstruktur in eine Richtung weg von der Rückplattenstruktur bereitzustellen.

公开(公告)号：DE102016109111A1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：DE102016109111

申请日：2016-05-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KLEIN WOLFGANG ,  BARZEN STEFAN ,  DEHE ALFONS ,  WURZER MARTIN

IPC: H04R7/16 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  H04R1/02 ,  H04R19/00

Abstract: Gemäß einem Ausführungsbeispiel umfasst ein Mikroelektromechanisches-System-Wandler (MEMS-Wandler) eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode, die an einer Verankerung an einem Umfang der zweiten Elektrode befestigt ist, und einen mechanischen Träger, der separat von der Verankerung an dem Umfang der zweiten Elektrode ist und mit der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode mechanisch verbunden ist. Der mechanische Träger ist an einem Abschnitt der zweiten Elektrode befestigt, derart, dass im Betrieb eine maximale Auslenkung der zweiten Elektrode zwischen der mechanischen Struktur und dem Umfang der zweiten Elektrode auftritt.

公开(公告)号：DE102011084014A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：DE102011084014

申请日：2011-10-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  GLAS ALEXANDER ,  HOFMANN RENATE ,  KLEIN WOLFGANG

IPC: H01L21/822 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  H01F27/255 ,  H01L23/66 ,  H01L27/08

Abstract: Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements das Bilden einer ersten Induktorspule in und/oder über einem Substrat. Die erste Induktorspule wird benachbart zu einer oberen Seite des Substrats gebildet. Erste Gräben werden in dem Substrat benachbart zu der ersten Induktorspule gebildet. Die ersten Gräben werden zumindest teilweise mit einem magnetischen Füllmaterial gefüllt. Zumindest ein erster Abschnitt des Substrats unter der ersten Induktorspule wird ausgedünnt. Eine rückseitige Magnetschicht wird unter dem ersten Abschnitt des Substrats gebildet. Die rückseitige Magnetschicht und das magnetische Füllmaterial bilden zumindest einen Teil eines Magnetkernbereichs der ersten Induktorspule.

公开(公告)号：DE102007019811A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：DE102007019811

申请日：2007-04-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GLAS ALEXANDER ,  HARTUNG WOLFGANG ,  SCHRENK MICHAEL ,  KLEIN WOLFGANG ,  KEBINGER HERBERT

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/488 ,  H01L23/60 ,  H03H7/01

Abstract: The circuit (100) has a contact (110) for electrically attaching a circuit, and a coil, which is arranged around the contact. An inner lying coil connection (122) of the coil (120) is arranged, and is electrically coupled with the contact. A circuit element is provided, where the coil is arranged around the circuit element, and a connection of the circuit element is electrically coupled with the contact. The connection forms the contact of the circuit element. An independent claim is also included for a chip integrated filter circuit.