公开(公告)号：DE102016113093A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：DE102016113093

申请日：2016-07-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OSSIMITZ PETER ,  BEER GOTTFRIED ,  HOEGERL JÜRGEN ,  MUNDING ANDREAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: Ein Halbleiterchip enthält einen Halbleiterkörper mit einem aktiven Bauelementgebiet, eine oder mehrere Metallisierungsschichten, von dem Halbleiterkörper isoliert und konfiguriert zum Führen eines oder mehrerer von Masse, Strom und Signalen zu dem aktiven Bauelementgebiet und mehrere Kontaktanschlüsse, in einer äußersten der Metallisierungsschichten ausgebildet oder darauf angeordnet und konfiguriert zum Bereitstellen von externem elektrischem Zugang zum Halbleiterchip. Ein Mindestabstand zwischen benachbarten der Kontaktanschlüsse ist für den Halbleiterchip definiert. Eine oder mehrere Gruppen von benachbarten der Kontaktanschlüsse besitzen eine elektrische oder funktionale Gemeinsamkeit und einen unter dem definierten Mindestabstand liegenden Pitch. Eine einzelne gemeinsame Lötverbindung kann zwei oder mehrere der Kontaktanschlüsse des Halbleiterchips mit einem oder mehreren Kontaktanschlüssen eines Substrats wie etwa einer Leiterplatte, eines Interposers oder eines anderen Halbleiterchips verbinden.

公开(公告)号：DE102016110640A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：DE102016110640

申请日：2016-06-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MUNDING ANDREAS

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/54 ,  H01L23/16 ,  H01L23/24 ,  H01L25/065

Abstract: Ein Halbleiterbauelement enthält ein Substrat, einen Halbleiterchip und ein Array von Kontaktelementen, die das Substrat elektrisch an den Halbleiterchip koppeln. Das Halbleiterbauelement enthält ein Unterfüllmaterial zwischen dem Substrat und dem Halbleiterchip und zwischen den Kontaktelementen. Eine gemusterte Struktur ist auf dem Substrat angeordnet und erstreckt sich von unterhalb des Halbleiterchips durch eine Keep-Out-Zone um eine Kante des Halbleiterchips herum. Die gemusterte Struktur stellt ein Reservoir für das Unterfüllmaterial bereit.

公开(公告)号：DE102016104844B4

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：DE102016104844

申请日：2016-03-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESCHER-PÖPPEL IRMGARD ,  GRUBER MARTIN ,  HEINRICH ALEXANDER ,  MUNDING ANDREAS ,  WILLE CATHARINA

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L23/02 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L25/07

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Chipverbunds, das aufweist:Herstellen von zwei oder mehr Chipbaugruppen (2) jeweils durch stoffschlüssiges und elektrisch leitendes Verbinden eines elektrisch leitenden ersten Ausgleichsplättchens (21) mit einer ersten Hauptelektrode (11) eines Halbleiterchips (1);Stoffschlüssiges Verbinden der Chipbaugruppen (2) mittels eines ersten Teils (4a) einer dielektrischen Einbettmasse (4), wobei der erste Teil (4a) der Einbettmasse (4) zwischen benachbarten ersten Ausgleichsplättchen (21) benachbarter Chipbaugruppen (2) sowie zwischen benachbarten Halbleiterchips (1) benachbarter Chipbaugruppen (2) gebildet wird und wobei sich ein Freiraum (211) zwischen den benachbarten Chipbaugruppen (2), der nicht mit der Einbettmasse (4) gefüllt ist, von einer Oberfläche des ersten Teils (4a) der Einbettmasse (4), die sich zwischen benachbarten Chipbaugruppen (2) befindet, nach unten erstreckt;Anordnen einer Steuerelektrodenverschaltungsstruktur (70) in dem Freiraum (211) zwischen den Ausgleichsplättchen (21) und Herstellen elektrisch leitendender Verbindungen zwischen der Steuerelektrodenverschaltungsstruktur (70) und Steuerelektroden (13) der Halbleiterchips (1) der einzelnen Chipbaugruppen (2).

公开(公告)号：DE102015102081A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：DE102015102081

申请日：2015-02-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MUNDING ANDREAS

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/36 ,  H01L23/492 ,  H01L25/075 ,  H01L33/64 ,  H05B44/00

Abstract: Entsprechend verschiedenen Beispielen werden hierin Systeme, Verfahren und Vorrichtungen für eine Licht emittierende Vorrichtung (102) beschrieben. In einem Beispiel umfasst eine Licht emittierende Vorrichtung (102) ein Licht emittierendes Element (3) und einen Kondensator (6). Der Kondensator (6) ist als Spannungspuffer für das Licht emittierende Element (3) eingerichtet und ist ferner zum Abführen von Wärme von dem Licht emittierenden Element (3) eingerichtet. Gemäß einem weiteren Beispiel wird ein Träger für eine Licht emittierende Anordnung (3) hierin beschrieben. Gemäß diesem Beispiel umfasst der Träger einen Kondensator (6), der zum Puffern einer Spannung der Licht emittierenden Anordnung (3) eingerichtet ist. Der Träger umfasst ferner eine Kontaktstruktur, die zum Herstellen von elektrischen Kontakten zur Licht emittierenden Anordnung (3) und dem Kondensator (6) eingerichtet ist. Der Kondensator (6) und die Kontaktstruktur sind derart angeordnet, dass der Kondensator (6) zum Abführen von Wärme von der Licht emittierenden Anordnung (3) eingerichtet ist.

公开(公告)号：DE102016104844A1

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：DE102016104844

申请日：2016-03-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESCHER-PÖPPEL IRMGARD ,  GRUBER MARTIN ,  HEINRICH ALEXANDER ,  MUNDING ANDREAS ,  WILLE CATHARINA

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/02 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Chipverbunds. Es werden zwei oder mehr Chipbaugruppen (2) jeweils durch stoffschlüssiges und elektrisch leitendes Verbinden eines elektrisch leitenden ersten Ausgleichsplättchens (21) mit einer ersten Hauptelektrode (11) eines Halbleiterchips (1) hergestellt. In einem Freiraum (211) zwischen den Chipbaugruppen (2) wird eine Steuerelektrodenverschaltungsstruktur (70) angeordnet. Zwischen der Steuerelektrodenverschaltungsstruktur (70) und Steuerelektroden (13) der Halbleiterchips (1) der einzelnen Chipbaugruppen (2) werden elektrisch leitendende Verbindungen hergestellt. Die Chipbaugruppen (2) werden mittels einer dielektrischen Einbettmasse (4) stoffschlüssig verbunden.