公开(公告)号：DE102018112979A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：DE102018112979

申请日：2018-05-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  EICHINGER BARBARA ,  HELLMUND OLIVER ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  MODER IRIS ,  SAENGER ANETTE ,  SOMMER DORIS

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76

Abstract: Eine integrierte Schaltungsvorrichtung (101) umfassend einen Chip-Die (110) mit einem ersten Bereich mit einer ersten Dicke, die einen zweiten Bereich mit einer zweiten Dicke umgibt, wobei die erste Dicke größer als die zweite Dicke ist, wobei der Chip-Die (110) eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wenigstens eine passive elektrische Komponente (130), die, wenigstens eines von, im oder über dem Chip-Die (110) im ersten Bereich auf der Vorderseite bereitgestellt ist, und wenigstens eine aktive elektrische Komponente, die, wenigstens eines von, im oder über dem Chip-Die (110) im zweiten Bereich auf der Vorderseite bereitgestellt ist.

公开(公告)号：DE102018127833B4

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：DE102018127833

申请日：2018-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  MODER IRIS ,  EICHINGER BARBARA ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L29/68

Abstract: Verfahren, das aufweist:Erzeugen mehrerer Gräben (20) in einer ersten Oberfläche (11) eines Halbleiterwafers (10);Einbringen von Dotierstoffatomen zumindest in Seitenwände (21, 22) und einen Boden (23) eines jeden der mehreren Gräben (20);Erzeugen einer Halbleiterschicht (30), die die mehreren Gräben (20) vollständig füllt;Diffundieren der Dotierstoffatome in einem thermischen Prozess, um ein dotiertes Gebiet (40) zumindest in dem Halbleiterwafer (10) zu erzeugen,Entfernen von Material des Halbleiterwafers (10) an einer der ersten Oberfläche (11) entgegengesetzten zweiten Oberfläche (12);Befestigen eines Trägers an der Halbleiterschicht (30) vor dem Entfernen von Material von dem Halbleiterwafer (10) an der zweiten Oberfläche (12); undErzeugen zumindest einer epitaktischen Schicht (60) auf der zweiten Oberfläche (12) des Wafers (10) nach dem Entfernen von Material von dem Halbleiterwafer (10) an der zweiten Oberfläche (12).

公开(公告)号：DE102018010396B3

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：DE102018010396

申请日：2018-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  MODER IRIS ,  EICHINGER BARBARA ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L29/68

Abstract: Verfahren, das aufweist:Erzeugen mehrerer Gräben (20) in einer ersten Oberfläche (11) eines Halbleiterwafers (10);Einbringen von Dotierstoffatomen zumindest in Seitenwände (21, 22) und einen Boden (23) eines jeden der mehreren Gräben (20);Erzeugen einer Halbleiterschicht (30), die die mehreren Gräben (20) vollständig füllt; undDiffundieren der Dotierstoffatome in einem thermischen Prozess, um ein dotiertes Gebiet (40) derart zu erzeugen, dass sich das dotierte Gebiet (40) in einer lateralen Richtung des Halbleiterwafers (10) über solche Abschnitte der Halbleiterschicht (30), die die Gräben (20) füllen, und über Mesagebiete (13), die in dem Halbleiterwafer (10) jeweils zwischen den Gräben (20) vorhanden sind, erstreckt.

公开(公告)号：DE102018127833A1

公开(公告)日：2020-05-07

申请号：DE102018127833

申请日：2018-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  MODER IRIS ,  EICHINGER BARBARA ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L29/68

Abstract: Es wird ein Verfahren offenbart. Das Verfahren beinhaltet das Erzeugen mehrerer Gräben (20) in einer ersten Oberfläche (11) eines Halbleiterwafers (10);das Einbringen von Dotierstoffatomen zumindest in Seitenwände (21, 22) und einen Boden (23) eines jeden der mehreren Gräben (20); das Erzeugen einer Halbleiterschicht (30), die die mehreren Gräben (20) vollständig füllt; und das Diffundieren der Dotierstoffatome in einem thermischen Prozess, um ein dotiertes Gebiet (40) zumindest in dem Halbleiterwafer (10) zu erzeugen.

公开(公告)号：DE102018111213A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102018111213

申请日：2018-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  MODER IRIS ,  HELLMUND OLIVER ,  NEIDHART THOMAS CHRISTIAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHMIDT GERHARD ,  LUDWIG JACOB TILLMANN ,  BAUMGARTL JOHANNES

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/36

Abstract: Eine Ausführungsform bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfasst ein Vorsehen eines Halbleitersubstrats (102) mit einer ersten Hauptoberfläche (104) und einer der ersten Hauptoberfläche (104) gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche (106), wobei das Halbleitersubstrat (102) einen ersten Dotierstoff und einen zweiten Dotierstoff aufweist und ein kovalenter Atomradius eines Materials des Halbleitersubstrats (102) i) größer als ein kovalenter Atomradius des ersten Dotierstoffes und kleiner als ein kovalenter Atomradius des zweiten Dotierstoffes oder ii) kleiner als ein kovalenter Atomradius des ersten Dotierstoffes und größer als ein kovalenter Atomradius des zweiten Dotierstoffes ist. Eine vertikale Ausdehnung des ersten Dotierstoffes in das Halbleitersubstrat (102) von der ersten Hauptoberfläche (104) aus endet bei einem Boden (109) eines ersten Halbleitersubstratbereichs (108) in einer ersten vertikalen Distanz (t1) zur ersten Hauptoberfläche (104). Danach umfasst das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Halbleiterschicht (110) auf der ersten Hauptoberfläche (104) und ein Ausbilden von Halbleitervorrichtungselementen (1121, 1122) in der Halbleiterschicht (110). Weiter umfasst das Verfahren ein Reduzieren einer Dicke (t) des Halbleitersubstrats (102) durch Entfernen eines Materials des Halbleitersubstrats (102) von der zweiten Hauptoberfläche (106) aus zumindest bis zum ersten Halbleitersubstratbereich (108).