公开(公告)号：DE102018111213A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102018111213

申请日：2018-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  MODER IRIS ,  HELLMUND OLIVER ,  NEIDHART THOMAS CHRISTIAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHMIDT GERHARD ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  BAUMGARTL JOHANNES

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/36

Abstract: Eine Ausführungsform bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfasst ein Vorsehen eines Halbleitersubstrats (102) mit einer ersten Hauptoberfläche (104) und einer der ersten Hauptoberfläche (104) gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche (106), wobei das Halbleitersubstrat (102) einen ersten Dotierstoff und einen zweiten Dotierstoff aufweist und ein kovalenter Atomradius eines Materials des Halbleitersubstrats (102) i) größer als ein kovalenter Atomradius des ersten Dotierstoffes und kleiner als ein kovalenter Atomradius des zweiten Dotierstoffes oder ii) kleiner als ein kovalenter Atomradius des ersten Dotierstoffes und größer als ein kovalenter Atomradius des zweiten Dotierstoffes ist. Eine vertikale Ausdehnung des ersten Dotierstoffes in das Halbleitersubstrat (102) von der ersten Hauptoberfläche (104) aus endet bei einem Boden (109) eines ersten Halbleitersubstratbereichs (108) in einer ersten vertikalen Distanz (t1) zur ersten Hauptoberfläche (104). Danach umfasst das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Halbleiterschicht (110) auf der ersten Hauptoberfläche (104) und ein Ausbilden von Halbleitervorrichtungselementen (1121, 1122) in der Halbleiterschicht (110). Weiter umfasst das Verfahren ein Reduzieren einer Dicke (t) des Halbleitersubstrats (102) durch Entfernen eines Materials des Halbleitersubstrats (102) von der zweiten Hauptoberfläche (106) aus zumindest bis zum ersten Halbleitersubstratbereich (108).