公开(公告)号：DE102015111345A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：DE102015111345

申请日：2015-07-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVCHIEV VENTSISLAV ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  JAKOBY BERNHARD

IPC: G01N21/31

Abstract: Ein Sensorsystem (200) mit Kopplungsstrukturen (202; 206) wird offenbart. Das System (200) weist eine Eingangs-Kopplungsstruktur (202), einen Wechselwirkungsbereich (204) und eine Ausgangs-Kopplungsstruktur (206) auf. Die Eingangs-Kopplungsstruktur (202) ist ausgestaltet, um ein emittiertes Licht mit einer ausgewählten Kopplungseffizienz zu empfangen, und kann ein Filtern des emittierten Lichts für eine ausgewählte Wellenlänge bereitstellen. Der Wechselwirkungsbereich (204) ist mit der Eingangs-Kopplungsstruktur (202) gekoppelt und ausgestaltet, damit das Licht von der Eingangs-Kopplungsstruktur (202) mit einer Probe (212) eine Wechselwirkung aufweist. Die Ausgangs-Kopplungsstruktur (206) ist mit dem Wechselwirkungsbereich (204) gekoppelt und ausgestaltet, um das Licht nach der Wechselwirkung von dem Wechselwirkungsbereich (204) dem Detektor (210) bereitzustellen.

公开(公告)号：DE112013004299B4

公开(公告)日：2021-12-30

申请号：DE112013004299

申请日：2013-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JAKOBY BERNHARD ,  LAVCHIEV VENTSISLAV M ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  HEDENIG URSULA ,  OSTERMANN THOMAS

IPC: G01N21/55 ,  G01N21/17 ,  G02B6/12 ,  H01L31/0232

Abstract: Optoelektronischer Infrarot (IR)-Sensor, der aufweist:ein Halbleitersubstrat (202), das einen Silizium-Wellenleiter (110, 204) aufweist, der sich entlang einer Länge zwischen einem Strahlungseinlasskanal (104), der zur Einkopplung von Strahlung in den Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, und einem Strahlungsauslasskanal (108), der zur Auskopplung von Strahlung aus dem Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, erstreckt,eine Pufferschicht (120), die an eine Unterseite des Silizium-Wellenleiters (110, 204) zwischen dem Strahlungseinlasskanal (104) und dem Strahlungsauslasskanal (108) grenzt,wobei der Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, die Strahlung von dem Strahlungseinlasskanal (104) zum Strahlungsauslasskanal (108) in einer einzelnen Mode zu übertragen, so dass ein abklingendes Feld ausgebildet wird, das sich vom Silizium-Wellenleiter (110, 204) nach außen erstreckt zur Wechselwirkung mit einer Probe (112), und wobei der Optoelektronische Infrarot (IR)-Sensor zudem aufweist:eine Kopplungsstruktur (302) zur Kopplung von Strahlung einer Strahlungsquelle (104a, 206) in den Silizium-Wellenleiter (110, 204), wobei die Kopplungsstruktur (302) eine Mehrzahl einzelner Schichten (302a, 302b, 302c) mit unterschiedlichen Materialien aufweist, die sich von einer Oberseite des Silizium-Wellenleiters (104, 204) zur Pufferschicht (120) vertikal erstrecken und in einer entlang einer Länge des Silizium-Wellenleiters (104, 204) verlaufenden horizontalen Richtung gestapelt sind.

公开(公告)号：DE112013004299T5

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：DE112013004299

申请日：2013-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JAKOBY BERNHARD ,  LAVCHIEV VENTSISLAV M ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  HEDENIG URSULA ,  OSTERMANN THOMAS

IPC: G01N21/55 ,  G01N21/77 ,  G01N33/543

Abstract: Einige Ausführungsformen der Beschreibung betreffen einen optoelektronischen Infrarot(IR)-Sensor mit einem in einem einzelnen integrierten Silizium-Chip implementierten Silizium-Wellenleiter. Der IR-Sensor weist ein Halbleitersubstrat mit einem Silizium-Wellenleiter auf, der sich entlang einer Länge zwischen einem Strahlungseinlasskanal und einem Strahlungsauslasskanal erstreckt. Der Strahlungseinlasskanal koppelt Strahlung in den Silizium-Wellenleiter ein, während der Strahlungsauslasskanal Strahlung aus dem Silizium-Wellenleiter auskoppelt. Der Silizium-Wellenleiter überträgt die IR-Strahlung von dem Strahlungseinlasskanal zum Strahlungsauslasskanal in einer einzelnen Mode. Beim Übertragen der Strahlung durch den Silizium-Wellenleiter wird ein abklingendes Feld ausgebildet, das sich vom Silizium-Wellenleiter nach außen erstreckt, um mit einer zwischen dem Strahlungseinlasskanal und dem Strahlungsauslasskanal positionierten Probe in Wechselwirkung zu treten.

公开(公告)号：DE102015109437A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：DE102015109437

申请日：2015-06-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVCHIEV VENTSISLAV M ,  JAKOBY BERNHARD ,  HEDENIG URSULA ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  NEIDHART THOMAS ,  OSTERMANN THOMAS

IPC: G01N21/41 ,  G02B6/26

Abstract: Ein Sensorsystem mit einer Multi-Pass-Wechselwirkungsregion ist offenbart. Das System umfasst eine Eingangsregion (202, 302, 402), eine Multi-Pass-Region (204, 304, 404) und eine Ausgangsregion (206, 306). Die Eingangsregion (202, 302, 402) ist konfiguriert, abgegebenes Licht zu empfangen. Die Multi-Pass-Region (204, 304, 404) ist mit der Eingangsregion (202, 302, 402) gekoppelt und konfiguriert, Teile des abgegebenen Lichts gemäß einer unmittelbar neben der Multi-Pass-Region (204, 304, 404) angeordneten Probe zu absorbieren. Die Ausgangsregion (206, 306) ist mit der Multi-Pass-Region (204, 304, 404) gekoppelt und konfiguriert, wechselgewirktes Licht aus der Multi-Pass-Region (204, 304, 404) bereitzustellen.