公开(公告)号：DE102023121453A1

公开(公告)日：2025-02-13

申请号：DE102023121453

申请日：2023-08-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RASINGER FABIAN ,  HELL MICHAEL ,  AICHINGER THOMAS ,  MIKHAYLOV ALEXEY

IPC: H10D30/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H10D12/00 ,  H10D30/01 ,  H10D62/832

Abstract: Vorgeschlagen wird eine Halbleitervorrichtung (100) mit breiter Bandlücke. Die Halbleitervorrichtung (100) mit breiter Bandlücke umfasst einen Halbleiterkörper (102) mit breiter Bandlücke mit einer ersten Oberfläche (104) und einer der ersten Oberfläche (104) entlang einer vertikalen Richtung (y) entgegengesetzten zweiten Oberfläche (106). Eine Gate-Elektrodenstruktur (108) ist in einem aktiven Transistorbereich (105) angeordnet. Die Gate-Elektrodenstruktur (108) umfasst eine Gate-Elektrode (1081) und ein zwischen der Gate-Elektrode (1081) und dem Halbleiterkörper (102) mit breiter Bandlücke angeordnetes Gate-Dielektrikum (1082). Eine Gate-Verbindungsstruktur (110) ist außerhalb des aktiven Transistorbereichs (105) angeordnet. Die Gate-Verbindungsstruktur (110) umfasst eine Verbindungselektrode (1101) und eine zwischen der Verbindungselektrode (1101) und dem Halbleiterkörper (102) mit breiter Bandlücke angeordnetes Verbindungs-Dielektrikum (1102). Dielektrizitätskonstanten einer dielektrischen Hauptkomponente von zumindest zwei von i) einem Teil des Verbindungs-Dielektrikums (1102) oder ii) einem ersten Teil (10821) des Gate-Dielektrikums (1082) oder iii) einem zweiten Teil (10822) des Gate-Dielektrikums (1082) unterscheiden sich voneinander.

公开(公告)号：DE102024207457A1

公开(公告)日：2025-04-03

申请号：DE102024207457

申请日：2024-08-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  RASINGER FABIAN ,  MLETSCHNIG KRISTIJAN LUKA ,  ESTEVE ROMAIN ,  LEENDERTZ CASPAR

IPC: H10D64/64 ,  H10D8/60 ,  H10D12/00 ,  H10D30/60 ,  H10D84/00

Abstract: In einer Ausführungsform wird ein Halbleiterbauteil bereitgestellt. Das Halbleiterbauteil kann einen Halbleiterkörper umfassen, der einen ersten dotierten Bereich eines ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten dotierten Bereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst. Das Halbleiterbauteil kann eine Metallstruktur in dem Halbleiterkörper umfassen, die über dem zweiten dotierten Bereich liegt. Die Metallstruktur kann eine erste Seitenwand angrenzend an einen ersten Abschnitt des ersten dotierten Bereichs, eine zweite Seitenwand angrenzend an einen zweiten Abschnitt des ersten dotierten Bereichs und eine dritte Seitenwand angrenzend an den zweiten dotierten Bereich umfassen. Das Halbleiterbauteil kann einen Schottky-Kontakt umfassen, der einen Übergang der dritten Seitenwand der Metallstruktur mit dem zweiten dotierten Bereich umfasst.

公开(公告)号：DE102023206109A1

公开(公告)日：2025-01-02

申请号：DE102023206109

申请日：2023-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEHNERT WOLFGANG ,  RASINGER FABIAN ,  TILKE ARMIN ,  AICHINGER THOMAS ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  RESCHER GERALD ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H10D30/01 ,  H01L21/205 ,  H01L21/314 ,  H10D30/60 ,  H10D62/832 ,  H10D64/01 ,  H10D64/66

Abstract: Verfahren zur Bildung einer Grenzflächenschicht auf einem Siliciumcarbidkörper, bei dem eine Oxidschicht von einer Oberfläche eines Siliciumcarbidkörpers entfernt wird, um eine Siliciumcarbidoberfläche zu erhalten. Der Siliciumcarbidkörper umfasst einen Source-Bereich eines ersten Leitfähigkeitstyps und einen Body-Bereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps. Das Verfahren umfasst ferner, dass nach dem Entfernen der Oxidschicht eine Grenzflächenschicht direkt auf der Siliziumcarbidoberfläche abgeschieden wird. Die Grenzflächenschicht hat eine Dicke von weniger oder gleich 15 nm. Das Verfahren umfasst ferner die Bildung eines elektrischen Isolators über der Grenzflächenschicht und die Bildung einer Gate-Elektrode über dem elektrischen Isolator.