Schaltung, auf einem Chip aufgebrachte Filterschaltung und System

    公开(公告)号:DE102007019811B4

    公开(公告)日:2014-11-27

    申请号:DE102007019811

    申请日:2007-04-26

    Abstract: Schaltung (100; 200) mit: einem Eingangskontakt (110; 210) und einem Ausgangskontakt (212) zum elektrischen Anschließen der Schaltung (100; 200); einem ersten Schaltungselement (130; D1; D11), wobei ein erster Anschluss (132) des ersten Schaltungselements (130; D1; D11) mit dem Eingangskontakt (110; 210) elektrisch gekoppelt ist; und einer ersten Spule (120; L1; L11), die um den Eingangskontakt (110; 210) und das erste Schaltungselement (130; D1; D11) herum angeordnet ist, wobei ein innen liegender Spulenanschluss (122; 322) der ersten Spule (120; L1; L11), der in der ersten Spule (120; L1; L11) angeordnet ist, mit dem Eingangskontakt (110) elektrisch gekoppelt ist, und ein außen liegender Spulenanschluss (124; 324) der ersten Spule (120; L1; L11), der außerhalb der ersten Spule (120; L1; L11) angeordnet ist, mit dem Ausgangskontakt (212) elektrisch gekoppelt ist, wobei das erste Schaltungselement (130; D1; D11) eine ESD-Diode zum Schutz der Schaltung (100; 200) vor elektrostatischer Entladung ist.

    Halbleiterbauelemente mit Magnetkerninduktoren und Verfahren zum Herstellen derselben

    公开(公告)号:DE102011084014B4

    公开(公告)日:2019-05-29

    申请号:DE102011084014

    申请日:2011-10-05

    Abstract: Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:Bilden einer ersten Induktorspule (120) in und/oder über einem Substrat (100), wobei die erste Induktorspule (120) benachbart zu einer oberen Seite des Substrats (100) gebildet wird,Bilden von ersten Gräben (160) in dem Substrat (100) benachbart zu der ersten Induktorspule (120),Füllen der ersten Gräben (160) zumindest teilweise mit einem magnetischen Füllmaterial (170),anschließend, Ausdünnen zumindest eines ersten Abschnitts des Substrats (100) unter der ersten Induktorspule (120), undanschließend, Bilden einer rückseitigen Magnetschicht (180) unter dem ersten Abschnitt des Substrats (100), wobei die rückseitige Magnetschicht (180) und das magnetische Füllmaterial (170) zumindest einen Teil eines Magnetkernbereichs der ersten Induktorspule (120) bilden,so dass ein Halbleiterbauelement gebildet wird.

    Schutzschaltungen und Schutzvorrichtungen gegen transiente Spannungen

    公开(公告)号:DE102015212952A1

    公开(公告)日:2016-01-14

    申请号:DE102015212952

    申请日:2015-07-10

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine Schutzschaltung gegen transiente Spannungen eine erste integrierte Schaltung, umfassend einen Eingangsknoten, einen Ausgangsknoten, eine erste Schutzkomponente gegen transiente Spannungen, welche zwischen dem Eingangsknoten und einem Bezugsspannungsknoten gekoppelt ist, und ein Impedanzelement, welches zwischen dem Eingangsknoten und dem Ausgangsknoten gekoppelt ist. Die erste Schutzkomponente gegen transiente Spannungen weist einen ersten dynamischen Widerstandswert auf und der Ausgangsknoten ist ausgelegt, um mit einer Schutzkomponente gegen elektrostatische Entladung (ESD) mit einem zweiten dynamischen Widerstandswert, welcher größer als der erste dynamische Widerstandswert ist, gekoppelt zu werden.

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