公开(公告)号：DE102015108402B4

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：DE102015108402

申请日：2015-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVCHIEV VENTSISLAV ,  JACOBY BERNHARD ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  GRILLE THOMAS ,  OSTERMANN THOMAS ,  POPP THOMAS ,  CLARA STEFAN

IPC: H01L33/06 ,  G01F1/66 ,  H01L31/101 ,  H01L31/16

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 110, 120, 130, 140), umfassend:eine Mehrzahl von Quantenstrukturen (101), die überwiegend Germanium umfassen, wobei die Mehrzahl von Quantenstrukturen auf einer ersten Halbleiterschichtstruktur (102) gebildet ist, wobei die Quantenstrukturen aus der Mehrzahl von Quantenstrukturen (101) eine laterale Abmessung von weniger als 15 nm und eine Flächendichte von zumindest 8 × 1011Quantenstrukturen pro cm2aufweisen, wobei die Mehrzahl von Quantenstrukturen (101) Germanium und Antimon umfasst, wobei die Mehrzahl von Quantenstrukturen (101) zwischen 1 % und 10 % Antimon umfasst, wobei die Mehrzahl von Quantenstrukturen (101) ausgebildet ist, um Licht mit einem Lichtemissionsmaximum bei einer Wellenlänge zwischen 2 µm und 10 µm zu emittieren oder Licht mit einem Lichtabsorptionsmaximum bei einer Wellenlänge zwischen 2 µm und 10 µm zu absorbieren.

公开(公告)号：DE102015108402A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：DE102015108402

申请日：2015-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  GRILLE THOMAS ,  POPP THOMAS ,  CLARA STEFAN ,  OSTERMANN THOMAS ,  LAVCHIEV VENTSISLAV ,  JACOBY BERNHARD

IPC: H01L33/06 ,  G01F1/66 ,  H01L31/101 ,  H01L31/16

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Mehrzahl von Quantenstrukturen, die überwiegend Germanium umfassen. Die Mehrzahl von Quantenstrukturen ist auf einer ersten Halbleiterschichtstruktur gebildet. Die Quantenstrukturen aus der Mehrzahl von Quantenstrukturen weisen eine laterale Abmessung von weniger als 15 nm und eine Flächendichte von zumindest 8 × 1011 Quantenstrukturen pro cm2 auf. Die Mehrzahl von Quantenstrukturen ist ausgebildet, um Licht mit einem Lichtemissionsmaximum bei einer Wellenlänge zwischen 2 μm und 10 μm zu emittieren oder Licht mit einem Lichtabsorptionsmaximum bei einer Wellenlänge zwischen 2 μm und 10 μm zu absorbieren.

公开(公告)号：DE102015111345A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：DE102015111345

申请日：2015-07-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVCHIEV VENTSISLAV ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  JAKOBY BERNHARD

IPC: G01N21/31

Abstract: Ein Sensorsystem (200) mit Kopplungsstrukturen (202; 206) wird offenbart. Das System (200) weist eine Eingangs-Kopplungsstruktur (202), einen Wechselwirkungsbereich (204) und eine Ausgangs-Kopplungsstruktur (206) auf. Die Eingangs-Kopplungsstruktur (202) ist ausgestaltet, um ein emittiertes Licht mit einer ausgewählten Kopplungseffizienz zu empfangen, und kann ein Filtern des emittierten Lichts für eine ausgewählte Wellenlänge bereitstellen. Der Wechselwirkungsbereich (204) ist mit der Eingangs-Kopplungsstruktur (202) gekoppelt und ausgestaltet, damit das Licht von der Eingangs-Kopplungsstruktur (202) mit einer Probe (212) eine Wechselwirkung aufweist. Die Ausgangs-Kopplungsstruktur (206) ist mit dem Wechselwirkungsbereich (204) gekoppelt und ausgestaltet, um das Licht nach der Wechselwirkung von dem Wechselwirkungsbereich (204) dem Detektor (210) bereitzustellen.