公开(公告)号：DE102014111981A1

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：DE102014111981

申请日：2014-08-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  RÖSNER WOLFGANG ,  DAINESE MATTEO ,  JÄGER CHRISTIAN ,  MAUDER ANTON ,  HIRLER FRANZ ,  STRENZ ROBERT ,  STIFTINGER MARTIN ,  RÖSCH MAXIMILIAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Halbleiterschaltvorrichtung (500) umfasst einen ersten Lastanschluss (L1), der elektrisch mit Sourcezonen (110) von Transistorzellen (TC) verbunden ist. Die Sourcezonen (110) bilden erste pn-Übergänge (pn1) mit Bodyzonen (115). Ein zweiter Lastanschluss (L2) ist elektrisch mit einer Drainkonstruktion (120) verbunden, die zweite pn-Übergänge (pn2) mit den Bodyzonen (115) bildet. Steuerstrukturen (400), die eine Steuerelektrode (420) und Ladungsspeicherstrukturen (410) umfassen, grenzen direkt an die Bodyzonen (115) an. Die Steuerelektrode (420) steuert einen Laststrom durch die Bodyzonen (115). Die Ladungsspeicherstrukturen (410) isolieren die Steuerelektrode (420) von den Bodyzonen (110) und enthalten eine Steuerladung (419), die ausgestaltet ist, um Inversionskanäle in den Bodyzonen (115) bei Abwesenheit einer Potentialdifferenz zwischen der Steuerelektrode (420) und der ersten Lastelektrode (L1) zu induzieren.

公开(公告)号：DE102014111981B4

公开(公告)日：2020-08-13

申请号：DE102014111981

申请日：2014-08-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  RÖSNER WOLFGANG ,  DAINESE MATTEO ,  JÄGER CHRISTIAN ,  MAUDER ANTON ,  HIRLER FRANZ ,  STRENZ ROBERT ,  STIFTINGER MARTIN ,  RÖSCH MAXIMILIAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:einen ersten Lastanschluss (L1), der elektrisch mit Sourcezonen (110) von Transistorzellen (TC) verbunden ist, wobei die Sourcezonen (110) erste pn-Übergänge (pn1) mit Bodyzonen (115) bilden,einen zweiten Lastanschluss (L2), der elektrisch mit einer Drainkonstruktion (120) verbunden ist, die zweite pn-Übergänge (pn2) mit den Bodyzonen (115) bildet, undSteuerstrukturen (400), die direkt an die Bodyzonen (115) angrenzen, wobei die Steuerstrukturen (400) eine Steuerelektrode (420) und Ladungsspeicherstrukturen (410) umfassen, die Steuerelektrode (420) gestaltet ist, um einen Laststrom durch die Bodyzonen (115) zu steuern, die Ladungsspeicherstrukturen (410) die Steuerelektrode (420) von den Bodyzonen (115) isolieren und eine Steuerladung (419) enthalten, die ausgeführt ist, um bei Abwesenheit einer Potentialdifferenz zwischen der Steuerelektrode (420) und dem ersten Lastanschluss (L1) Inversionskanäle in den Bodyzonen (115) zu induzieren, wobeidie Bodyzonen (115) in Halbleitermesas (160) gebildet sind, die von Teilen eines Halbleiterkörpers (100) gebildet und voneinander durch die Steuerstrukturen (400) getrennt sind.