公开(公告)号：DE102004063946B4

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：DE102004063946

申请日：2004-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  VANNUCCI NICOLA ,  LANZERSTORFER SVEN DR ,  OSTERMANN THOMAS ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS DR

IPC: H01L21/762 ,  G11C29/00 ,  H01L23/62 ,  H01L27/085 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: Trenchtransistoranordnung, mit einem Halbleiterkörper (30, 40), in dem mehrere nebeneinander angeordnete Trenchtransistoren ausgebildet sind, wobei wenigstens einer dieser Trenchtransistoren ein Zellenfeld mit mehreren Zellenfeldtrenches aufweist und die Trenchtransistoren durch Isolationsstrukturen, die jeweils einen Trennungstrench (50) aufweisen, gegeneinander elektrisch isoliert sind, und die Trennungstrenches (50) in Randbereichen der Trenchtransistoren ausgebildet sind, wobei in jedem Trennungstrench (50) eine mit Substratpotenzial verbundene Elektrode (52) angeordnet ist, und der Trennungstrench (50) tiefer in den Halbleiterkörper (30, 40) eindringt als die dotierten Wannengebiete (31, 44), dadurch gekennzeichnet, dass die Trennungstrenches (50) Randabschlüsse dotierter Wannengebiete (31, 44) bilden und ein an den Trennungstrench (50) angrenzendes p-dotiertes Gebiet (41) zur Unterdrückung eines durch das an der mit dem Substratpotenzial verbundenen Elektrode (52) des Trennungstrenches (50) liegende Potential ermöglichten n-Kanales zum Halbleiterkörper (40) dient.

公开(公告)号：DE102004024887B4

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：DE102004024887

申请日：2004-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  VANNUCCI NICOLA ,  LANZERSTORFER SVEN DR ,  KROTSCHECK THOMAS ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS DR

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/02 ,  H01L29/78

Abstract: Transistor, der aufweist: – ein Zellenfeld mit mehreren aktiven Transistorzellen (74) aus jeweils Sourcegebieten (62), Bodygebieten (63), Draingebieten (64) und in Zellenfeld-Trenches (61) vorgesehenen Gates, – einen Temperatursensor (66), der in das Zellenfeld integriert ist oder an dieses angrenzt, und – eine Isolationsstruktur (70, 71, 72, 81), die den Temperatursensor (66) gegenüber dem Zellenfeld elektrisch isoliert, wobei der Abstand zwischen dem Temperatursensor (66) und der dem Temperatursensor (66) nächstgelegenen aktiven Transistorzelle (74) der Schrittweite zwischen den aktiven Transistorzellen (74) innerhalb des Zellenfelds entspricht, wobei – die Isolationsstruktur einen Trennungstrench (70), der zwischen dem Zellenfeld und dem Temperatursensor (66) angeordnet ist, aufweist, und – die Innenwände eines Zellenfeld-Trenches (61) der dem Temperatursensor (66) nächstgelegenen aktiven Transistorzelle (74) sowie die Innenwände des Trennungstrenchs (70) mit Isolationsschichten ausgekleidet sind, wobei wenigstens zwei in horizontaler Richtung aufeinanderfolgende und zueinander benachbarte Isolationsschichten (77, 78), die innerhalb des Trennungstrenchs (70) und...