公开(公告)号：DE102015117286B4

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：DE102015117286

申请日：2015-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  AICHINGER THOMAS ,  KUECK DANIEL ,  RUPP ROLAND ,  PETERS DETHARD ,  BERGNER WOLFGANG ,  POENARIU VICTORINA ,  UNEGG GERALD ,  REINWALD GERALD

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/263 ,  H01L21/322 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren umfasst: Ausbilden eines Grabens (190), der sich von einer Hauptoberfläche (101a) in eine kristalline Siliziumcarbid-Halbleiterschicht (100a) erstreckt; Ausbilden einer Maske (400), die eine Maskenöffnung (401) umfasst, wobei die Maskenöffnung (401) den Graben (190) und eine Randsektion (105) der Hauptoberfläche (101) um den Graben (190) freilegt; Amorphisieren, durch Bestrahlung mit einem Teilchenstrahl (990), eines erstes Abschnitts (181) der Halbleiterschicht (100a), der durch die Maskenöffnung (401) freigelegt ist, und eines zweiten Abschnitts (182), der außerhalb der vertikalen Projektion der Maskenöffnung (401) liegt und an den ersten Abschnitt (181) direkt angrenzt, wobei eine vertikale Ausdehnung des amorphisierten zweiten Abschnitts (182) mit zunehmender Distanz zum ersten Abschnitt (181) allmählich abnimmt; und Entfernen der amorphisierten ersten und zweiten Abschnitte (181, 182).

公开(公告)号：DE102015117286A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：DE102015117286

申请日：2015-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  AICHINGER THOMAS ,  KUECK DANIEL ,  RUPP ROLAND ,  PETERS DETHARD ,  BERGNER WOLFGANG ,  POENARIU VICTORINA ,  UNEGG GERALD ,  REINWALD GERALD

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/263 ,  H01L21/322 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Graben (190) wird ausgebildet, der sich von einer Hauptoberfläche (101a) in eine kristalline Siliziumcarbid-Halbleiterschicht (100a) erstreckt. Eine Maske (400) wird ausgebildet, die eine Maskenöffnung (401) umfasst, die den Graben (190) und eine Randsektion (105) der Hauptoberfläche (101a) um den Graben (190) freilegt. Durch Bestrahlung mit einem Teilchenstrahl (990) werden ein erster Abschnitt (181) der Halbleiterschicht (100a), der durch die Maskenöffnung (401) freigelegt ist, und ein zweiter Abschnitt (182) amorphisiert, der außerhalb der vertikalen Projektion der Maskenöffnung (401) liegt und direkt an den ersten Abschnitt (181) angrenzt. Eine vertikale Ausdehnung des amorphisierten zweiten Abschnitts (182) nimmt mit zunehmender Distanz zum ersten Abschnitt (181) allmählich ab. Die amorphisierten ersten und zweiten Abschnitte (181, 182) werden entfernt.