公开(公告)号：DE102004024887A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：DE102004024887

申请日：2004-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  VANNUCCI NICOLA ,  LANZERSTORFER SVEN ,  KROTSCHECK THOMAS ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/02 ,  H01L29/78

Abstract: The transistor has a cell array with two active transistor cells separated by a pitch, and a temperature sensor in proximate to the cell array. An isolation structure with an isolation trench (70) electrically isolates the temperature sensor from the cell array. The temperature sensor and the transistor cell are located in closest distance, approximately to the pitch between active transistor cells within the cell array.

公开(公告)号：DE102004024887B4

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：DE102004024887

申请日：2004-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  VANNUCCI NICOLA ,  LANZERSTORFER SVEN DR ,  KROTSCHECK THOMAS ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS DR

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/02 ,  H01L29/78

Abstract: Transistor, der aufweist: – ein Zellenfeld mit mehreren aktiven Transistorzellen (74) aus jeweils Sourcegebieten (62), Bodygebieten (63), Draingebieten (64) und in Zellenfeld-Trenches (61) vorgesehenen Gates, – einen Temperatursensor (66), der in das Zellenfeld integriert ist oder an dieses angrenzt, und – eine Isolationsstruktur (70, 71, 72, 81), die den Temperatursensor (66) gegenüber dem Zellenfeld elektrisch isoliert, wobei der Abstand zwischen dem Temperatursensor (66) und der dem Temperatursensor (66) nächstgelegenen aktiven Transistorzelle (74) der Schrittweite zwischen den aktiven Transistorzellen (74) innerhalb des Zellenfelds entspricht, wobei – die Isolationsstruktur einen Trennungstrench (70), der zwischen dem Zellenfeld und dem Temperatursensor (66) angeordnet ist, aufweist, und – die Innenwände eines Zellenfeld-Trenches (61) der dem Temperatursensor (66) nächstgelegenen aktiven Transistorzelle (74) sowie die Innenwände des Trennungstrenchs (70) mit Isolationsschichten ausgekleidet sind, wobei wenigstens zwei in horizontaler Richtung aufeinanderfolgende und zueinander benachbarte Isolationsschichten (77, 78), die innerhalb des Trennungstrenchs (70) und...

公开(公告)号：DE102004029297A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：DE102004029297

申请日：2004-06-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEBER HANS ,  KROTSCHECK THOMAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: A vertical field effect power transistor comprises a field of transistor cells having alternate body and source electrodes (6,7), p- and n- mesa strips (10) between n trenches (3) in a semiconductor (2) with vertical gate electrodes (4) and p body zones. The body and source electrodes alternate in x- and y-directions in a chessboard pattern. Independent claims are also included for the following: (A) a production process for the above;and (B) a further vertical field effect transistor.

公开(公告)号：DE19840031C2

公开(公告)日：2002-09-19

申请号：DE19840031

申请日：1998-09-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VIETZKE DIRK ,  STECHER MATTHIAS ,  MOSIG KARSTEN ,  PERI HERMANN ,  SCHWETLICK WERNER ,  MAIR ANDREAS ,  KOTZ DIETMAR ,  KROTSCHECK THOMAS ,  GRILZ REINHOLD

IPC: H01L21/761 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78